平成27(ワ)11185特許権侵害差止等請求事件

平成２９年１月３１日判決言渡 同日原本交付 裁判所書記官
平成２７年（ワ）第１１１８５号 特許権侵害差止等請求事件
口頭弁論終結日 平成２８年１１月２２日
判 決
原 告 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
原 告 日鉄住金マイクロメタル株式会社
上記両名訴訟代理人弁護士 川 合 弘 造
島 田 ま ど か
宍 戸 充
濱 野 敏 彦
新 村 綾 子
同 補 佐 人 弁 理 士 香 島 拓 也
林 博 樹
被 告 田 中 電 子 工 業 株 式 会 社
同訴訟代理人弁護士 末 吉 亙
高 橋 元 弘
佐 藤 安 紘
田 路 至 弘
青 木 晋 治
工 藤 良 平
-1 -
同 補 佐 人 弁 理 士 入 交 孝 雄
主 文
原告らの請求をいずれも棄却する。
訴訟費用は原告らの負担とする。
事 実 及 び 理 由
第１ 請求
１ 被告は，別紙被告製品目録記載の各製品（以下「被告製品」と総称する。）
を製造し，使用し，譲渡し，貸し渡し，輸出し，輸入し，又は譲渡若しくは貸
渡しの申出（譲渡又は貸渡しのための展示を含む。）をしてはならない。
２ 被告は，被告製品を廃棄せよ。
３ 被告は，原告らに対し，５億５０００万円及びこれに対する平成２７年５月
１４日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２ 事案の概要
本件は，原告らが被告に対し，被告による被告製品の製造等が原告らの特許
権を侵害すると主張して，特許法１００条１項に基づき被告製品の製造等の差
止めを，同条２項に基づき被告製品の廃棄を，民法７０９条及び特許法１０２
条２項に基づき損害賠償金５億５０００万円（一部請求）及びこれに対する不
法行為の後である平成２７年５月１４日（訴状送達の日の翌日）から支払済み
まで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
１ 前提となる事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の証拠及び弁論の全
趣旨により容易に認められる事実）
当事者
ア 原告新日鉄住金マテリアルズ株式会社（以下「原告マテリアルズ社」と
いう。）は，半導体用原料等及び電子部品用材料等の製造並びに販売等を
業とする株式会社である。原告日鉄住金マイクロメタル株式会社は，半導
体用結線，接続材料等の電子工業用金属製品の製造，加工及び販売等を業
-2 -
とする株式会社である。
イ 被告は，電子工業用金属の精密加工，鍍金加工等を業とする株式会社で
ある。
原告らの特許権
ア 原告マテリアルズ社は次の 及び の特許権の特許権者であり，原告ら
は の特許権を共有している（以下，これらの特許権を順に「本件特許権
１」などという。また，その特許を順に「本件特許１」などと，それぞれ
の特許出願の願書に添付された明細書及び図面を順に「本件明細書１」な
どという。 。
）
本件特許権１
発明の名称 半導体用ボンディングワイヤ
特許番号 第４８６８６９４号
出 願 日 平成１３年９月１８日（特願２００２－５２７５６
５号）
登 録 日 平成２３年１１月２５日
優先日① 平成１２年９月１８日
優先日② 平成１２年１２月１９日
優先日③ 平成１３年４月１７日
本件特許権２
発明の名称 半導体装置用ボンディングワイヤ
特許番号 第４６７２３７３号
出 願 日 平成１７年１月５日（特願２００５－６３８号）
登 録 日 平成２３年１月２８日
本件特許権３
発明の名称 半導体用ボンディングワイヤ
特許番号 第４８８６８９９号
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出 願 日 平成２２年２月１２日（特願２０１０－５２５１５
４号）
登 録 日 平成２３年１２月１６日
優 先 日 平成２１年３月１７日
イ 本件特許権１の特許請求の範囲請求項１の記載は次のとおりであり（以
下，この発明を「本件発明１」という。 ，下記の構成要件（以下，それ
）
ぞれを「構成要件１Ａ」などという。）に分説される。
「 導電性を有する第１の金属としてＰｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅから選ばれ
る１種または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線と，前記芯
線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属として，Ｐｔ，Ｐ
ｄから選ばれる１種または該第２の金属を主成分とする合金からなる外
周部，さらにその芯線と外周部の間に，前記第１の金属と前記第２の金
属の少なくとも一方を３％以上の濃度で含有する厚さ０．０５～２μｍ
の拡散層を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤ。」
記
１Ａ：導電性を有する第１の金属としてＰｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅから選
ばれる１種または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線
と，
１Ｂ：前記芯線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属とし
て，Ｐｔ，Ｐｄから選ばれる１種または該第２の金属を主成分と
する合金からなる外周部，
１Ｃ：さらにその芯線と外周部の間に，前記第１の金属と前記第２の金
属の少なくとも一方を３％以上の濃度で含有する厚さ０．０５～
２μｍの拡散層を有する
１Ｄ：ことを特徴とする半導体用ボンディングワイヤ
ウ 本件特許権２の特許請求の範囲請求項１の記載は次のとおりであり（以
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下，この発明を「本件発明２」という。 ，下記の構成要件（以下，それ
）
ぞれを「構成要件２Ａ」などという。）に分説される。
「 銅を主成分とする芯材と，該芯材の上に芯材と異なる組成の導電性金
属の表皮層を有するボンディングワイヤであって，前記表皮層の主成分
が，金，パラジウム，白金，ロジウム，銀又はニッケルから選ばれる２
種以上の主要金属（以下「表皮主要金属」という。）であり，前記表皮
層の表面に接する側に第１の表皮主要金属と第２の表皮主要金属とが濃
度勾配を形成する第１の濃度勾配領域を有し，第１の濃度勾配領域にお
いて深さ方向に第１の表皮主要金属は濃度が減少するとともに第２の表
皮主要金属は濃度が増加し，表皮層の表面は第１の表皮主要金属を含有
するとともに第２の表皮主要金属を１２ｍｏｌ％以上含有し，前記表皮
層の芯材側に第２の表皮主要金属と芯材成分とが濃度勾配を形成する第
２の濃度勾配領域を有し，第２の濃度勾配領域において深さ方向に第２
の表皮主要金属は濃度が減少するとともに芯材成分は濃度が増加し，表
皮層と芯材との境界は第２の表皮主要金属の濃度が１０ｍｏｌ％となる
位置であり，前記第１の濃度勾配領域と第２の濃度勾配領域との間につ
いては，単一金属領域を有し該単一金属領域の主成分は第２の表皮主要
金属であるか，第３の濃度勾配領域を形成するか，又は第１の濃度勾配
領域と第２の濃度勾配領域が接しているかのいずれかであり，前記第３
の濃度勾配領域においては前記第１の表皮主要金属と第２の表皮主要金
属と芯材成分を含有し，深さ方向に第１の表皮主要金属は濃度が減少す
るとともに芯材成分は濃度が増加していることを特徴とする半導体装置
用ボンディングワイヤ。」
記
２Ａ：銅を主成分とする芯材と，該芯材の上に芯材と異なる組成の導電
性金属の表皮層を有するボンディングワイヤであって，
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２Ｂ：前記表皮層の主成分が，金，パラジウム，白金，ロジウム，銀又
はニッケルから選ばれる２種以上の主要金属（以下「表皮主要金
属」という。）であり，
２Ｃ：前記表皮層の表面に接する側に第１の表皮主要金属と第２の表皮
主要金属とが濃度勾配を形成する第１の濃度勾配領域を有し，第
１の濃度勾配領域において深さ方向に第１の表皮主要金属は濃度
が減少するとともに第２の表皮主要金属は濃度が増加し，表皮層
の表面は第１の表皮主要金属を含有するとともに第２の表皮主要
金属を１２ｍｏｌ％以上含有し，
２Ｄ：前記表皮層の芯材側に第２の表皮主要金属と芯材成分とが濃度勾
配を形成する第２の濃度勾配領域を有し，第２の濃度勾配領域に
おいて深さ方向に第２の表皮主要金属は濃度が減少するとともに
芯材成分は濃度が増加し，表皮層と芯材との境界は第２の表皮主
要金属の濃度が１０ｍｏｌ％となる位置であり，
２Ｅ：前記第１の濃度勾配領域と第２の濃度勾配領域との間については，
（２Ｅ－１）単一金属領域を有し該単一金属領域の主成分は第２
の表皮主要金属であるか，
（２Ｅ－２）第３の濃度勾配領域を形成するか，
（２Ｅ－３）又は第１の濃度勾配領域と第２の濃度勾配領域が接
しているかのいずれかであり，
前記第３の濃度勾配領域においては前記第１の表皮主要金属と第
２の表皮主要金属と芯材成分を含有し，深さ方向に第１の表皮主
要金属は濃度が減少するとともに芯材成分は濃度が増加している
２Ｆ：ことを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ
エ 本件特許権３の特許請求の範囲請求項１の記載は次のとおりであり（以
下，この発明を「本件発明３①」という。 ，下記の構成要件（以下，そ
）
-6 -
れぞれを「構成要件３Ａ」などという。）に分説される。
「 Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの１種以上の元素を９８ｍｏｌ％以上含有する芯材
と，前記芯材の上に，残部が前記芯材を構成する元素からなり，Ｐｄの
検出濃度が５０ｍｏｌ％以上の部位から表面の領域であるＰｄ外層から
なる外層と，
または，
Ｃｕを９８ｍｏｌ％以上含有する芯材と，前記芯材の上に，残部が前
記芯材を構成する元素からなり，Ｐｄの検出濃度が５０ｍｏｌ％以上の
部位から表面の領域であるＰｄ外層と当該Ｐｄ外層の表面側に設けられ
たＡｇ，Ａｕのうち１種以上の濃化層とからなる外層と
を有する半導体用ボンディングワイヤであって，
前記ワイヤ全体に含まれる総計の水素濃度が０．０００１～０．００
７８ｍａｓｓ％の範囲であり，
前記水素濃度の内，１００～３００℃／ｈの昇温速度で測定される昇
温脱離ガス分析において，１５０～５００℃の温度範囲で検出される水
素濃度の全測定温度範囲で検出される総計の水素濃度に対する比率が５
０％以上である
ことを特徴とする半導体用ボンディングワイヤ。」
記
３Ａ－１：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの１種以上の元素を９８ｍｏｌ％以上含有
する芯材と，前記芯材の上に，残部が前記芯材を構成する元
素からなり，Ｐｄの検出濃度が５０ｍｏｌ％以上の部位から
表面の領域であるＰｄ外層からなる外層と，
３Ａ－２：または，Ｃｕを９８ｍｏｌ％以上含有する芯材と，前記芯材
の上に，残部が前記芯材を構成する元素からなり，Ｐｄの検
出濃度が５０ｍｏｌ％以上の部位から表面の領域であるＰｄ
-7 -
外層と当該Ｐｄ外層の表面側に設けられたＡｇ，Ａｕのうち
１種以上の濃化層とからなる外層と
３Ｂ：を有する半導体用ボンディングワイヤであって，
３Ｃ：前記ワイヤ全体に含まれる総計の水素濃度が０．０００１～０．
００７８ｍａｓｓ％の範囲であり，
３Ｄ：前記水素濃度の内，１００～３００℃／ｈの昇温速度で測定され
る昇温脱離ガス分析において，１５０～５００℃の温度範囲で検
出される水素濃度の全測定温度範囲で検出される総計の水素濃度
に対する比率が５０％以上である
３Ｅ：ことを特徴とする半導体用ボンディングワイヤ
オ 本件特許権３の特許請求の範囲請求項２，３及び１９の記載は次のとお
りである（以下，これらの発明を順に「本件発明３②」 「本件発明３
，
③」 「本件発明３⑲」という。なお，本件発明３③及び⑲として原告ら
，
が主張するのは請求項１を引用するものである。 。
）
本件発明３②
「 前記水素濃度が０．０００１～０．００４ｍａｓｓ％の範囲である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体用ボンディングワイヤ。」
本件発明３③
「 前記水素濃度が，昇温脱離ガス分析（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒ
ｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｒｔｒｙ：ＴＤＳ）により測定した前
記ボンディングワイヤに含まれる水素濃度であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の半導体用ボンディングワイヤ。」
本件発明３⑲
「 ボンディングワイヤ中の，Ｐｄ濃度に対するＡｇ，Ａｕを総計した
濃度の比率が０．００１～０．４の範囲であることを特徴とする請求
項１又は１３に記載の半導体用ボンディングワイヤ。」
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被告の行為
ア 被告は，被告製品の少なくとも一部を国内で製造している。
イ 別紙被告製品目録記載１ 及び の製品（以下，順に「被告製品１ 」
などという。）は，芯線（芯材）をＣｕ（銅）とし，外周部（表皮層，外
層）にＰｄ（パラジウム）及びＡｕ（金）を含有する半導体（装置）用ボ
ンディングワイヤである。
オージェ分析（甲３５～３９，５３，乙１）
オージェ分析（オージェ電子分光法）とは，電子線を試料に照射し，試料
表面から発生する電子（オージェ電子）を検出することにより，試料表面の
元素の種類及び量を同定する手法である。オージェ分析により試料の深さ方
向の組成を分析する方法として，ライン分析（試料の断面を露出させ，その
断面を線状に微小電子ビームで走査すること），スパッタリング（高速イオ
ンの照射により試料表面の原子をはぎ取るスパッタリングと，露出面のオー
ジェ分析を繰り返すこと）等がある。
原告らによる被告製品の分析
原告らは，外部機関（後記ア，エ）又は関連会社（後記イ，ウ）に依頼し
て，被告製品につき以下の分析を行った。
ア 線径１８μｍ，２０μｍ，２３μｍ及び２５μｍの被告製品について，
スパッタリングを併用するオージェ分析により，最表面及び表面から２０
０ｎｍとされる深さまでの成分の分析を行った（甲１４～１７。以下，そ
の報告書を「本件オージェ分析報告書」と総称し，これら報告書中のデプ
スプロファイル（電子濃度換算表示）を「オージェ図」という。 。
）
イ 線径１８μｍ及び２０μｍの被告製品について，昇温脱離ガス分析（以
下「ＴＤＳ分析」という。）によるガス成分の種類等の調査を行った（甲
２５～２７。以下，その報告書を「本件ガス分析報告書」と総称する。 。
）
ウ 線径１８μｍの被告製品について，オージェ分析による表面被覆成分の
-9 -
面分布調査を行った（甲６９。以下，その報告書を「本件表面オージェ分
析報告書」という。 。
）
エ 線径１８μｍの被告製品について，表面の凹凸形状及び粗さに関する解
析を行った（甲７８。以下，その報告書を「本件表面粗さ報告書」とい
う。 。
）
２ 争点
被告製品１ の本件発明１の技術的範囲への属否（構成要件１Ｃ「厚さ０．
０５～２μｍの拡散層」の充足性。なお，被告はこれ以外の構成要件の充足
性を争わない。）
被告製品１ の本件発明２の技術的範囲への属否（原告マテリアルズ社は
構成要件２Ｅ－２及び２Ｅ－３の充足性を主張しない。また，被告は後記ア
～ウ以外の構成要件の充足性を争わない。）
ア 構成要件２Ｃ「表皮層の表面に接する側に・・・第１の濃度勾配領域を
有し」の充足性
イ 構成要件２Ｄ「第２の濃度勾配領域」の充足性
ウ 構成要件２Ｅ－１「第１の濃度勾配領域と第２の濃度勾配領域の間に・
・・単一金属領域を有し」の充足性
被告製品１ （被告製品１ のうち線径が１７～２１μｍのもの。原告ら
は同線径のものについてのみ本件特許権３の侵害を主張する。）の本件発明
３①の技術的範囲への属否（原告らは構成要件３Ａ－１の充足性を主張しな
い。また，被告は後記ア及びイ以外の構成要件の充足性を争わない。なお，
被告製品１ が後記ア又はイの構成要件を充足しないとすれば，被告製品１
は本件発明３②，③及び⑲の技術的範囲にも属しないこととなる。）
ア 構成要件３Ａ－２「濃化層」の充足性
イ 構成要件３Ｃ「総計の水素濃度が０．０００１～０．００７８ｍａｓｓ
％の範囲」の充足性
別紙被告製品目録記載２の被告製品（以下「被告製品２」という。）の本
件各特許権の侵害の成否
本件特許１の無効理由の有無（本件特許権１の行使の可否。特許法１０４
条の３第１項）
ア 特開昭６２－９７３６０号公報（以下「乙５公報」という。）に記載さ
れた発明（以下「乙５発明」という。）に基づく進歩性の欠如（特許法２
９条２項）
イ サポート要件（同法３６条６項１号）及び実施可能要件（平成１４年法
律第２４号による改正前の特許法３６条４項）の違反
本件特許２の無効理由の有無（本件特許権２の行使の可否）
ア ＷＯ０２／２３６１８号公報（以下「乙９公報」という。）に記載され
た発明（以下「乙９発明」という。）に基づく新規性及び進歩性の欠如
（特許法２９条１項３号及び２項）
イ サポート要件及び実施可能要件（同法３６条４項１号）の違反
本件特許３の無効理由の有無（本件特許権３の行使の可否）
ア 特開２００６－１９０７６３号公報（以下「乙１４公報」という。）に
記載された発明（以下「乙１４発明」という。）等に基づく進歩性の欠如
イ サポート要件及び実施可能要件（同法３６条４項１号）の違反
原告らの損害額
３ 争点に関する当事者の主張
争点 （構成要件１Ｃ「厚さ０．０５～２μｍの拡散層」の充足性）につ
いて
（原告マテリアルズ社の主張）
ア 本件オージェ分析報告書によれば，被告製品１ には，Ｃｕを主成分と
する芯線と，Ｐｄからなる外周部の間に，芯線から外周部に向けてＣｕの
濃度が減少するとともにＰｄの濃度が増加している拡散層が存在し，その
厚さは０．０６３～０．１３４μｍであって，全て０．０５～２μｍの範
囲に含まれている。
イ オージェ分析は表面近傍の深さ方向の濃度勾配の分析をする上で一般的
かつ確立した方法である。オージェ分析に一定の誤差が存在するとしても，
本件オージェ分析報告書のオージェ図における分解能を考慮すると，被告
製品１ には実際に濃度勾配が存在し，拡散層が存在する。また，被告製
品の表面や界面の凹凸は，オージェ図における拡散層の幅に比べると極め
て小さく，複数回行った分析結果によるばらつきも小さいため，表面粗さ
に起因して見掛け上の濃度勾配が形成されているということもない。
ウ 本件明細書１の記載（段落【００５２】等）は，測定方法の具体例を説
明した記載にすぎず，本件発明１の構成要件の解釈に直接影響を及ぼすも
のではない。本件明細書１ではライン分析を行っているのに対し，本件オ
ージェ分析報告書ではスパッタリングを用いて深さ方向分析を行っている
が，スパッタリングによる方法の方が精度が高い。
また，同報告書ではＳｉＯ ２ 換算値を用いているが，多くの特許出願や
分析機関ではスパッタリングを併用したオージェ分析においてＳｉＯ ２ 換
算値を利用しているのであり，これを用いることは技術常識である。
エ 金属を密着させた状態で熱処理を加えると拡散が生じるところ，被告製
品は，被告の主張によれば，Ｃｕの芯材にＰｄを被覆し，更にＰｄ表面に
Ａｕの被覆をした後，ひずみ取り熱処理工程を経て製品とするものである
から，拡散層が存在する。
（被告の主張）
ア オージェ分析では，拡散層がない場合でも，装置や測定方法，試料に起
因する理由によって見掛け上の濃度変化が生じる。そのため，本件オージ
ェ分析報告書のオージェ図では拡散層の存在を立証したことにならないし，
拡散層が存在するといえるような濃度変化が「０．０５～２μｍ」の数値
範囲に収まるような結果を確認することはできない。
イ 被告製品１ は，その製造過程でひずみ取り熱処理以外の熱処理は行っ
ておらず，構成要件１Ｃに規定する拡散層は生じていない。
争点 ア（構成要件２Ｃ「表皮層の表面に接する側に・・・第１の濃度勾
配領域を有し」の充足性）について
（原告マテリアルズ社の主張）
ア 本件オージェ分析報告書によれば，被告製品１ は，その表面と表面か
ら数ｎｍの深さとの間でＡｕとＰｄとが濃度勾配を形成しており，表面か
ら深さ方向に向けてＡｕ（第１の表皮主要金属）の濃度が減少するととも
にＰｄ（第２の表皮主要金属）の濃度が増加している。したがって，被告
製品１ は，前記 の構成要件１Ｃを充足するのと同様の理由により，構
成要件２Ｃを充足する。
イ 被告は，被告製品１ の最表面にＰｄが露出している旨主張するが，被
告が保有する特許権の特許公報（甲４４）では，伸線加工によってはＡｕ
がはげないことが明確に記載されている。そして，本件オージェ分析報告
書では，１０個の被告製品１ について，それぞれ３か所でオージェ分析
を行った結果，その全てでＡｕが検出されたのであるから，被告製品１
の最表面にＡｕが存在することは明らかである。本件表面オージェ分析報
告書の画像上は黒く見える部分も若干存在するが，同報告書のオージェス
ペクトル及び本件オージェ分析報告書の全ての箇所でＡｕが検出されてい
ることも考慮すれば，当該部分にも少量のＡｕは存在している。万一，仮
に被告製品１ の表面にＡｕの存在しない微小な部分が存在するとしても，
Ａｕの存在する部分をもって「金の層」をなしていれば構成要件２Ｃを充
足することに変わりがない。
なお，被告の関連会社による発表資料（甲５５）には，被告製品の最表
面に「薄い金層」が存在し，それを有するために被告製品には様々な品質
上の利点があると記載されている。
（被告の主張）
ア 本件発明１の関係で主張したとおり，オージェ分析では，実際には濃度
が変化していないのに見掛け上濃度が変化しているように観察されること
があるから，本件オージェ分析報告書は被告製品１ に濃度勾配領域があ
ることを示すものではない。
イ 「表皮層」とは，少なくとも，第１の濃度勾配領域が全周にわたって形
成されているものをいう。
被告製品１ は，伸線時のダイス摩耗防止のために伸線加工前には必要
最低限のＡｕが被覆されているが，伸線加工によって最表面のＡｕがはが
れ縞状にしか存在しなくなり，その結果としてＰｄが最表面に露出し，Ａ
ｕは全周にわたっては存在しないことになる。したがって，原告らの主張
のようにＡｕが第１の表皮主要金属に，Ｐｄが第２の表皮主要金属に該当
し，これらの金属が第１の濃度勾配領域を形成していたとしても，この濃
度勾配領域が全周にわたって形成されていないため，「表皮層」が存在し
ない。
争点 イ（構成要件２Ｄ「第２の濃度勾配領域」の充足性）について
（原告マテリアルズ社の主張）
本件オージェ分析報告書によれば，被告製品１ は，芯材側にＰｄ（第２
の表皮主要金属）とＣｕ（芯材成分）とが濃度勾配領域を形成しており，当
該領域においては，深さ方向に向かってＰｄの濃度が減少するとともにＣｕ
の濃度が増加している。したがって，被告製品１ は構成要件２Ｄを充足す
る。
（被告の主張）
上記報告書のオージェ図が被告製品１ に濃度勾配領域が存在しているこ
とを示すものではない点は，前記 アにおいて主張したとおりである。
争点 ウ（構成要件２Ｅ－１「第１の濃度勾配領域と第２の濃度勾配領域
の間に・・・単一金属領域を有し」の充足性）について
（原告マテリアルズ社の主張）
本件オージェ分析報告書によれば，ＡｕとＰｄとの濃度勾配領域（第１の
濃度勾配領域），ＰｄとＣｕの濃度勾配領域（第２の濃度勾配領域）との間
に，Ｐｄ（第２の表皮主要金属）を主成分とする単一金属領域が存在する。
したがって，被告製品１ は構成要件２Ｅ－１を充足する。
（被告の主張）
被告製品１ に第１の濃度勾配領域及び第２の濃度勾配領域が存在しない
ことは前記 及び で述べたとおりであり，被告製品１ は構成要件２Ｅ－
１を充足しない。
争点 ア（構成要件３Ａ－２「濃化層」の充足性）について
（原告らの主張）
ア 本件オージェ分析報告書によれば，被告製品１ の芯材はＣｕを９８ｍ
ｏｌ％以上含有し，芯材の表面側にはＰｄが５０ｍｏｌ％以上の部位から
表面の領域であるＰｄ外層が存在し，当該Ｐｄ外層の表面側にＡｕの濃化
層（Ａｕの濃度が近傍に比較して高くなっている部分）が存在し，当該Ｐ
ｄ外層は，Ｐｄ及びＡｕに加えて，芯材を構成するＣｕからなっている。
したがって，被告製品１ は構成要件３Ａ－２の「濃化層」を充足する。
イ 被告製品１ の最表面にＡｕ層が存在することは，被告製品１ の関係
で原告マテリアルズ社が主張したとおりである。
（被告の主張）
ア オージェ分析では，実際には濃度が変化していないのに見掛け上連続的
に濃度が変化しているように観察されることがあることは，本件発明１及
び２の関係で主張したとおりであり，被告製品１ にＡｕの濃化層がある
とはいえない。
イ 「Ａｇ，Ａｕのうち１種以上の濃化層」とは，Ａｇ（銀）又はＡｕの濃
化した箇所が全周にわたって形成されているものをいうところ，被告製品
１ について述べたとおり，被告製品１ はＰｄが最表面に露出しており，
全 にわたってＡｕが存在するものではないから，構成要件３Ａ－２を充
足しない。
争点 イ（構成要件３Ｃ「総計の水素濃度が０．０００１～０．００７８
ｍａｓｓ％の範囲」の充足性）について
（原告らの主張）
本件ガス分析報告書によれば，被告製品１ のＴＤＳ分析による総計水素
濃度は０．０００１６０～０．０００１９６ｍａｓｓ％又は０．０００１４
２～０．０００１９８ｍａｓｓ％である。したがって，被告製品１ は構成
要件３Ｃを充足し，さらに，本件発明３②の構成要件Ｆも充足する。なお，
被告による水素濃度の測定は，ＴＤＳ分析ではなく，融解熱伝導法によるも
のであり，不適切である。
（被告の主張）
被告製品１ の見掛け上の水素濃度が０．０００１ｍａｓｓ％以上となる
のは，水分や潤滑剤といった表面に付着した水素に起因するものである。Ａ
ｕ被覆までの工程で検出される被告製品１ の水素濃度は０．０００１ｍａ
ｓｓ％であり，この後の工程ではボンディングワイヤ内部に水素は含有され
得ないから，被告製品１ の内部に含まれる水素濃度が０．０００１ｍａｓ
ｓ％以下であることは明らかである。
争点 （被告製品２の本件各特許権侵害の成否）について
（原告らの主張）
前記 ～ で述べたところによれば，被告製品２も本件の各発明の技術的
範囲に属する。仮に本件の各発明の技術的範囲に属さないとしても，被告製
品２は被告製品１ 及び の半製品であり，伸線の後に被告製品１ 等とし
て販売されるものであるから，被告製品１ 等の「生産にのみ用いる物」に
当たる。したがって，被告製品２の生産については本件各特許権の間接侵害
（特許法１０１条１項）が成立する。
（被告の主張）
被告製品２はひずみ取り熱処理を行わない半製品であり，本件の各発明の
技術的範囲に属しない。また，被告は被告製品２を海外に輸出するものであ
るから，間接侵害は成立しない。
争点 （本件特許１の無効理由の有無）について
ア 乙５発明に基づく進歩性の欠如
（被告の主張）
本件特許１の優先日前に頒布されていた乙５公報には，Ｃｕからなる芯
線とＰｄからなる外周部を有するボンディングワイヤに関する発明が開示
されている。乙５発明は本件発明１のような拡散層を有するか不明な点で
本件発明１と相違するが，拡散層を形成することにより芯材と被覆層との
密着性を高めることは周知技術（乙６～８）であって，拡散層厚を最適化
することは当業者にとって容易であるから，本件発明１は進歩性を欠く。
（原告マテリアルズ社の主張）
乙５公報その他被告引用の文献に開示された発明の解決課題は本件発明
１とは根本的に異なり，本件発明１の課題解決手段の開示も示唆もない。
イ サポート要件及び実施可能要件の違反
（被告の主張）
本件明細書１には，拡散層の厚さが０．０５μｍ以上であれば十分な効
果が得られる旨の記載があるが，実施例は２μｍと０．５μｍのものしか
存在しない。また，中間層の断面２次モーメントに関する記載内容にも不
明な点が多い。したがって，本件発明１はサポート要件及び実施可能要件
に違反する。
（原告マテリアルズ社の主張）
本件明細書１の実施例の記載によれば，サポート要件を満たしており，
当業者が実施可能な程度に明確かつ十分な記載があるから，実施可能要件
も満たしている。
争点 （本件特許２の無効理由の有無）について
ア 乙９発明に基づく新規性及び進歩性の欠如
（被告の主張）
本件特許２の出願日前に頒布されていた乙９公報には，第１及び第２の
濃度勾配領域を有する複層ボンディングワイヤに関する発明が開示されて
いるところ，乙９発明と本件発明２との相違点は技術的意義がない部分に
関するものであり，実質的な相違点といえないから，本件発明２は新規性
及び進歩性を欠く。
（原告マテリアルズ社の主張）
乙９発明と本件発明２とはワイヤの構成が異なる。また，両発明の相違
点に係る本件発明２の構成は，樹脂封止時のワイヤ変形を低減させるとい
う技術的意義を有するものである。
イ サポート要件及び実施可能要件の違反
（被告の主張）
本件発明２は，第１の濃度勾配領域の厚さ等を規定しておらず，「第２
の表皮主要金属を１２ｍｏｌ％以上含有」することについては，実施例に
おいても技術的意義が何ら記載されていないから，サポート要件及び実施
可能要件を充足しない。
（原告マテリアルズ社の主張）
「第２の表皮主要金属を１２ｍｏｌ％以上含有」する場合の実施例は，
本件発明２の課題を解決するものとなっている。また，表皮層の表面に
「第２の表皮主要金属を１２ｍｏｌ％以上含有」させることは当業者に容
易であり，第１の濃度勾配領域の厚さも適宜設定することができる程度の
事柄である。したがって，本件発明２はサポート要件及び実施可能要件を
満たしている。
争点 （本件特許３の無効理由の有無）について
ア 乙１４発明に基づく進歩性の欠如
（被告の主張）
本件特許３の優先日前に頒布されていた乙１４公報には，Ｃｕからなる
芯材の上にＰｄ外層と当該Ｐｄ外層の表面側に設けられたＡｕ濃化層を有
するボンディングワイヤに関する発明が開示されているところ，乙１４発
明と本件発明３①，②及び③は水素濃度やその測定方法に関する限定の有
無が相違する。また，本件発明３⑲は，水素濃度やその比率が不明である
点で乙９発明と相違する。しかし，水素の吸収によって金属材料が脆化す
る現象は周知の技術的課題であり，水素濃度の範囲やボンディングワイヤ
全体に含まれる総計の水素濃度，水素濃度の測定方法はいずれも周知技術
を前提として当業者が適宜なしうる設計事項である。したがって，本件発
明３①，②，③及び⑲は進歩性を欠く。
（原告らの主張）
本件発明３①，②，③及び⑲は，Ｐｄで被覆された複層ワイヤにおいて
水素濃度が需要な因子であることを見いだしたものである。被告が主張す
る周知技術はボンディングワイヤに関するものではないか，又はボンディ
ングワイヤのうち単層ワイヤに関するものであるから，本件発明３①，②，
③及び⑲の課題を解決するものではない。水素濃度の測定方法も，周知技
術に基づく設計事項とはいえない。
イ サポート要件及び実施可能要件の違反
（被告の主張）
本件明細書３の実施例等を見ても，水素濃度の上限値や下限値，水素濃
度の範囲，Ｐｄ濃度に対するＡｇ，Ａｕを総計した濃度の比率に関する作
用効果が明らかではないため，本件発明３①，②，③及び⑲は，サポート
要件及び実施可能要件を満たさない。
（原告らの主張）
本件明細書３には水素濃度の上限値や下限値，水素濃度の範囲，Ｐｄ濃
度に対するＡｇ，Ａｕを総計した濃度の比率についての記載があり，当業
者はこれらの記載に基づいて上記の各値を調整することができるから，本
件発明３①，②，③及び⑲はサポート要件及び実施可能要件を満たす。
争点 （原告らの損害額）について
（原告らの主張）
ア 平成２４年４月２３日から平成２７年４月２２日までの被告製品の売上
げは合計８８億２２３９万７１３１円を下らず，被告製品の利益率は１１
％を下らないから，被告は同期間において９億７０４６万３６８４円の利
益を得ており，原告らは同額の損害を被った（特許法１０２条２項）。よ
って，原告らは被告に対し，本件各特許権の侵害に係る損害金としてその
一部である５億円の支払を求める。
イ 本件訴訟と因果関係のある弁護士費用の額は，５０００万円を下らない。
（被告の主張）
争う。
第３ 当裁判所の判断
１ 争点 （構成要件１Ｃ「厚さ０．０５～２μｍの拡散層」の充足性）につい
て
原告マテリアルズ社は，本件オージェ分析報告書のオージェ図によれば被
告製品１ には芯線と外周部の間にＣｕとＰｄを共に含有する厚さ０．０６
３～０．１３４μｍの拡散層が存在しているから，構成要件１Ｃの「厚さ０．
０５～２μｍの拡散層」（以下「本件拡散層」という。）を充足する旨主張
するので，以下，検討する。
本件発明１の特許請求の範囲の記載によれば，本件拡散層は，芯線と外周
部の間に存在するものとされ，所定の濃度及び厚さを有することが規定され
ているが，その意義及び測定方法に関する記載はない。
本件明細書１（甲８）の発明の詳細な説明の欄には，拡散層に関して以下
の趣旨の記載がある。
ア 本件発明１は，半導体素子上の電極と外部リードを接合するために使用
される半導体ボンディングワイヤに関する。ボンディングワイヤを高強度
化する手段の一つとして，芯線と外周部が異なる金属からなる２層ボンデ
ィングワイヤが提案されていた。（発明の属する技術分野，段落【０００
１】。従来の技術，段落【０００９】）
イ 従来の２層ボンディングワイヤにおいては，量産する上で製造技術，品
質管理等が非常に困難であり，芯線と外周部の密着性が低下するなど，多
くの問題が残されていた。芯線と外周部が異なる金属を主成分とする場合，
異種材が単に接触しているだけであったので，界面での密着性に関する不
具合が多く認められた。本件発明１は，高強度で高曲げ剛性であり，高い
接合性を有し，工業的な量産性等にも優れた半導体素子用ボンディングワ
イヤを提供することを目的とする。（発明が解決しようとする課題，段落
【００１２】～【００１４】 【００２１】
， ）
ウ 上記目的を達成するための本件発明１の要旨は，特許請求の範囲に記載
のとおりである。（課題を解決するための手段，段落【００２２】）
エ 拡散層とは，芯線と外周部を構成する原子が互いに反対方向に移動する
相互拡散を起こすことにより，これら元素が混合された領域であり，それ
らの元素が固溶された状態をしている。（発明の実施の形態，段落【００
２５】，図１（ａ））
オ 拡散層の測定にはＥＰＭＡ，ＥＤＸ，オージェ分光分析法，透過型電子
顕微鏡等を利用することができ，ワイヤの断面研磨において芯線と外周部
の界面を挟んでのライン分析を行うことにより，拡散層の厚さ，組成等を
知ることができる。その測定方法について具体例で説明すると，実際に拡
散層を観察する一つの手法としてライン分析を行うことが有効であり，こ
の分析結果における拡散層の境界付近の濃度プロファイルは，濃度が不連
続に変化する場合と連続的に変化する場合に分けられる。オージェ分光法
によるワイヤ断面のライン分析は，ワイヤの長手方向と垂直に断面研磨し
た試料を用い，芯線と外周部の界面に形成された拡散層を横切るように，
分析ラインに沿って分析を行う。オージェ分光分析を用いた理由は，微小
領域の分析に適しており，拡散層が薄い試料の分析等に有効であるためで
ある。比較として，拡散層が形成されていないワイヤの測定結果をみると，
界面近傍で濃度の連続的な変化が生じているが，これは見掛け上濃度が変
化したように観察される現象であり，現在の分析の手法，精度等の関係上，
こうした連続的な濃度変化が観察されるのを避けることは困難である。一
方，拡散層を形成したワイヤの分析結果からは，拡散層をワイヤ断面の分
析における濃度変化として検出できるので，拡散層を識別することが十分
可能となる。分析の精度を向上したいときは，ライン分析の分析間隔を狭
くすること，点分析を行うことが有効であり，また，ワイヤを斜め研磨し，
拡散層の厚さを拡大させて測定することも可能である。（同，段落【００
４９】～【００５４】，図２及び３の各（ａ）及び（ｂ））
カ 拡散層を形成するためには，界面での拡散を促進する拡散熱処理が必要
である。単純にワイヤを加熱すれば必要な拡散層が形成されるわけでなく，
目指す拡散層の形成などを意識した熱処理の条件の適正化が重要となる。
通常のワイヤ製造工程では加工ひずみとり焼鈍，伸びを出すための焼鈍等
が施される場合が多いが，これらの焼鈍のみでは本件発明１の拡散層を適
正に形成させ，それに伴う特性を発現させることは困難である。（同，段
落【００５５】 【００６２】
， ）
キ 本件発明１の実施例を示す表１に記載の拡散層の厚さ，濃度等は，ワイ
ヤを断面研磨し，芯線と外周部の界面に形成された拡散層をオージェ分光
装置又はＥＰＭＡ装置で測定した結果である。（実施例，段落【００９
７】 【０１０３】 【０１０７】
， ， ）
特許請求の範囲及び本件明細書１の上記各記載によれば，被告製品１ が
本件発明１のボンディングワイヤに当たるというためには，芯線と外周部の
間に本件拡散層，すなわち，芯線のＣｕと外周部のＰｄが相互拡散により混
合された領域であり，少なくとも一方を３％以上の濃度で含有し，厚さを０．
０５～２μｍとする層が存在すると認められることを要する。
本件オージェ分析報告書のオージェ図に，被告製品１ の芯線と外周部の
間に０．０６３～０．１３４μｍの厚さでＣｕ及びＰｄをそれぞれ３％以上
含有する領域が存在する旨示されていることは原告マテリアルズ社の主張す
るとおりであるが（甲１４～１７，２８参照），一方，後掲各証拠及び弁論
の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。
ア オージェ分析による試料表面から深さ方向の分析（甲３５～３９，５３，
乙１，２４）
オージェ分析そのものにより得られる情報は試料の極めて浅い部分に
関するものに限られるので，深さ方向の分析のためには試料の内部を露
出させる必要がある。そのための方法に，試料を切断又は研磨して断面
を露出させること，スパッタリングを併用することなどがある。
ライン分析は，断面を露出させ，その断面を微小電子ビームで線状に
走査して分析し，深さ方向の組成を求める方法であり，分解能が高いと
はいえないが，厚みの絶対値を得られるという利点がある。
スパッタリングは深さ方向の分析をする場合に広く用いられ，深さは
スパッタリングに要した時間から置き換えて示される。スパッタリング
速度はイオンビームの条件，試料の組成，構造等によって異なることか
ら，深さをより正確に表示するためには，表面に酸化膜のついたシリコ
ンウエハー（ＳｉＯ ２ ）等の厚さ既知の標準試料を使用し，所定のイオ
ンビーム条件でのスパッタリング速度を決定した上で，元素ごとのスパ
ッタリング速度のデータを用いて補正するなどの手法が採用される。
スパッタリングを併用する場合の深さ分解能は，アトミックミキシン
グ（イオン照射により表面原子が内部へ叩き入れられ，試料原子が混合
されること），スパッタリングによる表面粗さの成長等のスパッタリン
グに起因する要因や，オージェ電子の脱出深さ，試料の表面粗さ等の分
析法及び試料に起因する要因により影響される。そのため，ある層とこ
れに接する層が急峻な界面を有するようにして接している場合でも，前
者の層の成分割合が徐々に減少し，後者の層の成分割合が徐々に増加す
るような分析結果が示されることがある。
イ 本件オージェ分析報告書における深さ方向の分析（甲１４～１７）
本件オージェ分析報告書における被告製品の深さ方向の分析は，測定条
件（電子線加速）を５ｋＶ，測定領域をワイヤの長手方向２０μｍ×円周
方向１μｍ，スパッタレートを約５ｎｍ／分（ＳｉＯ ２ 換算，２ｋＶ。た
だし，装置状況や試料状況により変動する可能性があり，この値は目安で
ある。）として，１０本の被告製品１ につき各３か所行われた。その結
果を示すオージェ図によれば，計３０か所の測定領域の全てにおいて，表
面から深さ方向へＰｄの濃度が減少するとともにＣｕの濃度が増加し，そ
のいずれか一方を３％以上含有する領域が存在しており，その厚さは０．
０６３～０．１３４μｍの範囲内にあるとされている。
ウ 被告製品の表面粗さ（甲７８，乙４７）
本件表面粗さ報告書によれば，線径１８μｍの被告製品の表面５か所の
測定範囲２μｍ×２μｍ，測定点数５１２×５１２における算術平均粗さ
は２．４１～３．４９ｎｍであった。また，同報告書中のＡＦＭ像によれ
ば，最大高さは少なくとも２５ｎｍ程度あるとみられる。
上記認定事実によれば，被告製品１ の芯線と外周部の間にＣｕ及びＰｄ
の双方が存在する領域が存在することがうかがわれる。しかし，スパッタリ
ングを併用するオージェ分析による深さ方向の分析結果が試料の表面粗さ等
の各種要因により影響を受けることからすれば，芯線と外周部の間にＣｕ及
びＰｄが共に存在する領域が存在せず，又はその領域の厚さが０．０５μｍ
未満の場合にも，そのような領域が０．０５μｍ以上存在するとの分析結果
が示されるというのである。
また，本件オージェ分析報告書の測定結果は表面から所定の深さにおける
測定領域内全体の元素の存在割合を示すと解されるところ，ＣｕとＰｄが共
に存在する領域が存在しなくても，測定領域内の箇所ごとのワイヤ表面から
界面までの距離に０．０５μｍ以上の差があるとすれば，測定領域内全体を
みた場合にはこの差に相当する厚さの範囲でＣｕとＰｄが共に存在するとの
分析結果が示されることになる。そして，本件オージェ分析報告書における
測定領域がワイヤの長手方向では２０μｍの長さに及ぶことに照らすと，上
記のような差が存在することは十分に考えられる。
これに加え，本件オージェ分析報告書のオージェ図に示されたＰｄ及びＣ
ｕの双方を含有する領域の厚さは，試料がＳｉＯ２ であると仮定した場合に
１分後に分析される深さが試料の表面から約５ｎｍであるとみて，スパッタ
リングに要した時間を距離に換算したものであり（乙３６参照），Ｃｕ及び
Ｐｄという組成の相違を勘案した場合にいかなる数値になるかを示す証拠は
ない。
したがって，上記オージェ図から，被告製品１ の芯線と外周部の間にＣ
ｕとＰｄが共に存在する領域が存在するとも，上記領域の厚さが０．０６３
～０．１３４μｍの範囲内にあるとも認めることはできない。
以上によれば，被告製品１ に本件拡散層が存在すると認めるに足りる証
拠はないから，被告製品１ が本件発明１の技術的範囲に属するとは認めら
れないと判断するのが相当である。
これに対し，原告マテリアルズ社は，①オージェ分析に誤差が存在すると
しても，被告製品１ の表面粗さ等に照らせば，本件オージェ分析報告書の
オージェ図をもって見掛け上の濃度勾配ということはできない，②深さ方向
の分析にスパッタリングを併用すること及びＳｉＯ ２換算値を利用すること
は技術常識である，③被告製品１ にはその製造過程で加えられたひずみ取
り熱処理により拡散層が生じている旨主張する。
そこで判断するに，上記①について，本件オージェ分析報告書のオージェ
図をもって被告製品１ に本件拡散層が存在すると認めることができないこ
とは上記説示のとおりである。
上記②について，証拠（甲８４～９１。なお，枝番の記載は省略する。）
及び弁論の全趣旨によれば，本件発明１の属する技術分野においては，スパ
ッタリングを併用したオージェ分析により深さ方向の分析をすること及びこ
の場合に深さをＳｉＯ ２換算値で示すことが一般的に行われていると認めら
れる。そして，例えば，本件特許３においては，請求項４等に外層等の厚さ
がμｍ単位で規定されている一方，本件明細書３（甲１２）には，実施例に
つき，オージェ分析による深さ分析ではスパッタリングをしながら測定を行
い，深さの単位はＳｉＯ２ 換算で表示した旨の記載があるので（段落【０１
１９】 ，特許請求の範囲に記載の厚さもＳｉＯ２ 換算で示されていると解す
）
る余地がある（特許法７０条２項参照）。しかし，本件特許１においては，
本件明細書１には専らライン分析による方法が記載されており，ＳｉＯ ２ 換
算に関する記載又は示唆は見当たらないのであるから，本件特許３と同列に
論じることはできない。
上記③について，証拠（甲４３，乙４，１０）及び弁論の全趣旨によれば，
二つの異なる金属を互いの表面が接するようにして加熱した場合には，各金
属の原子が互いに他方に移動して拡散が生じること，被告製品１ の製造工
程は，芯材であるＣｕにＰｄ及びＡｕを順に被覆して伸線した後にひずみ取
り熱処理を行うものであることが認められる。そうすると，被告製品１ の
芯線と外周部の間に拡散層が存在する可能性があるということができるが，
前記 カの本件明細書１の記載によれば，ひずみ取り熱処理をするだけでは
本件拡散層が形成されるというに足りない。
したがって，原告マテリアルズ社の上記主張はいずれも採用することがで
きない。
２ 争点 ア（構成要件２Ｃ「表皮層の表面に接する側に・・・第１の濃度勾配
領域を有し」の充足性）について
本件発明２の特許請求の範囲の記載によれば，「第１の濃度勾配領域」と
は，表皮層の表面に接する側に存在し，第１の表皮主要金属と第２の表皮主
要金属が濃度勾配を形成する領域であり，この領域においては第１の表皮主
要金属の濃度が減少するとともに第２の表皮主要金属の濃度が増加するとさ
れている。原告マテリアルズ社は，本件オージェ分析報告書のオージェ図を
根拠に，被告製品１ はＡｕ（第１の表皮主要金属）の濃度が減少するとと
もにＰｄ（第２の表皮主要金属）の濃度が増加する第１の濃度勾配領域を有
する旨主張するものである。
そこで判断するに，上記オージェ図に，被告製品１ の表面から０．０７
０～０．１４４μｍの深さにかけてＡｕの濃度が減少するとともにＰｄの濃
度が増加する領域の存在が示されていることは原告マテリアルズ社の主張す
るとおりである（甲１４～１７，５２参照）。しかし，前記１に判示したと
おり，スパッタリングを伴うオージェ分析の結果は各種要因に影響され，急
峻な界面を有する場合でも成分割合が徐々に変化するような分析結果が現れ
得ること，本件オージェ分析報告書の測定結果は表面から所定の深さにおけ
る測定領域内全体の元素の存在割合を示すにとどまることに鑑みれば，上記
オージェ図をもって直ちに濃度勾配の存在を認めるに足りないと解すべきで
ある。
これに加え，特許請求の範囲の記載によれば，本件発明２のボンディング
ワイヤは芯材の上に表皮層を有するものであるところ（構成要件２Ａ），
「層」とは一般に「重なること。重なり」を意味する用語であるから，表皮
層は円周状をなす芯材の表面全体に重ねられたものであり，表皮層のワイヤ
の表面に接する側に形成される第１の濃度勾配領域もワイヤの全周にわたっ
て存在するものと解される。また，表皮層の表面は，第１の表皮主要金属を
含有するとともに第２の表皮主要金属を１２ｍｏｌ％以上含有するとされて
いる（構成要件２Ｃの後半部分）。さらに，本件明細書２（甲１０）の発明
の詳細な説明の欄をみても，表皮層ないし第１の濃度勾配領域がワイヤ表面
の一部に形成されていれば足りる旨の記載ないし示唆は見当たらない。
そうすると，被告製品１ にＡｕを第１の表皮主要金属，Ｐｄを第２の表
皮主要金属とする第１の濃度勾配領域が存在するというためには，ワイヤ表
面の全周にわたってＡｕがＰｄと共に含有されていると認められることを要
する。
そこで，被告製品１ の表面の組成について検討すると，証拠（甲６９，
乙４）及び弁論の全趣旨によれば，被告製品１ は線径の太いワイヤをダイ
ヤモンドダイスにより伸線したものであること，伸線する前のワイヤの表面
にはＡｕが全周にわたり存在しているが，伸線の過程でＡｕが削られていく
こと，本件表面オージェ分析報告書は，線径１８μｍの被告製品１ の表面
の観察範囲を約９μｍ×約１２μｍとする視野３か所につき，オージェ電子
分光装置を用いてＳＥＭ観察を行い，Ａｕ，Ｐｄ及びＣｕのマッピングをし
て表面被覆成分の分布を確認したものであり，このうちＡｕのマッピング写
真には３か所とも強度が最低であることを示す黒い色が広く不均一に分布し
ていること，２視野目のＡｕ及びＣｕの各マッピング写真を比較すると，写
真上の右端付近及び中央よりやや左側のそれぞれ幅約２μｍの範囲のうち相
当部分ではＡｕより芯材であるＣｕの強度が高いことが認められる。そうす
ると，被告製品１ の表面にはＡｕを含有しない領域や，ＡｕよりＣｕを多
く含有する領域が少なからず存在するということができるから，被告製品１
のワイヤ表面におけるＡｕの分布は不均一なものであって，本件の関係各
証拠上，ワイヤ表面の全周にわたってＡｕが含有されているとは認められな
いと解すべきものとなる。
以上によれば，被告製品１ につき第１の濃度勾配領域の存在を認めるこ
とはできないから，被告製品１ は本件発明２の技術的範囲に属しないと判
断するのが相当である。
これに対し，原告マテリアルズ社は，①被告は伸線過程でＡｕがはがれな
い発明の特許権を保有している，②本件表面オージェ分析報告書のオージェ
スペクトルにおいて全ての観察箇所からＡｕが検出されている，③Ａｕが一
部に存在しなかったとしても，Ａｕが存在する部分をもって「金の層」が形
成されていればよい，④被告の関連会社の発表資料（甲５５）には被告製品
の表面にＡｕの層が存在する旨記載されている旨主張する。
そこで判断するに，上記①について，被告製品１ が当該特許発明の実施
品であるかは明らかでなく，上記主張は前提を欠く。上記②について，オー
ジェスペクトルの分析対象とされた領域には黒い色以外の部分が含まれてお
り（甲６９），上記黒い色の部分にＡｕが存在することの裏付けとならない。
上記③について，前記 認定の事実関係によれば，被告製品１ の表面に
「金の層」が存在すると認めることはできない。上記④について，上記資料
は，証拠説明書によれば，原告ら訴訟代理人がインターネット上の検索によ
り取得した被告の関連会社による技術会議でのプレゼンテーション資料とさ
れるが，被告製品の概略を説明するにとどまるものであって，これをもって
前記認定判断を覆すに足りない。
したがって，原告マテリアルズ社の上記主張はいずれも失当である。
３ 争点 ア（構成要件３Ａ－２「濃化層」の充足性）について
原告らは，被告製品１ にＡｕの「濃化層」があると主張する。
そこで判断するに，構成要件３Ａ－２の「濃化層」は，本件発明３①の特
許請求の範囲の記載によれば，Ａｇ又はＡｕのうち１種以上からなり，芯材
の上に設けられる「外層」を「Ｐｄ外層」と共に構成するものであって，Ｐ
ｄ外層の表面側に設けられるものである。また，「濃化」とはその字義に照
らし「濃くなること」を意味すると解され，「層」とは一般に「重なること。
重なり」を意味する用語である。そうすると，「濃化層」とは，Ａｇ又はＡ
ｕの１種以上をそれ以外の領域に比し高い濃度で含有する領域であって，ワ
イヤ表面の全周にわたって存在するものをいうと解される。
また，本件明細書３（甲１２）の発明の詳細な説明の欄には，濃化層に関
して，外層の表面側への濃化層の形成と水素濃度の管理を組み合わせること
で，長期保管されたボンディングワイヤでも良好なウェッジ接合性を得るこ
とができるが，これは表面濃化層が水素，酸素等のガス成分のワイヤ表面か
らの侵入を抑えることによるものと考えられる旨（発明を実施するための形
態，段落【００７７】 ，濃化層は水素がワイヤ外部に放出されるのを抑え
）
る働きをするので，外層の表面側に濃化層を有するボンディングワイヤにお
いては，濃化層を持たない外層の場合より水素濃度の管理が重要となる旨
（同，段落【００８０】）の記載があり，これらは濃化層がワイヤ表面の全
周にわたって存在することを前提とするものということができる。
一方，被告製品１ のワイヤ表面の全周にわたってＡｕが含有されている
と認められないことは前記２ のとおりであり，被告製品１ （被告製品１
のうち線径１７～２１μｍのもの）についても同様と認められる（本件表
面オージェ分析報告書（甲６９）は，線径１８μｍの被告製品１ を調査資
料とするものである。一方，被告による分析報告書（乙４）は，線径１８μ
ｍのワイヤを伸線加工途中とするが，この点は被告製品１ の表面における
Ａｕの有無に係る認定を左右するものでないと解される。 。
）
以上によれば，被告製品１ が濃化層を有すると認めることはできないか
ら，被告製品１ は，本件発明３①の技術的範囲に属するものでなく，した
がって，本件発明３②，③及び⑲の技術的範囲にも属しないと判断するのが
相当である。
４ 争点 （被告製品２の本件各特許権侵害の成否）について
前記１～３で判示したとおり，被告製品１ が本件発明１及び２の技術的範
囲に属さず，被告製品１ が本件発明３①，②，③及び⑲の技術的範囲に属し
ない以上，被告製品２が本件各発明の技術的範囲に属するものでなく，被告製
品２の生産が本件各特許権の間接侵害に該当しないことは明らかである。
５ 以上によれば，その余の点について判断するまでもなく，原告らの請求はい
ずれも理由がない。
東京地方裁判所民事第４６部
裁判長裁判官 長 谷 川 浩 二
裁判官 林 雅 子
裁判官 中 嶋 邦 人
（別 紙）
被告製品目録
被告の製造及び販売にかかる製品名ＣＬＲ－１Ａと称するボンディングワイヤの
全て。ただし、その内訳は以下のとおりである。
１ 被告の製造及び販売にかかる製品名ＣＬＲ－１Ａと称するボンディングワイ
ヤのうち、線径が１４～７３μｍのもの
被告の製造及び販売にかかる製品名ＣＬＲ－１Ａと称するボンディングワイ
ヤのうち、線径が１７～２１μｍのもの
２ 被告の製造及び販売にかかる製品名ＣＬＲ－１Ａと称するボンディングワイヤ
のうち、線径が２００～３００μｍのもの