平成27(行ケ)10128審決取消請求事件

平成２８年７月２８日判決言渡
平成２７年（行ケ）第１０１２８号 審決取消請求事件
口頭弁論終結日 平成２８年６月３０日
判 決
原 告 住友金属鉱山株式会社
訴 訟 代 理 人 弁 護 士 中 川 康 生
同 川 添 大 資
同 村 井 隼
同 山 本 卓 典
同中川康生復代理人弁護士 綿 秀 斗
訴 訟 代 理 人 弁 理 士 伊 東 忠 彦
同 伊 東 忠 重
同 大 貫 進 介
同 鶴 谷 裕 二
同 佐 々 木 定 雄
同 加 藤 隆 夫
被 告 シ ャ ー プ 株 式 会 社
訴 訟 代 理 人 弁 護 士 永 島 孝 明
同 安 國 忠 彦
同 朝 吹 英 太
同 安 友 雄 一 郎
同 野 中 信 宏
訴 訟 代 理 人 弁 理 士 若 山 俊 輔
同 磯 田 志 郎
主 文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事 実 及 び 理 由
第１ 請求
特許庁が無効２０１４－８０００９６号事件について平成２７年５月２５日にし
た審決を取り消す。
第２ 事案の概要（認定の根拠を掲げない事実は争いがないか弁論の全趣旨により
容易に認定できる事実である。）
１ 特許庁における手続の経緯等
被告は，平成１９年３月２６日，発明の名称を「半導体装置および液晶モジュー
ル」とする発明につき特許出願（特願２００３－１８８８５４号（平成１５年６月
３０日（以下「原出願日」という。）にした特許出願の一部を分割した特許出願））
をし，平成２２年７月１６日，特許第４５５００８０号（請求項の数は６である。）
として特許権の設定登録を受けた（甲Ａ。以下，この特許を「本件特許」という。。
）
原告は，平成２３年１１月２１日，本件特許の請求項１ないし請求項６に係る発
明（以下，各請求項記載の発明を請求項１ないし６の区分に応じて「本件発明１」
ないし「本件発明６」といい，これらを併せて「本件発明」という。）を無効とする
ことを求めて無効審判（無効２０１１－８００２４１号。以下「第１無効審判」と
いう。）を請求し，また，平成２４年１月３０日，本件発明を無効とすることを求め
て更に無効審判を請求した（無効２０１２－８００００６号。 「第２無効審判」
以下
という。。
）
特許庁は，第１無効審判に係る手続を中止し，まず第２無効審判を審理し，平成
２４年９月１９日付けで本件発明についての特許を無効とする旨の審決をした。
これに対し，被告は，上記審決に対し，審決取消訴訟（平成２４年（行ケ）１０
３７３号。以下「別件審決取消訴訟」という。）を提起したところ，知的財産高等裁
判所は，平成２５年９月３０日，当該審決を取り消す旨の判決（甲３０）を言い渡
し，その後当該判決は確定した。特許庁は，第２無効審判につき再度審理し，平成
２６年６月２６日，審判請求は成り立たない旨の審決をし，当該審決は出訴される
ことなく確定した。
さらに，原告は，平成２６年６月１０日，本件発明を無効とすることを求めて無
効審判（無効２０１４－８０００９６号。以下「本件審判」という。）を請求した。
これに対し，特許庁は，平成２７年５月２５日，本件審判につき，審判請求は成り
立たない旨の審決をしたことから，原告は，平成２７年７月３日，本件審決取消訴
訟を提起した。
なお，特許庁は，上記のとおり中止した第１無効審判の審理を再開し，平成２７
年８月１１日，審判請求は成り立たない旨の審決をした。これに対し，原告は，平
成２７年９月１７日，審決取消訴訟（平成２７年（行ケ）第１０１９１号）を提起
し，当該事件は知財高裁に係属している。
２ 特許請求の範囲の記載（甲Ａ）
本件特許の請求項１ないし６に係る特許請求の範囲の記載は，次のとおりである
（請求項１の分説及びアルファベットの表示は裁判所による。また，本件特許の明
細書及び図面を併せて「本件明細書」という。 。
）
「【請求項１】
Ａ 絶縁性を有するベースフィルム，該ベースフィルム上に形成されたニッケル
－クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層，および該バリア層の上に形成
された銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層を有す
る半導体キャリア用フィルムと，前記配線層に接続された突起電極を有する半導体
素子とを備える半導体装置であって，
Ｂ 前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配
線が複数あり，そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の
間において，配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０ ５～２．７×１
０６Ｖ／ｍであり，
Ｃ 前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有し，
Ｄ 前記バリア層におけるクロム含有率を１５～５０重量％とすることにより，
前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制することを特徴とする
Ｅ 半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子接合用配線の端子間ピッチが１００μｍ以下となる箇所を有する
ものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バリア層のクロム含有率が１５～３０重量％であることを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記バリア層の厚みが１０～３５ｎｍであることを特徴とする請求項１から３の
何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ベースフィルムの厚みが２５～５０μｍであることを特徴とする請求項１か
ら４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする液晶
モジュール。」
３ 審決の理由
審決の理由は，別紙審決書（写し）に記載のとおりである。その要旨は，次のと
おりである。以下，審決が引用する刊行物のうち，特開２００２－２５２２５７号
公報（甲１）は，「甲１公報」と，特開平６－１２０６３０号公報（甲２）は，「甲
２公報」と，平成１５（２００３）年５月２０日に技術情報協会により頒布された
テキスト「セミナーテキスト NO.1」
（甲３）は，
「甲３刊行物」と，２００１（平成
１３）年１２月に(株)工業調査会により発行された雑誌「Ｍ＆Ｅ」２００１年１２
月号第９４～９９頁（甲５）は，
「甲５刊行物」と，２００３（平成１５）年５月１
５日に日本材料学会により発行された学会誌「材料」VOL.52 NO.5 MAY 2003 の第
５２９～５３４頁に掲載された論文「プリント配線板の耐イオンマイグレーション
性に関する研究」（甲６）は，「甲６刊行物」と，１９８５年に歯科材料・機械学会
から発行された学会誌歯科材料・器械 Vol.４ No.5 p.455～480「歯科鋳造用 Ni-Cr
系合金の Ni 溶出と電気化学的腐食挙動について」
（甲２１） 「甲２１刊行物」
は， と，
２００２年１１月に溶接構造シンポジウムで発行された講演論文集の論文「プリン
ト配線板の耐イオンマイグレーション性に関する研究」（甲２４）は，「甲２４刊行
物」という。
本件発明は，①甲１公報に記載された発明（以下「甲１発明」という。 に対して，
）
甲６刊行物，甲２公報，甲１８，甲２２の各刊行物に記載された事項又は甲２公報，
甲３刊行物，甲５刊行物，甲６刊行物，甲２１刊行物，甲２４刊行物及び甲４，甲
７ないし２０，甲２２，甲２５ないし２９の各刊行物に記載された周知技術を適用
することによって当業者が容易に発明することができたものとはいえず，また，②
甲２公報に記載された発明（以下「甲２発明」という。）に対して，甲１公報及び甲
６刊行物に記載された事項又は甲１公報，甲３刊行物，甲５刊行物，甲６刊行物，
甲２１刊行物，甲２４刊行物及び甲４，甲７ないし２０，甲２２，甲２５ないし２
９の各刊行物に記載された周知技術を適用することによって当業者が容易に発明す
ることができたものとはいえないから，特許法２９条２項の規定に違反するもので
はなく，無効とすべきものではない。
審決が認定した甲１発明及び甲２発明の内容，本件発明１と甲１発明及び甲２発
明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
(1) 甲１発明の内容
「ポリイミド系フィルム１と，前記ポリイミド系フィルム１の表面に設けられた
厚さが７０～５００Åであるニッケル－クロム合金のスパッタ層３と，前記ニッケ
ル－クロム合金のスパッタ層３の上に設けられる銅のメッキ層４及び厚付け銅メッ
キ層である銅層２とからなり，前記スパッタ層３，前記銅のメッキ層４及び前記銅
層２とをエッチングして櫛形電極パターンを形成した後に無電解スズメッキを行っ
た半導体キャリア用フィルムと，
前記半導体キャリア用フィルムに形成され前記無電解スズメッキが行われた前記
櫛形電極パターンの適所に半導体チップが実装された半導体チップと，
を備える半導体装置であって，
前記櫛形電極パターンは５０μｍピッチであり，その上の無電解スズメッキ層は
０．５μｍ厚であり，
前記スパッタ層３のニッケル－クロム合金中のクロム含有量は，３重量％未満で
は耐マイグレーション性の向上効果がなく，１０重量％を超えても耐マイグレーシ
ョン性の向上効果はほぼ同一で，かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる
ことから，３～１０重量％であることが望ましいことを特徴とする半導体装置。」
(2) 本件発明１と甲１発明の一致点
「絶縁性を有するベースフィルム，該ベースフィルム上に形成されたニッケル－
クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層，および該バリア層の上に形成さ
れた銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層を有する
半導体キャリア用フィルムと，前記配線層に接続された電極を有する半導体素子と
を備える半導体装置であって，
前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が
複数あり，そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線を備え，
前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有すること
を特徴とする半導体装置。」
(3) 本件発明１と甲１発明の相違点
ア 相違点Ａ１
本件発明１の「半導体素子」は前記配線層に接続された「突起電極」を有するの
に対して，甲１発明の前記櫛形電極パターンの適所に接続される「半導体チップ」
の電極が「突起電極」であるかどうかは不明である点。
イ 相違点Ａ２
本件発明１は「隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において，配線間
距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５～２．７×１０６Ｖ／ｍ」であるが，
甲１発明は，この点が不明である点。
ウ 相違点Ａ３
本件発明１においては「前記バリア層におけるクロム含有率を１５～５０重量％
とすることにより，前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」が，
甲１発明においては「前記スパッタ層３のニッケル－クロム合金中のクロム含有量
は，３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく，１０重量％を超え
ても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で，かえってパターン形成時の銅
の足残りが多くなることから，３～１０重量％であることが望ましい」点。
(4) 甲２発明の内容
「厚さ５０μｍのポリイミドから成る支持基板１，前記支持基板１の上に形成さ
れた厚さ２００Å（２０ｎｍ）のＮｉ-Ｃｒ合金層２，前記Ｎｉ-Ｃｒ合金層２の上
に形成された銅層３，４を有するプリント配線基板を備え，前記Ｎｉ-Ｃｒ合金層２
と前記銅層３，４をエッチング処理により所定の配線パターンに形成した複数の配
線に半導体素子を接続した半導体装置であって，
前記複数の配線は，配線幅及び配線間距離がいずれも２０μｍの配線パターンを
有し，前記Ｎｉ-Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率が１８～９４重量％である半導体
装置。」
(5) 本件発明１と甲２発明の一致点
「絶縁性を有するベースフィルム，該ベースフィルム上に形成されたニッケル－
クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層，および該バリア層の上に形成さ
れた銅を含んだ導電物からなる配線層を有する半導体キャリア用フィルムと，前記
配線層に接続された半導体素子とを備える半導体装置であって，前記バリア層と前
記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり，前記半導
体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有する半導体装置。」
(6) 本件発明１と甲２発明の相違点
ア 相違点Ｂ１
本件発明１は，
「配線層」の表面に「スズメッキ」が施されるのに対して，甲２発
明は，「銅層３，４」の表面にスズメッキが施されていない点。
イ 相違点Ｂ２
本件発明１は，
「半導体素子」が「配線層」に接続された「突起電極」を有するの
に対して，甲２発明は，
「半導体素子」が「銅層３，４」に接続される突起電極を有
するか否か不明である点。
ウ 相違点Ｂ３
本件発明１は，
「隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において，配線間
距離及び出力により定まる電界強度が３×１０ ５～２．７×１０６Ｖ／ｍ」であるの
に対して，甲２発明は，隣り合う二つの「配線」の間における電界強度が不明であ
る点。
エ 相違点Ｂ４
本件発明１は，前記バリア層におけるクロム含有率を１５～５０重量％であると
「
することにより，前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」もので
あるのに対して，甲２発明は，「Ｎｉ-Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率が１８～９
４重量％である」が，バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するものであ
るか否か特定されていない点。
第３ 取消事由に関する当事者の主張
取消事由に関する当事者の主張は，次のとおりである（第１回弁論準備手続調書
参照）。なお，各取消事由に関する原告の主張のうち，相違点Ａ１及びＡ２に関する
主張並びに相違点Ｂ１ないしＢ３に関する主張は，取消事由としてではなく事情と
して主張されたものであるから（第２回弁論準備手続調書参照） 取消事由に関する
，
原告の主張のうち，本件で問題となる相違点は，相違点Ａ３及び相違点Ｂ４に限ら
れる。
１ 原告の主張
審決には，甲１発明の認定及び相違点Ａ３の認定の誤り（取消事由１－１），相違
点Ａ３に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由１－２） 甲２発明の認定及び相違
，
点Ｂ４の認定の誤り（取消事由２－１） 相違点Ｂ４に係る容易想到性の判断の誤り
，
があり（取消事由２－２），その誤りは審決の結論に影響を及ぼすから，審決は違法
であり取り消されるべきである。
(1) 取消事由１－１（甲１発明の認定及び相違点Ａ３の認定の誤り）
ア 甲１公報には，１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほ
「
ぼ同一」であるとして，スパッタ層のクロム含有量が１０重量％を超えた場合にお
ける耐マイグレーション性の向上効果が記載されているのであるから，甲１発明は，
クロム含有量が１０重量％を超えたスパッタ層を含むものである。したがって，甲
１公報にクロム含有量１０重量％を超えたスパッタ層が記載されていないとした審
決の認定には誤りがある。
イ 甲１公報には，スパッタ層のクロム含有量が「１０重量％を超えても耐マイ
グレーション性の向上効果はほぼ同一で，かえってパターン形成時の銅の足残りが
多くなる問題がある」として，
「銅の足残り」の問題を指摘する記載がある。しかし，
この問題は，主たる課題である耐マイグレーション性の向上に関するものではなく，
エッチング性に関する問題であり，この問題はエッチング液を調整することによっ
て容易に解決できるものであるから，耐マイグレーション性の向上という観点から
すれば，甲１発明はクロム含有量１０重量％を上限とするものではない。したがっ
て，甲１公報にクロム含有量１０重量％を超えたスパッタ層が記載されていないと
した審決の認定には誤りがある。
(2) 取消事由１－２（相違点Ａ３に係る容易想到性の判断の誤り）
ア 甲１公報には，耐マイグレーション性の向上効果のために，スパッタ層に１
０重量％を超えたクロム含有量を使用することが示唆されているから，甲１公報に
接した当業者がクロム含有量を耐マイグレーション性の向上効果がある１０重量％
を超えた範囲に設定することは，単なる設計事項である。これに対し，審決は，甲
１発明に基づき本件発明の進歩性を否定するためには，クロム含有量を１５％ない
し５０重量％にした場合における耐マイグレーション性が，クロム含有量が１０重
量％であるときのものよりも更に向上することを裏付ける証拠が必要であるとする。
しかし，甲１公報には「前記スパッタ層３のニッケル－クロム合金中のクロム含有
量が１０重量％を超えた値においてもマイグレーションを抑制すること」が阻害事
由なく記載されているのであるから，甲１発明から出発して，スパッタ層のクロム
含有量が１０重量％を超える構成を想到するための強い動機付けは不要である。そ
うすると，マイグレーションがバリア層（ニッケル）の溶出によるものであるとい
う技術常識を踏まえて，甲１発明に対し，クロム含有量を１８重量％とすることが
開示されている甲２発明を組み合わせて，バリア層の溶出によるマイグレーション
を抑制するために，クロム含有量１０重量％のスパッタ層を１５～５０重量％の範
囲内に設定することは，当業者が容易に想到することができる。
イ 甲３刊行物及び甲５刊行物によれば，平成１３年から平成１５年頃に製品の
端子間距離が変動し，急激にファインピッチ化が進んだことが認められるところ，
甲６刊行物及び甲２４刊行物には，電極金属からニッケルが溶出することによりマ
イグレーションが発生することが記載されているといえるから，ファインピッチ化
によるマイグレーションの発生を抑制するには，ニッケル－クロム電極金属からの
ニッケル溶出を抑制すれば良いことは自明の理であり，ニッケル溶出を抑制するに
はニッケル－クロム層のニッケル含有量を減らしクロム含有量を増やせば良いこと
は当然の理である。そうすると，甲１発明に接した当業者が，甲６刊行物及び甲２
４刊行物に示された技術常識を踏まえ，ニッケル－クロム合金中のクロム含有量を
増やしてニッケルの溶出を抑制することにより耐マイグレーション性を向上させる
ため，クロム含有量１０重量％のスパッタ層を１５～５０重量％の範囲内に設定す
ることは，当業者が容易に想到することができる。
(3) 取消事由２－１（甲２発明の認定及び相違点Ｂ４の認定の誤り）
甲２公報には，Ｎｉ－Ｃｒ合金層におけるＣｒ含有率が１８～９４重量％である
「
半導体装置」が開示されているものの，本件発明１と対比すべき主引用発明として
は，進歩性を否定する論理付けをするために最も適した発明を選択すべきである。
そうすると，甲２公報【００３２】において実施例として開示されている「Ｎｉ－
Ｃｒ合金層におけるＣｒ含有率が１８重量％である半導体装置」を選択し，これを
甲２発明として認定すべきである。したがって，本件発明１と甲２発明との相違点
Ｂ４は，「本件発明２は，『Ｎｉ－Ｃｒ合金層におけるＣｒ含有率が１８重量％であ
る』が，バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するものであるか否かが明
記されていない点」ということになる。
(4) 取消事由２－２（相違点Ｂ４に係る容易想到性の判断の誤り）
ア 甲１公報には，１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほ
「
ぼ同一」であると記載されているから，クロム含有率１０重量％を超えたバリア層
で構成される甲２発明がマイグレーションを抑制する効果を奏することにつき，当
業者は容易に予測することができる。
イ 甲２１刊行物には，ニッケル－クロム合金におけるクロム含有率を増加させ
ることによりニッケル溶出量を減少させることが記載されており，甲６刊行物及び
甲２４刊行物によれば，当業者は，ニッケル－クロム合金のスパッタ層を有する電
極のマイグレーションは陽極金属からのニッケル溶出で始まることが理解できるか
ら，クロム含有率１８重量％のバリア層で構成される甲２発明がマイグレーション
を抑制する効果があることを容易に予測することができる。
２ 被告の反論
(1) 取消事由１－１（甲１発明の認定及び相違点Ａ３の認定の誤り）
甲１公報【００１５】には，
「ニッケル－クロム合金中のクロム含有量は，３～１
０重量％であることが望ましい。クロム含有量が３重量％未満では耐マイグレーシ
ョン性の向上効果がなく，１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果
はほぼ同一で，かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる問題がある。 と記
」
載されており，また，実施例及び比較例においても，クロム含有量５重量％の場合
が実施されるにとどまり【表１】 ３重量％未満の場合及び１０重量％を超えた場合
，
について実施されておらず，実際にクロム含有量が１０重量％を超えた構成は開示
されていない。そうすると，甲１公報の記載から，
「バリア層におけるクロム含有率
が１０重量％を超えた値」とすることが，当業者に自明である又は記載されている
に等しいとは認められない。
(2) 取消事由１－２（相違点Ａ３に係る容易想到性の判断の誤り）
甲１発明は，ニッケル－クロム合金のクロム含有量について，３～１０重量％と
することにより，配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させること
なく，耐マイグレーション特性を著しく向上させることができることを目的とする
ものである。そして，甲１発明では，クロム含有量を「３～１０重量％」としたこ
とにより，耐マイグレーション性を著しく向上させているところ，甲１公報には，
クロム含有量は３～１０重量％が望ましく，１０重量％を超える範囲としても耐マ
イグレーション性の向上効果は３～１０重量％とほぼ同一であると記載されている
のであるから，甲１発明において，敢えてクロム含有量を１０重量％を超える範囲
とする動機付けが存在しない。のみならず，甲１公報では，クロム含有量が１０重
量％を超える範囲ではパターン形成時の銅の足残りが多くなる問題があり，配線回
路パターンのエッチング性が低下することを指摘していることから，クロム含有量
が１０重量％を超える範囲とすることは，甲１発明の上記目的に反することになる。
そうすると，甲１発明においてクロム含有量を１０重量％を超える範囲とする動機
付けがなく，かえって阻害要因があるから，進歩性を肯定した審決の判断に誤りは
ない。
(3) 取消事由２－１（甲２発明の認定及び相違点Ｂ４の認定の誤り）
甲２発明のクロム含有率について「１８～９４重量％」と認定したとしても，
「１
８重量％」と認定したとしても，別件審決取消訴訟で判断されたように，本件発明
１は甲２発明から予測できない効果が認められるのであるから，そもそも本件審決
の結論を左右するものではなく，原告の主張は失当である。
(4) 取消事由２－２（相違点Ｂ４に係る容易想到性の判断の誤り）
ア 甲１公報には，従来のメタライジング法で形成された半導体キャリア用フィ
「
ルムでは，端子間距離を小さくした場合又は端子間電圧を大きくした場合に，高温
高湿環境下で，端子間にマイグレーションが発生するという問題が生じ易かった」
という本件発明の課題が記載されておらず，しかも，甲１公報には，クロム含有量
が１０重量％を超える範囲としても，耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一
であると明記されている。したがって，当業者は，甲１公報から，ニッケル－クロ
ム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を１５～５０重量％とすることによ
ってマイグレーションの発生を抑制するという効果を予測することはできない。
イ 甲２１刊行物は，歯科鋳造用ニッケル－クロム系合金について３７℃のリン
ゲル液及び１％乳酸溶液に浸漬した場合のニッケル溶出量及びリンゲル液中におけ
る電気化学的腐食挙動を測定した結果が示されている。しかし，甲２１刊行物は，
そもそも半導体キャリア用フィルムと半導体素子とを備える半導体装置に関するも
のではなく，歯科鋳造用ニッケル－クロム系合金に関するものであり，甲２１刊行
物には，半導体キャリア用フィルムにおけるマイグレーションの発生防止方法に関
する記載はなく，また，ニッケル－クロム合金からなるバリア層におけるクロム含
有率を１５～５０重量％とすることにより，マイグレーションの発生を抑制するこ
とができることにつき，記載も示唆もない。したがって，ニッケル－クロム合金か
らなるバリア層におけるクロム含有率を１５～５０重量％とすることによってマイ
グレーションの発生を抑制するという効果につき，当業者が予測できないことは明
白である。
第４ 当裁判所の判断
当裁判所は，原告が主張する各取消事由はいずれも理由がないから，審決にはこ
れを取り消すべき違法はないものと判断する。その理由は，次のとおりである。
１ 取消事由１－１（甲１発明の認定及び相違点Ａ３の認定の誤り）
(1) 本件発明の要旨
本件明細書によれば，本件発明１の内容は，次のとおりであると認められる（甲
Ａ）。
ア 本件発明は，例えば液晶表示装置を駆動させる半導体チップや受動部品など
を搭載するための半導体キャリア用フィルムを用いた半導体装置に関するものであ
る（
【０００１】。近年，液晶ドライバを搭載するキャリアテープは多機能及び高性
）
能化が進む液晶ドライバの多出力に伴い，ファインピッチ化が急速に進んでおり，
現在，キャリアテープとしては，液晶ドライバを実装するＴＣＰ（Tape Carrier
Package）よりファインピッチ化が可能な半導体キャリア用フィルムであるＣＯＦ
（Chip On Film）が主流を占めつつある（【０００２】。
）
イ このＣＯＦを用いた半導体装置の一般的な組立方法（製造方法）は次のとお
りである。ポリイミドからなるベースフィルム上に銅からなる配線をエッチングに
てパターニングし，その配線の上にスズメッキを施すことによって形成された半導
体キャリア用フィルムに，突起電極を形成した半導体チップを熱圧着により接合す
る（この接合する工程をインナーリードボンディング（ＩＬＢ）という。 。ＩＬＢ
）
後に保護材としてのアンダーフィル樹脂を半導体チップと半導体キャリア用フィル
ムの間に充填した後，アンダーフィル樹脂を硬化させる。その後，ファイナルテス
トを行って，ＣＯＦを用いた半導体装置の組立てが完了する。このとき，ベースフ
ィルムとなる半導体キャリア用フィルムは主に下記のフィルム基材から作製される。
一つは，
（中略）キャスティング法である。もう一つは，ポリイミド基材の上にスパ
ッタ法で金属バリア層を形成し，銅メッキにて配線となる銅の膜（層）を形成する
メタライジング法がある。ファインピッチ化に対しては，配線となる銅の膜厚を薄
くすることが必要であり，薄い銅箔を制御することが困難なキャスティング法より
も，メッキ厚の制御のみで薄膜を形成する事が可能なメタライジング法が適してい
る。【０００３】及び【０００４】
（ ）
ウ メタライジング法によって形成された一般的な半導体キャリア用フィルムの
断面構造図を図８に示す。
メタライジング法では，ベースとなるポリイミド基材１１０の上にスパッタにて
クロム７重量％，ニッケル９３重量％の組成比を持つニッケル－クロム合金のバリ
ア層が５０～１００Å（５～１０ｎｍ）程度の厚みにて形成される。その後，１０
００～２０００Åのスパッタ銅をつけた後，電解又は無電解の銅メッキを行い配線
パターンとなる銅の配線層が厚さ８μｍ程度にて形成されるのが一般的である。次
に，フィルム基材に所望の配線パターンを形成するため，フォトレジストを銅の配
線層の上に塗布して硬化させ，所定のパターンにてマスクした後，露光・現像・銅
エッチング・フォトレジスト剥離を行う。これにより，図８に示されるように，所
定の幅を有するバリア層１０２及び銅の配線層１０３が形成される。フォトレジス
ト剥離後に，図示しないスズメッキ，若しくはスズメッキ及び金メッキが形成され
る。また，必要な部分の配線上にソルダーレジスト１１１が被覆されることによっ
て，フィルム半導体キャリア用フィルムが作製される。【０００５】
（ ）
エ しかしながら，上述のような従来のメタライジング法で形成された半導体キ
ャリア用フィルムでは，電位差の生じる配線（端子）間の距離を小さくし，ファイ
ンピッチ化した場合や，高出力によって端子間に生じる電位差が大きくなった場合
に，高温高湿環境下で電位差の生じた隣り合う端子間にマイグレーションが発生し
て，当該端子間の絶縁抵抗が劣化しやすかった。特に，配線に金メッキを施してい
る場合には，メッキ液としてシアン系の溶剤を使用しているため，微量に残る当該
溶剤のため，より顕著にマイグレーションが発生していた。これにより，更なるフ
ァインピッチ化や高出力化を図ることができないという問題があった。
オ ここで，マイグレーションの発生の機構（メカニズム）について検討したと
ころ，以下のような知見を得たので，図９を用いて説明する。図９は，従来例の半
導体キャリア用フィルムの断面図である。ポリイミドからなるベースフィルム１１
０の上にバリア層１０２及び銅の配線層１０３ａ，１０３ｂが形成されている。バ
リア層１０２及び配線層１０３ａ，１０３ｂの表面には，スズメッキ１０４が形成
され，さらに，その上層には金メッキ１０５が形成されている。ここで，バリア層
１０２は，クロム含有率が７重量％であり，ニッケル含有率が９３重量％であるニ
ッケル－クロム合金からなり，その厚みは７ｎｍである。また，配線層１０３ａと
配線層１０３ｂとの間には電位差が生じており，配線層１０３ａは正電位，配線層
１０３ｂは負電位若しくはＧＮＤ電位を帯びている。【０００６】ないし【０００
（
８】）
このような従来の半導体キャリア用フィルムが高温高湿のような環境下におかれ
ると，水分１０６が半導体キャリア用フィルム上に付着する。水分１０６は塩素等
の不純物を含んでおり，正電位を帯びた配線層１０３ａ側のバリア層１０２に存在
するポーラス部分から当該水分１０６が浸入する。これによりバリア層１０２の一
部が水分中にイオンとして溶出し，負電位若しくはＧＮＤ電位を帯びている配線層
１０３ｂに向けて移動する。当該バリア層溶出部分１０７を通じて配線となる銅が
腐食し，腐食部１０９が発生する。さらに，配線層１０３ａを形成している銅も，
負電位若しくはＧＮＤ電位を帯びた配線層１０３ｂに向けて溶出する。特に，金メ
ッキ１０５が施されるときに，通常シアン系の溶剤が使用されるが，洗浄しきれず
に残存している当該シアン系の溶剤により銅の腐食や，配線層１０３ａの成分であ
る銅及びバリア層１０２の成分の溶出が発生しやすくなっている。このようにして，
上記銅溶出部分１０８やバリア層溶出部分１０７によって，マイグレーションが発
生し，端子間の絶縁抵抗が劣化する。【０００９】
（ ）
カ 本件発明は，上記の問題点に鑑みてなされたものであり，その目的は，ファ
インピッチ化や高出力化に適用できるように，高温高湿環境下であっても，従来よ
りも端子間の絶縁抵抗が劣化しにくい半導体装置，液晶モジュールを提供すること
にある（【００１０】。本件発明の半導体キャリア用フィルムは，上記の課題を解決
）
するために，絶縁性を有するベースフィルムと，ベースフィルムの上に形成された
クロム合金からなるバリア層と，バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物から
なる配線層とを有する半導体キャリア用フィルムであって，前記バリア層における
クロム含有率が１５～５０重量％であることを特徴としている（【００１１】。
）
キ 以上のとおり，本件発明の半導体キャリア用フィルムは，絶縁性を有するベ
ースフィルムと，ベースフィルムの上に形成されたクロム合金からなるバリア層と，
バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなる配線層とを有する半導体キャ
リア用フィルムであって，前記バリア層におけるクロム含有率が１５～５０重量％
である構成である（【００２４】。そのため，バリア層の表面抵抗率・体積抵抗率が
）
向上するため，バリア層を流れる電流が小さくなり，配線層を形成する銅の腐食を
抑制することができ，また，バリア層の表面電位が標準電位に近くなるため，バリ
ア層を形成している成分の水分中への溶出を抑制することができ，端子間のマイグ
レーションの発生がなくなる（【００２５】。
）
したがって，ファインピッチ化や高出力化に適用でき，高温高湿環境下であって
も，従来よりも端子間の絶縁抵抗が劣化しにくい半導体装置を提供することができ
るといった効果を奏する（【００２６】。
）
(2) 甲１発明の要旨
甲１公報によれば，甲１発明の内容は，次のとおりであると認められる（甲１）。
ア ＬＳＩ等からなる半導体チップ（電子部品）の実装技術には，チップオンフ
ィルム（ＣＯＦ；Chip on Film）等があり，チップオンフィルム基板は，ベースフ
ィルムであるポリイミド系フィルム上にシード層を形成後，銅メッキして得られる
２層基材を用いる（【０００２】【０００３】。従来，銅メッキ法では，成形された
， ）
ポリイミドフィルム上の密着強化層（シード層）として金属のスパッタ層を形成し，
銅メッキ後，電解銅を厚付けメッキして銅を析出させ厚さ８μｍ程度の銅メッキ層
を形成し，２層基材を作成し，このスパッタ層は，金属としてニッケル単体が使用
されており，その厚さは３０～７０Åであったところ（【０００４】，このような回
）
路基板の電気特性を評価すると，短時間で配線回路パターン間に銅のマイグレーシ
ョンが生じるという問題があった（【０００６】。
）
イ 甲１発明は，半導体キャリア用フィルム及びその製造方法に関し，配線回路
パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく，耐マイグレーション
特性を著しく向上させた半導体キャリア用フィルム及びその製造方法を提供するた
めに，ベースフィルムであるポリイミド系フィルムと銅層との間に，一定厚のニッ
ケル－クロム合金のスパッタ層（シード層）を設けることによって，耐マイグレー
ション性を向上させ，上記問題を解決するものである（【０００１】【０００７】。
， ）
ウ 甲１発明の半導体キャリア用フィルムは，ポリイミド系フィルム１と銅層２
の間に，ニッケル－クロム合金のスパッタ層３と銅のスパッタ層４とが設けられて
いる 【００１２】。
（ ） ポリイミド系フィルム１の表面に設けられたニッケル－クロム
合金のスパッタ層３は，その厚さが７０～５００Å，好ましくは１００～５００Å，
さらに好ましくは１５０～４００Åである。ニッケル－クロム合金のスパッタ層３
の厚さが７０Å未満では，耐マイグレーション性が充分でなく，５００Åを超える
と回路基板に施される無電解スズメッキの異常析出が著しくなる 【００１４】。
（ ）ま
た，ニッケル－クロム合金中のクロム含有量は，３～１０重量％であることが望ま
しい。クロム含有量が３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく，
１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で，かえってパ
ターン形成時の銅の足残りが多くなる問題がある（【００１５】。
）
エ 以上のとおり，甲１発明の半導体キャリア用フィルムによれば，配線回路パ
ターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく，耐マイグレーション特
性を著しく向上させることができる（【００３４】。
）
(3) 甲１発明の認定及び相違点Ａ３の認定の誤りについて
前記認定事実(2)によれば，甲１発明は，半導体キャリア用フィルム及びその製造
方法につき，エッチング性等を低下させることなく耐マイグレーション性を向上さ
せることを課題とするところ，甲１公報【００１５】には，スパッタ層のニッケル
－クロム合金中のクロム含有量は３～１０重量％であることが望ましく，クロム含
有量が３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく，１０重量％を超
えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で，かえってパターン形成時の
銅の足残りが多くなる問題があると記載されている。そうすると，甲１発明におい
てスパッタ層のクロム含有量が１０重量％を超える場合には，銅の足残りが多くな
ることからエッチング性が低下して，甲１発明の上記課題に反する結果が生ずるも
のと認められる。
したがって，甲１発明をスパッタ層のニッケル－クロム合金中のクロム含有量が
「３～１０重量％であることが望ましいことを特徴とする半導体装置」であると認
定して，１０重量％を超えるものは開示されていないと判断した審決の認定に誤り
はないものと認められる。
これに対し，原告は，甲１公報にはスパッタ層の含有量が，
「１０重量％を超えて
も耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一」であるとして，クロム含有量が１
０重量％を超えた場合であっても耐マイグレーション性の向上効果を奏することが
記載されており，また，上記にいう「銅の足残り」の問題は，主たる課題である耐
マイグレーション性の向上に関するものではなくエッチング性に関する問題であっ
て，当該問題はエッチング条件を調整することによって容易に解決できるのである
から，甲１発明は，クロム含有率が１０重量％を超えたスパッタ層を含むものであ
るなどと主張する。しかしながら，上記のとおり，甲１発明の課題は，専ら耐マイ
グレーション性を向上させることにあるのではなく，甲１公報に具体的に開示され
たエッチング条件におけるエッチング性等を低下させることなく耐マイグレーショ
ン性を向上させることにあり，かえって，甲１公報にはスパッタ層のクロム含有率
が１０重量％を超える場合にはエッチング性を低下させる結果になると記載されて
おり，しかも，その場合にエッチング条件を調整することは記載も示唆もない。そ
うすると，甲１発明のエッチング性を低下させることなく耐マイグレーション性を
向上させるとの上記課題に照らせば，甲１公報にこの課題に反する構成まで開示さ
れていると認めるのは相当ではないから，甲１発明を「スパッタ層のニッケル－ク
ロム合金中のクロム含有量が３～１０重量％であることが望ましいことを特徴とす
る半導体装置」であるとした審決の認定には誤りはないというべきである。原告の
上記主張は，甲１発明の課題を正解せずに，上記課題と異なる前提に立って審決の
誤りをいうものであり，採用することはできない。
２ 取消事由１－２（相違点Ａ３に係る容易想到性の判断の誤り）
(1)ア 前記認定事実１(2)によれば，甲１発明は，半導体キャリア用フィルム及び
その製造方法につき，エッチング性等を低下させることなく耐マイグレーション性
を向上させることを課題とするものと認められる。そして，甲１公報【００１５】，
【００２６】【００３１】【００３２】には，櫛形電極の端子間距離が５０μｍ，
， ，
スパッタ層の厚みが７０Åから３００Åのものにおいて，スパッタ層のニッケル－
クロム合金中のクロム含有量は３～１０重量％であることが望ましく，クロム含有
量が３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく，１０重量％を超え
ても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一であって，かえってエッチングに
よるパターン形成時の銅の足残りが多くなるという問題があることが記載されてい
る。そうすると，甲１公報には，櫛形電極の端子間距離が５０μｍ，スパッタ層の
厚みが７０Åから３００Åのものについては，上記スパッタ層のクロム含有量が１
０重量％を超えた場合には，耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一であるの
みならず，かえって，エッチング性等を低下させることなくマイグレーション性を
向上させるという甲１公報自体の上記課題に反する結果が生ずることが記載されて
いると認められる。
したがって，甲１公報に接した当業者は，少なくとも上記のような端子間距離及
びスパッタ層の厚みの半導体キャリア用フィルムについて，甲１公報それ自体の課
題に反してまでスパッタ層のクロム含有量を１０重量％以上のものにしようとする
動機付けを認めることはできない。
イ もっとも，甲１公報が掲載された時点から本件発明の出願時までにはプリン
ト配線基板用の銅箔に係る製品のファインピッチ化が進展し，甲１発明の櫛形電極
の端子間距離が５０μｍピッチであるのに対し，端子間距離が３０μｍピッチであ
る製品が主流となっていたことから，本件発明の出願時には耐マイグレーション性
を更に向上させようとする課題が生じていたことが一応認められる（甲３及び甲５）。
しかしながら，原告が提出する甲２公報，甲３刊行物，甲５刊行物，甲６刊行物，
甲２１刊行物，甲２４刊行物及び甲４，甲７ないし２０，甲２２，甲２５ないし２
９の各刊行物をみても，ニッケル－クロム合金からなるバリア層（スパッタ層）の
クロム含有率を増加させることによりバリア層の溶出によるマイグレーションを抑
制するという解決手段を記載するものは認められない。
すなわち，甲６刊行物及び甲２４刊行物によれば，マイグレーションの原因が電
解質を介した二つの電極間に直流電圧が印可されることによって陽極から金属のイ
オンが溶出しこれが電界の作用により電解質中を陰極に向かって移行することによ
って生ずるものであると指摘されているものの，上記マイグレーションの抑制手段
としては，実務上幾つかの方策が考えられる中で，吸湿防止のための樹脂塗膜が有
効であるとして，櫛形銅電極に樹脂コーティングを施し，そのコーティングによる
影響の評価を行うものであって，バリア層のクロム含有率については具体的数値す
ら記載されず，単に狭ピッチにおいてはニッケル－クロム層等の界面処理にも注意
が必要である旨記載されるにとどまるものである。
また，甲２１刊行物によれば，ニッケル-クロム合金のクロム含有率を５．５wt％
から１０．８～２１．０wt％に増加させることによりニッケル溶出量が減少したな
どとして，ニッケル－クロム合金におけるクロム含有率を増加させることによりニ
ッケル溶出量が減少した旨記載されている。しかしながら，上記にいうニッケル－
クロム合金は，歯科用合金であって，プリント配線基板用の銅箔において支持基盤
と銅層との間に設けられたニッケル－クロム合金とは，技術分野を異にするもので
あるから，甲２１刊行物に接した半導体分野の当業者がプリント配線基板用の銅箔
に甲２１刊行物の記載事項を適用することを想到するということはできない。のみ
ならず，甲６刊行物及び甲２４刊行物にいうマイグレーションは，電界の作用によ
り生ずるものであるのに対し，甲２１刊行物にいうニッケルの溶出は口腔内で生ず
るものであるから，当該溶出は上記にいうマイグレーションの原因となるものでは
なく，結局のところ，甲２１刊行物にはそもそも甲１公報にいうマイグレーション
が記載されていないものと認められる。
さらに，原告が提出するそのほかの前記各刊行物によっても，ニッケル－クロム
合金からなるバリア層のクロム含有率を増加させることによりバリア層の溶出によ
るマイグレーションを抑制するという解決手段を記載するものは認められない。
そうすると，本件発明の出願時までにはプリント配線基板用の銅箔に係る製品の
ファインピッチ化が進展し，耐マイグレーション性を更に向上させようとする課題
が生じていたとしても，当該課題を解決するために，甲１発明に接した当業者がマ
イグレーションを抑制するためにニッケル－クロム合金からなるバリア層のクロム
含有率を増加させるという解決手段を容易に想到するということはできない。
ウ 以上によれば，甲１公報と原告が主張する前記各刊行物に接した当業者は，
甲１公報記載の端子間距離，スパッタ層の厚さのものについて，エッチング性を低
下させることなく耐マイグレーション性を向上させるという甲１発明の課題に反し
てまで，バリア層のクロム含有率を増加させることを想到するに至る動機付けはな
く，また，端子間距離のファインピッチ化がより進んだものについても，バリア層
のニッケル－クロム合金のクロム含有率を増加させることによりバリア層の溶出に
よるマイグレーションを抑制するとの解決手段を記載する適切な公知刊行物がない
ことからすれば，上記解決手段を容易に想到するものということはできない。
(2)ア 原告は，甲１公報には１０重量％を超えたクロム含有量を有するバリア層
（スパッタ層）も耐マイグレーション性を向上させる効果がある旨示唆されている
から，甲１公報に接した当業者において，バリア層のクロム含有量を耐マイグレー
ション性の向上効果がある１０重量％を超えた範囲に設定することは，単なる設計
事項である旨主張する。
しかしながら，上記(1)のとおり，甲１公報には，スパッタ層のクロム含有量が１
０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一であると記載され
ているのみならず，かえってエッチングによるパターン形成時の銅の足残りが多く
なるという問題が記載されているのであるから，甲１公報に接した当業者において
上記課題に反してまでバリア層のクロム含有量を１０重量％を超える範囲にするま
での動機付けが生ずるものとは認められない。
イ また，原告は，平成１３年から平成１５年頃にプリント配線基板用の銅箔に
係る製品の端子間距離が変動し急激にファインピッチ化が進んでいたことを前提と
して（甲３及び甲５），甲６刊行物及び甲２４刊行物には，電極金属からニッケルが
溶出することによりマイグレーションが発生することが記載されているから，甲１
発明に対し，クロム含有率を１８重量％とするバリア層が開示されている甲２発明
を組み合わせて，バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するために，当業
者がクロム含有率１０重量％のバリア層を１５～５０重量％の範囲内に設定するこ
とを容易に想到することができるなどと主張する。
しかしながら，上記アのとおり，甲１発明に接した当業者において甲１発明自体
の課題に反してまでクロム含有率を１０重量％を超える範囲にする動機付けが生ず
るものとはいえない上，甲２発明は，従来技術のクロム単体の中間層につき，支持
基盤と銅層との密着強度を維持しつつ１種類のエッチング溶液で配線パターンを形
成するためにクロム含有率を低下させるものであって，耐マイグレーション性につ
いての記載が一切ないのであるから，耐マイグレーション性を向上させるという課
題を解決するために，甲１発明に接した当業者において耐マイグレーション性に関
する解決手段が一切記載されていない甲２発明を組み合わせようとする動機付けが
生ずるものとは認められない。また，甲６刊行物及び甲２４刊行物によれば，マイ
グレーションの原因が電解質を介した二つの電極間に直流電圧が印可されることに
よって陽極から金属のイオンが溶出しこれが電界の作用により電解質中を陰極に向
かって移行することによって生ずるものであると指摘されているものの，上記マイ
グレーションの抑制手段としては，実務上幾つかの方策が考えられる中で，吸湿防
止のための樹脂塗膜が有効であるとして，櫛形銅電極に樹脂コーティングを施し，
そのコーティングによる影響の評価を行うものであって，バリア層のクロム含有率
については具体的数値すら記載されず，単に狭ピッチにおいてはニッケル－クロム
層等の界面処理にも注意が必要である旨記載されるにとどまるものであり，耐マイ
グレーション性を向上させるために，バリア層のニッケル－クロム合金のクロム含
有量を増加させるとの記載はないのであるから，甲１発明に甲２発明の構成を組み
合わせようとする動機付けがあると認めることもできない。
(3) 以上によれば，原告の上記各主張はいずれも理由がなく，相違点Ａ３に係る
容易想到性についての審決の判断には誤りはない。
３ 取消事由２－１（甲２発明の認定及び相違点Ｂ４の認定の誤り）
(1) 甲２発明の要旨について
甲２公報によれば，甲２発明の内容は，次のとおりであると認められる。
ア 甲２発明は，プリント配線基板用の銅箔につき，配線パターンを形成するた
めのエッチング処理を容易に行うことができ，支持基板に対して優れた密着性を有
するプリント配線基板用の銅箔に関するものである 【０００１】 。
（ ） 機器の小型化に
伴い，配線パターンのファイン化に対応するため，従来の貼り合せ銅箔の代わりに，
より薄膜化が可能なスパッタ法とメッキ法を組み合わせて支持基板上に成膜した銅
箔が，主流の位置を占めつつある（【０００３】【０００４】。また，支持基板と銅
）
層との密着性（密着強度１０００ｇ／ｃｍ）を維持するために，通常，支持基板と
銅層との間に中間層としてクロム層を設けていた（【０００５】。
）
イ その構成の１例（【図４】）は，ポリイミド等の支持基板ａ上に，厚さ２００
Å程度のクロム層ｂがスパッタ法で形成され，厚さ２０００Å程度の下地銅層ｃが
スパッタ法で形成され，メッキ浴中で電解メッキ法により厚さ２０μｍ前後のメッ
キ銅層ｄが形成されているものである。銅層ｃ，ｄを所望の配線パターンに形成す
るために，銅層ｃ，ｄ上にレジスト材の塗布と，露光処理と，エッチング溶液中で
のエッチング処理と，洗浄処理を行って，当該銅層ｃ，ｄをプリント配線基板用の
配線膜として使用する。エッチング処理を施す場合は，最初に塩化第２鉄液で銅層
ｃ，ｄのエッチング処理を行い，続いて塩化第２鉄と塩酸の混合液でクロム層ｂの
エッチング処理を行う（【０００８】ないし【００１０】。
）
【図４】
ウ 銅層ｃ，ｄは，塩化第２鉄系のエッチング溶液で容易に配線パターンを形成
することができるが，クロムは耐食性に優れているから，銅層と同じエッチング溶
液ではパターンを形成することができず，塩化第２鉄と塩酸との混合液で行うよう
にしているので，１種類のエッチング溶液で銅箔とクロム層のエッチング処理を連
続的に行えず，エッチング処理が２工程となる。しかも，クロム層へのエッチング
処理は，短時間で行わなければならないから，エッチング処理は複雑となるばかり
ではなく，全体のエッチング処理が長時間となるため，クロム層ｂへのエッチング
処理時に既にエッチングされている銅層ｃ，ｄの側壁にオーバーエッチングが進行
して，配線パターンに欠陥部が生じて断線に至るという問題がある。また，支持基
板と銅層との密着性を確保するために，中間層としてクロム層を介在させることが
必要不可欠なことから，製品の歩留まりの低下と，コストアップの原因となってい
た（【００１１】ないし【００１３】。
）
エ 甲２発明は，このような問題点を解消し，１種類のエッチング溶液で配線パ
ターンを形成することができ，中間層としてクロム層を介在させた場合と同等の密
着強度を有するプリント配線基板用の銅箔を提供することを目的とする。甲２発明
は，支持基板と銅層との中間層としてクロム層の代わりにクロムにニッケルを添加
したニッケル－クロム合金層を用いることにより，１種類のエッチング溶液で銅層
とニッケル－クロム合金層を連続してエッチング処理することができ，従来のクロ
ム層を中間層とした場合と同等の密着性を有するとの知見に基づいてなされたもの
であり，プリント配線基板用の銅箔において，支持基板と銅層との間に中間層とし
てニッケルが５at％～８０at％のニッケル－クロム合金層を設けたことを特徴とす
る。【００１４】ないし【００１６】
（ ）
オ 具体的には，図２から明らかなように，ニッケル－クロム合金層中のニッケ
ルが１at％～８０at％の範囲で，ニッケルを全く含まないクロム層のみの場合と同
等の密着強度が得られることが確認された。また，図３から明らかなように，ニッ
ケル－クロム合金層中のニッケルが４at％の場合，ニッケルを全く含まないクロム
層の場合は，エッチング処理時に
【図２】
に
中間層であるクロム層またはニッケルが４at％のニッケル－クロム合金層がエッチ
ングされることなくそのまま残渣として残存するが，ニッケルが５at％，８０at％
のニッケル－クロム合金層はエッチング時に，その上に形成されている銅層と一緒
に除去されて配線パターンが確実に形成出来ることが確認された（【００３２】。
）
【図３】
カ 以上のとおり，甲２発明は，１種類のエッチング溶液で配線パターンを形成
することができ，中間層としてクロム層を介在させた場合と同等の密着強度を有す
るプリント配線基板用の銅箔を提供することを目的とするものであって（【００１
４】，支持基板と銅層との間に，中間層として，従来のクロム層の代わりに，ニッ
）
ケルが５ａｔ％～８０ａｔ％のニッケル－クロム合金層を設けるものである。これ
により，支持基板と銅層との密着強度は１０００ｇ／ｃｍと高く，従来のクロム層
を中間層とした場合と同等の密着性を有し，また，１種類のエッチング溶液で銅層
とニッケル－クロム合金層を連続してエッチング処理することができるため，配線
パターンを形成する際，工程の簡略化，製品の歩留まりアップ，コスト削減に寄与
することができるという効果を奏するものである（【００１５】【００３４】。
）
(2) 甲２発明の認定及び相違点Ｂ４の認定について
原告は，本件発明１と対比すべき主引用発明としては，甲２発明を「Ｎｉ－Ｃｒ
合金層におけるクロム含有率が１８重量％である半導体装置」と認定すべきである
のに，Ｎｉ－Ｃｒ合金層におけるＣｒ含有率が１８～９４重量％である半導体装置」
「
であるとした審決の認定には誤りがあると主張する。
上記(1)によれば，甲２発明は，支持基盤と銅層との密着強度を維持しつつ１種類
のエッチング溶液で配線パターンを形成するために，ニッケル－クロム合金層のク
ロム含有率を１８～９４重量％とすることを特徴とするものであり，実施例におい
ても，クロム含有率を１８重量％とするもののほかに，７８重量％とするもの又は
９４重量％とするものも具体的に開示されているのであるから，甲２発明を「Ｎｉ
－Ｃｒ合金層におけるＣｒ含有率が１８～９４重量％である半導体装置」とした審
決の認定が直ちに誤りとなるわけではない。
しかし，甲２公報には，クロム含有率が１８重量％とするものが実施例として記
載されているのであるから，本件発明１と対比すべきものとしては，クロム含有率
が１８重量％の実施例だけで十分である。
したがって，甲２発明の実施例におけるクロム含有率が１８重量％との構成は，
本件発明１の「前記バリア層におけるクロム含有率を１５～５０重量％とする」と
の構成との一致点であり，本件発明１においては，これが「前記バリア層の溶出に
よるマイグレーションを抑制する」ものであるのに対し，甲２発明は，クロム含有
率が１８重量％であることが
「バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」
ものであるか否か特定されていない点が相違点Ｂ４と認定されるべきである。
次にこの相違点Ｂ４の容易想到性について判断する。
４ 取消事由２－２（相違点Ｂ４に係る容易想到性の判断の誤り）
(1) 原告は，甲１公報には，クロム含有率１０重量％を超えるバリア層がマイグ
レーションを抑制する効果を奏することが記載されているから，甲２発明のクロム
含有率１８重量％のバリア層にマイグレーションの抑制効果があることは，当業者
が容易に予測することができる旨主張する。
そこで検討するに，前記１(1)によれば，本件発明１は，従来技術のニッケル単独
のバリア層につき，クロム含有率を増加させることによって端子間のマイグレーシ
ョンを抑制するものであるのに対し，前記３(1)によれば，甲２発明は，従来技術の
クロム単体の中間層につき，支持基盤と銅層との密着強度を維持しつつ１種類のエ
ッチング溶液で配線パターンを形成するためにクロム含有率を低下させるものであ
る。そうすると，本件発明１と甲２発明は，同じくバリア層又は中間層のクロム含
有率を調整するものではあるが，その課題及び効果を全く異にするものである。そ
うすると，甲２発明に接した当業者はもとより本件発明の課題を認識することはな
く，甲２発明からは，中間層が端子間のマイグレーションを抑制するという本件発
明の効果を奏することも認識することはできない。
そして，甲１発明を検討するに，前記１(2)によれば，甲１公報の【００１５】，
【００２６】【００３１】【００３２】には，櫛形電極の端子間距離が５０μｍ，
， ，
スパッタ層の厚みが７０Åから３００Åのものにおいて，スパッタ層のニッケル－
クロム合金中のクロム含有量は３～１０重量％であることが望ましく，１０重量％
を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一であると記載されているこ
とからすれば，確かに，甲１公報に接した当業者においてクロム含有量が１０重量％
を超えた場合に一定の耐マイグレーション性の向上効果があると認識することがで
きる。しかしながら，甲１公報には，上記向上効果があるとされるマイグレーショ
ンの原因につき電界，湿度，温度，材質，不純物その他の多種多様なものが想定し
得る中で（甲６） 当該原因がバリア層の溶出によるものであることが記載も示唆も
，
されていないのであるから，甲１公報に接した当業者がクロム含有率を上げること
によって，バリア層の溶出を原因とするマイグレーションを抑制することができる
ものと予測することはできない。
そうすると，甲１公報には，ニッケル－クロム合金のバリア層におけるクロム含
有率を調整することによりバリア層溶出によるマイグレーションの発生を抑制する
ことが記載又は示唆されていないから，これと異なる前提に立つ原告の主張は，採
用することができない。
(2) また，原告は，甲２１刊行物にはニッケル－クロム合金におけるクロム含有
率を増加させることによりニッケル溶出量を減少させることが記載されるとともに，
甲６刊行物及び甲２４刊行物によれば当業者においてニッケル－クロム合金のスパ
ッタ層を有する電極のマイグレーションは陽極金属からのニッケル溶出で始まるこ
とが理解できるから，甲２発明のクロム含有率１８重量％のバリア層にマイグレー
ションの抑制効果があることは，当業者が予測することができる旨主張する。
そこで検討するに，甲２１刊行物には，ニッケル-クロム合金のクロム含有量を５．
５wt％から１０．８～２１．０wt％に増加させることによりニッケル溶出量が減少
したなどとして，ニッケル－クロム合金におけるクロム含有率を増加させることに
よりニッケル溶出量が減少した旨記載されているものの（甲２１） 上記にいうニッ
，
ケル－クロム合金は，歯科用合金であって，プリント配線基板用の銅箔において支
持基盤と同層との間に設けられたニッケル－クロム合金とは，技術分野を異にする
ものである。しかも，甲６刊行物及び甲２４刊行物によれば，マイグレーションの
原因は，電解質を介した二つの電極間に直流電圧が印可されることによって陽極か
ら金属のイオンが溶出しこれが電界の作用により電解質中を陰極に向かって移行す
ることによって生ずるものであると一応理解できるところ（甲６，甲２４），当該溶
出に係る機序と，甲２１刊行物にいう口腔内で生ずる溶出の機序は全く異なるもの
であり，甲２１刊行物には上記にいうマイグレーションは記載されていないものと
認められる。そうすると，甲２１刊行物にいう溶出の事実は，上記にいうマイグレ
ーションが生ずる機序とは異なるものであるから，上記溶出の事実から出発してマ
イグレーションの抑制という課題を解決することはできない。そもそも上記のとお
りマイグレーションの原因を説明した甲６刊行物及び甲２４刊行物においてすら，
その解決手段として樹脂コーティングを施すものとするにとどまり，クロム含有率
に着目するものではないのであるから，上記原因が一応説明し得たとしても，その
原因を生じさせる要因としては，電界，湿度，温度，材質，不純物その他多種多様
なものが想定される以上（甲６） 上記原因の解明が直ちにクロム含有率に着目する
，
という着想に想到し得ないことは明らかである。
(3) 以上によれば，甲１公報，甲２１刊行物その他原告主張に係る各刊行物には，
ニッケル－クロム合金のバリア層におけるクロム含有率を調整することによりバリ
ア層溶出によるマイグレーションの発生を抑制することを記載又は示唆するもので
はないから，甲２発明に接した当業者においてクロム含有率１８重量％のバリア層
にバリア層溶出によるマイグレーション効果を奏することを予測し得なかったとい
うべきである。原告の主張の実質は，結局のところ，別件審決取消訴訟において排
斥された甲２発明を主引用例として進歩性を否定する主張を蒸し返すものであり，
採用することができない。
第５ 結論
以上のとおり，原告が主張する各取消事由はいずれも理由がなく，原告の本訴請
求は理由がないから，これを棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第１部
裁判長裁判官 設 樂 一
裁判官 中 島 基 至
裁判官 岡 田 慎 吾