平成26(行ケ)10107審決取消請求事件

平成２６年１２月２４日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官
平成２６年（行ケ）第１０１０７号 審決取消請求事件
口頭弁論終結日 平成２６年１２月１０日
判 決
原 告 Ｘ１
原 告 Ｘ２
被 告 エヌイーシーショット
コンポーネンツ株式会社
訴訟代理人弁理士 深 見 久 郎
同 森 田 俊 雄
同 吉 田 昌 司
同 荒 川 伸 夫
同 岡 始
主 文
１ 特許庁が無効２０１３－８００００７号事件について平成２６年３
月２７日にした審決のうち，特許第３５５２５３９号の請求項１及び
２に係る部分を取り消す。
２ 原告らのその余の請求を棄却する。
３ 訴訟費用は，これを２分し，その１を原告らの負担とし，その余は
被告の負担とする。
事実及び理由
第１ 請求
特許庁が無効２０１３－８００００７号事件について平成２６年３月２７日
にした審決を取り消す。
第２ 事案の概要
１ 特許庁における手続の経緯等
被告は，平成１０年６月１９日，発明の名称を「抵抗付温度ヒューズ」と
する発明について特許出願（特願平１０－１７３６２号。以下「本件出願」
という。）をし，平成１６年５月１４日，特許第３５５２５３９号（請求項
の数３。以下「本件特許」という。）として特許権の設定登録を受けた（甲
３４）。
原告らは，平成２５年１月７日，本件特許に対して特許無効審判を請求し
た。
特許庁は，上記請求を無効２０１３－８００００７号事件として審理を行
い，同年８月２８日付けで審決の予告（甲３３）をした。
これに対し被告は，同年１０月２５日付けで，本件特許に係る特許請求の
範囲の減縮及び「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求
項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正請求（以下「本件
訂正」という。甲３０，３１）をした。原告らは，同年１２月１２日付けで，
本件訂正後の請求項に係る各発明が無効理由を有する旨の弁駁書（甲２５）
を提出した。
その後，特許庁は，平成２６年３月２７日，本件訂正を認めた上で，「本
件審判の請求は，成り立たない。」との審決（以下「本件審決」という。）
をし，その謄本は，同年４月２日，原告らに送達された。
原告らは，平成２６年４月２６日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を
提起した。
２ 特許請求の範囲の記載
設定登録時のもの
本件特許の設定登録時の特許請求の範囲の請求項１ないし３の記載は，次
のとおりである（甲１）。
「【請求項１】
セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，この
発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱溶
断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平板
状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置さ
れ，その両端及び中間部が電極に接続され，前記発熱抵抗体は前記中間部の
電極を介して通電される抵抗付温度ヒューズ。
【請求項２】
前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上に配置した良熱伝導体で
支持させたことを特徴とする請求項１に記載の抵抗付温度ヒューズ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の抵抗付温度ヒューズの回路基板上での実装構造に
おいて，前記抵抗付温度ヒューズは，そのリード線を前記セラミック基板か
ら突設させ，前記発熱抵抗体と前記回路基板との間に空隙を形成させること
を特徴とする抵抗付温度ヒューズ。」
本件訂正後のもの
本件訂正後の請求項１ないし４の記載は，次のとおりである（以下，請求
項の番号に応じて，本件訂正後の請求項１に係る発明を「本件発明１」，請
求項２に係る発明を「本件発明２」などという。下線部は本件訂正による訂
正箇所である。なお，本件特許の設定登録時の請求項３は，本件訂正により，
請求項１又は２を引用する形式からこれらを引用しない独立形式請求項へ
改められ，本件訂正後の請求項３及び４となった。甲３１）。
「【請求項１】
セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，こ
の発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱
溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平
板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置さ
れ，その両端及び中間部が電極に接続され，前記発熱抵抗体は前記中間部の
電極を介して通電され，前記低融点合金体の周囲にフラックスが配置され，
ケースが前記セラミック基板に対して気密に密着して前記フラックスを外気
環境から保護する，抵抗付温度ヒューズ。
【請求項２】
セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，こ
の発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱
溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平
板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置さ
れ，その両端及び中間部が電極に接続され，前記発熱抵抗体は前記中間部の
電極を介して通電され，前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上
に配置した良熱伝導体で支持させたことを特徴とする抵抗付温度ヒューズ。
【請求項３】
セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，こ
の発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱
溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平
板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置さ
れ，その両端及び中間部が電極に接続され，前記発熱抵抗体は前記中間部の
電極を介して通電され，前記抵抗付温度ヒューズの回路基板上での実装構造
において，前記抵抗付温度ヒューズは，そのリード線を前記セラミック基板
から突設させ，前記発熱抵抗体と前記回路基板との間に空隙を形成させるこ
とを特徴とする抵抗付温度ヒューズ。
【請求項４】
セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，こ
の発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱
溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平
板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置さ
れ，その両端及び中間部が電極に接続され，前記発熱抵抗体は前記中間部の
電極を介して通電され，前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上
に配置した良熱伝導体で支持させ，前記抵抗付温度ヒューズの回路基板上で
の実装構造において，前記抵抗付温度ヒューズは，そのリード線を前記セラ
ミック基板から突設させ，前記発熱抵抗体と前記回路基板との間に空隙を形
成させることを特徴とする抵抗付温度ヒューズ。 」
３ 本件審決の理由の要旨
本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりである。要するに，
①本件発明１は，本件出願の出願前に頒布された刊行物である甲２に記載さ
れた発明と甲３，５，１５ないし１８に記載された事項に基づいて，当業者
が容易に発明をすることができたものとはいえない，②本件発明２は，甲２
に記載された発明と甲３及び甲５に記載された事項に基づいて，当業者が容
易に発明をすることができたものとはいえない，③本件発明３は，甲２に記
載された発明と甲３，４，６ないし８に記載された事項に基づいて，当業者
が容易に発明をすることができたものとはいえない，④本件発明４は，甲２
に記載された発明と甲３ないし８に記載された事項に基づいて，当業者が容
易に発明をすることができたものとはいえないから，本件特許には，特許法
２９条２項違反の無効理由（同法１２３条１項２号）は認められないという
ものである。
甲２ないし８，１５ないし１８は，以下のとおりである。
甲２ 「実公平４－３６０２７号公報」
甲３ 「特開平７－１５３３６７号公報」
甲４ 「実公平６－３８３５１号公報」
甲５ 「実公平４－３６０２１号公報」
甲６ 「特開昭６０－３７６３２号公報」
甲７ 「実願昭５１－１５１５０５号（実開昭５３－６７４２５号）の
マイクロフィルム」
甲８ 「実願平４－３７２６９号（実開平５－９０７７６号）のＣＤ－Ｒ
ＯＭ」
甲１５ 「特開平８－１６１９９０号公報」
甲１６ 「特開平９－１７３０２号公報」
甲１７ 「特開平９－２３１８９７号公報」
甲１８ 「特開平７－２３０７４７号公報」
本件審決は，以下のとおり，甲２に記載された発明（以下「引用発明」と
いう。），甲３に記載された発明（以下「甲３発明」という。），本件発明
１と引用発明の一致点及び相違点，本件発明２と引用発明の一致点及び相違
点，本件発明３と引用発明の一致点及び相違点，本件発明４と引用発明の一
致点及び相違点を認定した。
なお，本件審決は，下記ウ記載の相違点１について，引用発明及び甲３発
明に接した当業者であれば，引用発明に甲３発明の技術を適用して相違点１
に係る本件発明１の発明特定事項とすることは容易に想到し得ることと認め
られると判断した。
ア 引用発明
「セラミック板からなる絶縁基板（１）の他面に膜状低融点金属体（６
１，６２）を，片面に膜状抵抗体（３１，３２）を配置し，この膜状抵抗
体（３１，３２）に通電し前記絶縁基板（１）を介して前記膜状低融点金
属体（６１，６２）を加熱溶断して回路遮断する抵抗体付温度ヒユーズで
あって，前記膜状低融点金属体（６１，６２）は膜状で前記絶縁基板（１）
の他面に前記膜状抵抗体（３１，３２）と同じ位置に配置され，その両端
が膜状導体（８）及び膜状補助導体（９１，９２）に接続され，前記膜状
低融点金属体（６１，６２）の周囲にフラックス（７１，７２）が配置さ
れた，抵抗体付温度ヒユーズ。」
イ 甲３発明
「発熱体と，発熱体の発熱により溶断する低融点金属とを有した保護素
子により，電圧を検知して動作する保護素子を構成することを目的として，
低融点金属の両端及び中間にヒューズ電極を設け，発熱体への通電を低融
点金属を通って中間電極を介して行うことにより，低融点金属溶断後に発
熱体への通電を確実に止め，過加熱を防止する保護素子。」
ウ 本件発明１と引用発明の一致点及び相違点
（一致点）
「セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，
この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を
加熱溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金
体は平板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置
に配置され，その両端が電極に接続され，前記低融点合金体の周囲にフラ
ックスが配置された，抵抗付温度ヒューズ。」である点（以下「一致点１」
という場合がある。）
（相違点１）
本件発明１は，低融点合金体の「中間部が電極に接続され」，「発熱抵
抗体は中間部の電極を介して通電される」ものであるのに対して，引用発
明は，膜状低融点金属体の中間部に電極を有しておらず，膜状抵抗体への
通電が膜状低融点金属体を介していない点。
（相違点２）
本件発明１は，「ケースがセラミック基板に対して気密に密着してフラ
ックスを外気環境から保護する」との事項を有しているのに対して，引用
発明は，そのような事項を有していない点。
エ 本件発明２と引用発明の一致点及び相違点
（一致点）
「セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，
この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を
加熱溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金
体は平板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置
に配置され，その両端が電極に接続された，抵抗付温度ヒューズ。」であ
る点（以下「一致点２」という場合がある。）
（相違点１）
前記ウ記載の相違点１と同じ。
（相違点３）
本件発明２は，「低融点合金体の中間部はセラミック基板上に配置した
良熱伝導体で支持させた」のに対して，引用発明は，そのように構成され
ていない点。
オ 本件発明３と引用発明の一致点及び相違点
（一致点）
前記エ記載の一致点２と同じ。
（相違点１）
前記ウ記載の相違点１と同じ。
（相違点４）
本件発明３は，「抵抗付温度ヒューズの回路基板上での実装構造におい
て，抵抗付温度ヒューズは，そのリード線をセラミック基板から突設させ，
発熱抵抗体と回路基板との間に空隙を形成させる」ものであるのに対して，
引用発明は，そのように構成されていない点。
カ 本件発明４と引用発明の一致点及び相違点
（一致点）
前記エ記載の一致点２と同じ。
（相違点１）
前記ウ記載の相違点１と同じ。
（相違点３）
前記エ記載の相違点３と同じ。
（相違点４）
前記オ記載の相違点４と同じ。
第３ 当事者の主張
１ 原告らの主張
取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）
本件審決は，引用発明の膜状低融点金属体とその周囲に配置されたフラッ
クスに甲１５記載の外部ケースを適用しても相違点２に係る本件発明１の構
成とすることはできないし，また，引用発明の膜状低融点金属体に甲１５記
載の外部ケースを適用する動機付けもないとして，引用発明と甲１５記載の
事項に基づいて，当業者が相違点２に係る本件発明１の構成に容易に想到し
得るとはいえない旨判断した。
しかしながら，本件審決の判断は，以下のとおり誤りである。
ア 甲１５の記載事項の認定の誤り
本件審決は，甲１５には，低融点金属体を発熱体で溶融させることで作
動する保護素子において，発熱体（３）と低融点金属体（５）と固形フラ
ックスからなる内側封止部（８）との外側を外部ケース（９）で覆う構成
が記載されているが，この外部ケースは，基板（２）に対して密着してい
ると認められるものの，外部発熱体，低融点金属体及び内側封止部を完全
に密封するものではなく，場合によってはカバーの一部に穴を開けて暴発
を防ぐ構造となっていると理解するのが相当であるから，相違点２に係る
本件発明１の構成のものとは異なる旨認定したが，以下に述べるとおり，
本件審決の認定は誤りである。
本件発明１の「機密」の用語の意義
本件訂正後の明細書（以下，図面を含めて，「本件明細書」という。
甲１，３１）には，本件発明１の「ケースがセラミック基板に対して気
密に密着してフラックスを外気環境から保護する」にいう「機密」につ
いて，機密度を示す数値等の具体的な構成の記載はない。
かえって，本件発明１の抵抗付温度ヒューズの斜視図である図１ａ（別
紙１参照）には，セラミック基板１１に突起又は窪みらしきものが設けられ
ていることが示されており，この突起の周辺又は窪みに隙間が発生し，ケー
ス１４とセラミック基板１１との間には隙間が形成されることになる。
そうすると，本件発明１にいう「機密」には，ケースの内側と外側とで
空気のやりとりがされない完全に密封されたもののほか，上記隙間を介し
て，ケースの内側と外側とで，ある程度空気のやりとりを許容するものも包
含していると解すべきである。
甲１５の外部ケースの構成
甲１５の記載事項（段落【００２１】ないし【００２７】，【００４
５】）によれば，甲１５には，無機系基板（例えば，セラミック製）上に
低融点金属体を配設し，その低融点金属体を内側封止部（好ましくは固形フ
ラックス）で封止し，さらにその外側を外部ケース（構成素材は４，６－ナ
イロンあるいは液晶ポリマー等）で覆う（併せて接着する）保護素子が開示
されている。
しかるところ，甲１５の段落【００２６】には，「外側ケース９は，低
融点金属体５や内側封止部８が溶解した場合に，保護素子からそれらの
溶融物が流出することを防止するために設けられている。」との記載が
ある。
そして，温度ヒューズの技術分野において，フラックスの劣化防止のた
めにフラックスを気密状態で保護する必要があることは，本件出願前から周
知であった（例えば，甲３５ないし３７）。また，低融点金属体等の排出防
止のために外部ケース内部を気密にする必要があることは，本件出願前から
周知であった（例えば，甲３８ないし４１）。
甲１５の段落【００２６】の上記記載及び上記周知事項に鑑みると，甲１
５に接した当業者は，甲１５の外部ケースは，低融点金属体等の溶融物が
流出することを防止するとともに，フラックス（内側封止部）の劣化を
防止するために，ケースの内側と外側とで気体の通過を遮断するように完
全に密封して，低融点金属体及び内側封止部の外側を覆っていると認識
するというべきである。
そうすると，本件審決が，甲１５の外部ケースは，外部発熱体，低融
点金属体及び内側封止部を完全に密封するものではなく，場合によって
はカバーの一部に穴を開けて暴発を防ぐ構造となっていると理解するの
が相当であると認定したのは誤りである。
そして，甲１５の外部ケースは，「ケースがセラミック基板に対して
気密に密着してフラックスを外気環境から保護する」構成（相違点２に
係る本件発明の構成）を備えているといえるから，引用発明に甲１５記
載の外部ケースを適用しても相違点２に係る本件発明１の構成とするこ
とはできないとした本件審決の判断も誤りである。
被告の主張について
ａ 被告は，甲１５においては，絶縁膜４を用いて絶縁をするため，絶
縁膜４においてショートが発生した場合には，フラックス８が暴発し，
ケース９に穴が存在しない場合にはケース９が暴発し，使用者が危険
な状態に曝されるから，甲１５のケース９は，爆発の可能性がある気
密構造のケースを採用することはなく，穴が設けられている旨主張す
る。
しかしながら，ショートに備えてケースに穴を設ける前にショートが
発生し難い十分な厚さの絶縁膜とすることが先決であるから，気密構造の
構成としてフラックス等の耐環境性を高める一方で，フラックスの爆発を
未然に防止するために絶縁膜を十分厚くするという考え方もあり得る。
そうすると，絶縁膜でショートが発生した場合にフラックスが爆発する
おそれがあるからといって直ちにケースに穴が設けられるわけではない
といえるから，被告の上記主張は，ショートを発生し難くするという選択
肢を無視している点で失当である。
ｂ また，被告は，甲１５で公開された発明の出願人の製造する保護素
子（乙１）には，基板上にカバーが固定され，当該カバーの側面には，
フラックスを保護するための穴が設けられているから，甲１５のケース
９には，穴が設けられている旨主張する。
しかしながら，乙１記載の保護素子のカバーに穴が設けられているか
どうか判断がつきかねるが，仮に穴が設けられているとしても，乙１記
載の保護素子は現在販売されている保護素子であって，本件出願前に製
造販売されていたものではない。また，仮に乙１記載の保護素子の低融
点金属体の素材及びフラックスの材質が穴が設けられたカバーでも溶融
したフラックスを保持できるのであれば，それは本件出願時と比べて，低
融点金属体の素材及びフラックスの材質が進歩したことによる可能性も
ある。
そうすると，乙１記載の保護素子は本件出願時において甲１５の外部ケ
ースに穴を設け得ることを裏付けるものではないから，被告の上記主張
は，失当である。
イ 相違点２の容易想到性の判断の誤り
本件審決は，甲１５には，外部ケースを発熱体をもたない保護素子にも
適用することができる旨記載されているが，ここでいう，発熱体をもたな
い保護素子とは，従来の過電流防止用のチップ型ヒューズ，すなわち溶融
金属の過電流により溶断するものを意図しており，引用発明のような，低
融点金属体が設けられた絶縁基板の他面側に発熱体を有した保護素子にま
で外部ケースを適用することを示唆したものではないとして，発熱体を有
した保護素子である引用発明の低融点金属体に，甲１５の外部ケースを適
用する動機付けはないから，引用発明と甲１５記載の事項に基づいて，当
業者が相違点２に係る本件発明１の構成に容易に想到し得るとはいえない
旨判断した。
しかしながら，引用発明の抵抗体付温度ヒューズと甲１５記載の保護素子
とは，セラミック板からなる絶縁基板（甲１５の基板２に相当）の面上に膜状
低融点金属体（甲１５の低融点金属体５に相当）とフラックス（甲１５の内部
封止部８に相当）とが配置されている点で共通する。
一方で，甲１５には，「外部ケース９は，低融点金属体５や内部封止部８が
溶解した場合に，保護素子からそれらの溶融物が流出することを防止するため
に設けられている。」（段落【００２６】），「液晶ポリマー（Ｇ－５３０，
日石化学社製）を用いて成型された外側ケース９をエポキシ系接着剤で接着す
ることにより，図２に示した態様の保護素子を作製した。」（段落【００４５
】）との記載が存在する。これらの記載に接した当業者においては，膜状低融
点金属体及びフラックスの溶融物が流出することを防止するため，引用発明に
対して甲１５の外部ケースを適用するよう試みることは，通常の創作能力の発
揮にすぎないから，引用発明の低融点金属体に，甲１５の外部ケースを適
用する動機付けはある。
そうすると，当業者は，引用発明と甲１５の上記記載事項に基づいて，
相違点２に係る本件発明１の構成を容易に想到することができたものとい
える。
したがって，本件審決の上記判断は誤りである。
ウ 小括
以上によれば，引用発明と甲１５記載の事項に基づいて，当業者が相違
点２に係る本件発明１の構成に容易に想到し得るとはいえないとした本件
審決の判断は誤りである。
また，本件審決は，引用発明に甲３発明の技術を適用して相違点１に係
る本件発明１の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得ること
と認められると判断している。
そうすると，本件発明１は，引用発明と甲３及び甲１５記載の事項に基
づいて，当業者が容易に発明をすることができたといえるから，これと異
なる本件審決の判断は誤りである。
取消事由２（本件発明２の容易想到性の判断の誤り）
本件審決は，①引用発明に甲５記載の層状熱良伝導体を適用したとしても，
本件発明２の目的を達成し得ないし，相違点３に係る本件発明２の構成とな
り得ない，②甲３には，低融点合金体の両端を基板上の電極に接続する構造
が開示されているにすぎず，引用発明に甲３記載の事項を適用した際に低融
点合金体の中間の電極を基板上に設けることが「必然的に」なされるとは認
められないし，セラミック基板の他方の面に設けた発熱体からセラミック基
板を伝達してきた熱を集めるための機能を求めて，電極を低融点合金体と基
板との間に配置することは記載も開示もされていないとして，引用発明と甲
３及び甲５記載の事項に基づいて，当業者が相違点３に係る本件発明２の構
成を容易に想到し得るとはいえない旨判断した。
しかしながら，本件審決の判断は，以下のとおり誤りである。
ア 引用発明と甲５に基づく相違点３の容易想到性の判断の誤り
甲５の記載事項（２欄１８行～３欄２１行，第１図Ａ，第１図Ｂ，第
２図（別紙５参照））によれば，甲５には，第１図Ａ及び第１図Ｂに示す
ように，層状抵抗体３が発熱すると，層状低融点金属体４を直下から加熱
できること，すなわち，層状低融点金属体４を直下で支持している層状熱良
伝導体５によって絶縁膜６を介して層状低融点金属体４を加熱できること
が示されている。
また，甲５の第２図（別紙５参照）には，層状低融点金属体４を直下で支
持している層状熱良伝導体５及び絶縁膜６を，第１図Ａのそれらよりも長さ
を大幅に短く形成して，直上の層状低融点金属体４の中間部を集中的に加熱
することが示されている。
そうすると，甲５には，層状低融点金属体４の中間部を，層状熱良伝導体
５によって絶縁膜６を介して支持させて，直上の層状低融点金属体４の中間
部に熱を集中的に与える構成が，当業者に容易に認識することができるよう
に示されている。
そして，甲５の第２図の層状熱良伝導体５及び絶縁膜６は，中間部を集中
的に加熱する点において，本件発明２の良熱伝導体と目的，作用が異なるも
のではない。
一方，甲２の記載事項（１欄１行～２欄７行）によれば，甲２には，絶縁
基板の片面に膜状抵抗体を，他面に膜状低融点金属体をそれぞれ設け，膜状
抵抗体の熱が絶縁基板を熱伝導経路として膜状低融点金属体に与えられる
ことが示されている。
そして，甲５には，「電極２１′近傍の層状低融点金属体部分４０′には
抵抗体３′の発生熱が電極２１′を熱伝導路としてよく伝導するので，その
層状低融点金属体４０′はよく加熱されるが，他の低融点金属体部分は加熱
され難い。このため層状低融点金属体が不均一加熱となり，溶断が遅延し，
作動性に問題がある。」との記載がある。
そうすると，甲２及び甲５に接した当業者においては，低融点金属体が不
均一加熱となり，溶断が遅延することを防止するため，引用発明の絶縁基板
上に，甲５に示された層状低融点金属体の中間部を支持する層状熱良伝導体
及び絶縁膜を設け，絶縁基板による熱が層状熱良伝導体によって絶縁膜を介
して低融点金属体の中間部に集中的に与えられる構成を採用することは，何
らの困難性はなく，通常の創作能力の発揮にすぎないから，引用発明と甲
５の上記記載事項に基づいて，相違点３に係る本件発明２の構成を容易
に想到することができたものといえる。
本件審決は，この点に対し，甲５の層状熱良伝導体は，層状抵抗体の
一部が絶縁膜を介して層状低融点金属体に積層されるのに対して，本件
発明２は，発熱抵抗体と低融点合金体とが絶縁層を介して積層する構造
を回避するために，セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発
熱抵抗体を配置するものであり，引用発明に甲５記載の層状熱良伝導体
に係る構造を適用しても，本件発明２の構成とはなりえないから，引用
発明に甲５記載の事項を適用して，相違点３に係る本件発明２の発明特
定事項とすることは，当業者が容易に想到し得るとはいえない旨判断し
た。
しかしながら，甲５の記載事項（３欄３行～６行，１８行～２１行）
によれば，甲５において，絶縁膜を介して層状低融点金属体に積層され
るのは，層状抵抗体の一部ではなく，層状熱良伝導体であるから，本件
審決の上記判断は，その前提において誤りがある。
また，本件発明２は，発熱抵抗体と低融点合金体とが絶縁層を介して積
層する構造のうちショートのおそれがあるものに対してその構造を回避し
ようとするものであるが（本件明細書の段落【０００４】，図１１（別紙１
参照）），甲５の層状熱良伝導体と層状低融点金属体とは電極を介して電気
的に接続されているため，ショートするものではない。しかも，引用発明
に甲５記載の層状熱良伝導体を適用することは，引用発明の絶縁基板上
に層状熱良伝導体を設けることにほかならないから，層状熱良伝導体と膜
状低融点金属体はショートするものではない。
そうすると，引用発明に甲５記載の層状熱良伝導体に係る構造を適用
すると，相違点３に係る本件発明２の構成となるから，本件審決の上記
判断は，この点でも，その前提において誤りがある。
したがって，相違点３に係る本件発明２の発明特定事項とすることは
当業者が容易に想到し得るとはいえないとした本件審決の上記判断は誤
りである。
イ 引用発明と甲３に基づく相違点３の容易想到性の判断の誤り
本件発明２の特許請求の範囲（請求項２）の記載中の「低融点合金体
の中間部はセラミック基板上に配置した良熱伝導体で支持させた」との
記載は，本件発明２にいう「良熱伝導体」が，低融点合金体の中間部の
電極が良熱伝導体を兼ねるものを排除するものではない。
また，本件明細書の段落【００２３】 【００３４】
， 及び図３（ａ）（別
紙１参照）には，電極が良熱伝導体を兼ねるものが本件発明２にいう「良
熱伝導体」に含まれることを示唆する記載がある。
そうすると，本件発明２の「低融点合金体の中間部はセラミック基板
上に配置した良熱伝導体で支持させた」との構成（相違点３に係る本件
発明２の構成）には，「低融点合金体の中間部が良熱伝導体を兼ねる電
極によって支持されるもの」が含まれるものといえる。
甲３の記載事項（段落【００３９】ないし【００４１】，【００４６
】等）によれば，甲３には，低融点金属の中間部に電極を設けるとともに
その電極を介して発熱抵抗体へ接続する技術の実施例として，基板上に電極
を設け，その電極の上に低融点金属の中間部を載せることが明確に記載され
ている。
また，引用発明に甲３に開示された「低融点金属の中間部に電極を設ける
とともにその電極を介して発熱抵抗体へ接続する技術」を適用し，当業者が
相違点１に係る本件発明３の構成とすることに容易に想到し得ることは本
件審決が判断するとおりである。
さらに，基板の一方の面と他方の面とを配線によって接続するための具体
的手段として，スルーホール（例えば，甲４２ないし４４）と基板の側面を
経由するもの（例えば，甲４４ないし４６）があることは，本件出願前に周
知・自明の事項である。
そうすると，甲２及び甲３に接した当業者は，引用発明に甲３に開示され
た「低融点金属の中間部に電極を設けるとともにその電極を介して発熱抵抗
体へ接続する技術」を適用するに当たり，甲３の上記記載事項に基づいて，
基板上に電極を設け，その電極の上に低融点合金体の中間部を載せること
は，容易になし得ることである。
したがって，引用発明と甲３の上記記載事項に基づいて，当業者が相
違点３に係る本件発明２の構成を容易に想到することができたものとい
える。
本件審決は，この点に関し，甲３には，低融点合金体の両端を基板上
の電極に接続する構造が開示されているにすぎず，「基板上に電極を設
け，その電極の上に低融点合金体を設けるという手段」が周知技術であ
るとしても，基板の一方の面上に形成した素子から他方の面上に形成し
た素子の中間に配線を接続する際，他方の面の素子の中間へどのような
配線の接続を行うのか，具体的な構造については何ら記載も示唆もされ
ていないから，引用発明に甲３記載の事項を適用した際に，低融点合金
体の中間の電極を基板上に設けることが「必然的に」なされるとは認め
られないし，セラミック基板の他方の面に設けた発熱体からセラミック
基板を伝達してきた熱を集めるための機能を求めて，電極を低融点合金
体と基板との間に配置することは記載も開示もされていないから，引用
発明に甲３記載の事項を適用して，相違点３に係る本件発明２の発明特
定事項とすることは，当業者が容易に想到し得るとはいえない旨判断し
た。
，基板の一方の面と他方の面とを配線に
よって接続するための具体的手段として，スルーホールと基板の側面を経由
するものがあることは，本件出願前に周知・自明の事項であるから，引用発
明に甲３に開示された「低融点金属の中間部に電極を設けるとともにその電
極を介して発熱抵抗体へ接続する技術」を適用する際に，上記周知・自明の
事項を適用して，相違点３に係る本件発明２の構成とすることは当業者が容
易に想到し得ることである。
したがって，本件審決の上記判断は誤りである。
ウ 小括
以上によれば，引用発明と甲３及び甲５記載の事項に基づいて，当業者
が相違点３に係る本件発明２の構成に容易に想到し得るとはいえないとし
た本件審決の判断は誤りである。
また，本件審決は，引用発明に甲３発明の技術を適用して相違点１に係
る本件発明２の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得ること
と認められると判断している。
そうすると，本件発明２は，引用発明と甲３及び１５記載の事項に基づ
いて，当業者が容易に発明をすることができたといえるから，これと異な
る本件審決の判断は誤りである。
取消事由３（本件発明３の容易想到性の判断の誤り）
本件審決は，①甲４には，温度ヒューズがプリント配線板に実装されよう
としている状態が記載されているが，温度ヒューズがプリント配線板上に実
装された状態は示されておらず，両者の間，特に温度ヒューズのプリント配
線板側の面の素子とプリント配線板との間に空隙が形成されることは明示さ
れていないし，また，プリント配線板への熱の放散を抑制するための配置に
ついても，何ら記載も示唆もされていない，②本件発明３の空隙は，発熱抵
抗体の熱が回路基板へ放散することを抑制し，その熱を有効に低融点合金体
の溶断に利用するために設けられるものであるのに対して，甲１１ないし１
４から導かれる周知事項は，安全性の観点から空隙を設けるものであり，引
用発明に，甲３記載の事項を適用しても，発熱抵抗体の熱が回路基板へ放散
することを抑制し，その熱を有効に低融点合金体の溶断に利用するとの観点
で，上記周知事項を採用する動機付けがないとして，引用発明と甲３ないし
８に記載された事項に基づいて，相違点４に係る本件発明３の発明特定事項
とすることは当業者が容易に想到し得るとはいえないし，また，甲５と甲９
ないし１８記載の事項を検討しても，これと同様である旨判断した。
しかしながら，本件審決の判断は，以下のとおり誤りである。
ア 相違点４の容易想到性の判断の誤り
本件発明３の特許請求の範囲（請求項３）には，本件発明３にいう「空
隙」の目的を限定した記載はない。
そうすると，本件発明３は，安全性の観点から「空隙」を設けるもの
を排除していない。
甲４の記載事項（３欄４６行～４欄２３行，第４図（別紙４参照））によ
れば，甲４には，チップ型の発熱性回路素子１００付温度ヒューズＢのプリ
ント配線板上での実装構造において，温度ヒューズＢは，そのリード線８を
絶縁基板１から突設させ，温度ヒューズＢとプリント配線板との間に（少な
くともプリント回路導体９の厚さに相当する）空隙を形成させることが開示
されている。
そして，甲４記載の温度ヒューズＢは，絶縁基板１の片面に低融点可溶
金属体３を，他面に発熱性回路素子１００をそれぞれ配置し，この発熱性回
路素子１００に通電し絶縁基板１を介して低融点可溶金属体３を加熱溶断
して回路遮断するものである点において，引用発明と技術分野が共通するこ
と，安全性の観点から発熱抵抗体と回路基板との間に空隙を形成させる必要
があることは，本件出願当時，周知であったこと（例えば，甲１１ないし１
４）からすると，引用発明に係る抵抗付温度ヒューズの回路基板上での実装
構造において，抵抗付温度ヒューズのリード線をセラミック基板から突設さ
せ，発熱抵抗体と回路基板との間に空隙を形成させるための動機付けがあ
る。
そうすると，甲２及び甲４に接した当業者であれば，甲４に示された温度
ヒューズと同様に発熱体と低融点金属体とからなる温度ヒューズである引
用発明において，安全性の観点から，発熱抵抗体と回路基板との間に空隙を
形成させる構成を採用し，相違点４に係る本件発明３の発明特定事項とする
ことは，容易に想到し得ることである。
イ 小括
以上によれば，当業者が相違点４に係る本件発明３の構成に容易に想到
し得るとはいえないした本件審決の判断は誤りである。
また，本件審決は，引用発明に甲３発明の技術を適用して相違点１に係
る本件発明３の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得ること
と認められると判断している。
そうすると，本件発明３は，引用発明と甲３及び甲４記載の事項，甲１
１ないし１４から導かれる周知事項に基づいて，当業者が容易に発明をす
ることができたといえるから，これと異なる本件審決の判断は誤りである。
取消事由４（本件発明４の容易想到性の判断の誤り）
本件審決は，本件発明４は，本件発明１の構成から「前記低融点合金体の
周囲にフラックスが配置され，ケースが前記セラミック基板に対して気密に
密着して前記フラックスを外気環境から保護する」との事項を省いた構成の
ものに，「前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上に配置した良
熱伝導体で支持させ」るとの事項（相違点３に係る本件発明４の構成） 「前
及び
記抵抗付温度ヒューズの回路基板上での実装構造において，前記抵抗付温度
ヒューズは，そのリード線を前記セラミック基板から突設させ，前記発熱抵
抗体と前記回路基板との間に空隙を形成させる」との事項（相違点４に係る
本件発明４の構成）を付加したものに相当するが，相違点３及び４の構成は
いずれも当業者が容易に想到し得るとはいえないから，本件発明４は，甲２
に記載された発明と甲３ないし８に記載された事項に基づいて，当業者が容
易に発明をすることができたものとはいえない旨判断した。
おける相違点３及び４の構成の容易想到性の判断は誤りであるから，本件審
決の上記判断も誤りである。
２ 被告の主張
取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）に対し
ア 甲１５の記載事項の認定の誤りに対し
原告らは，本件明細書の図１（ａ）（別紙１参照）において，セラミッ
ク基板１１に突起又は窪みらしきものが設けられていることを根拠とし
て挙げて，本件発明１にいう「気密」は，ある程度の気体のやりとりがあ
るものを包含すると解すべきである旨主張する。
しかしながら，別紙１の図１（ａ）において，帯状に示される部分は気
密構造を維持できる程度の厚みの電極である。薄膜からなる電極のような
微小な凹凸がセラミック基板の表面に存在しても，接着剤を用いてカバー
を基板に固定することで，何ら問題なく気体の通過を抑制できる気密構造
とすることができる。
また，原告らは，セラミック基板１１に窪みらしきものが設けられてい
る旨主張するが，原告らの憶測にすぎない。本件明細書に，「使用状態に
おいてはこのケース１４をセラミック基板１１に対して気密に密着し
て，」（段落【００１６】），「使用状態においてはこのケース１４をセ
ラミック基板１１に対して気密に密着して，」（段落【００３６】）との
記載があるように，気密性を確保しにくくするような構造を有していると
解する余地はなく，基板の表面にあえて溝状の窪みを設けることは，特別
に必要とされない限り通常はあり得ないことであり，技術常識にも反す
る。
したがって，原告らの上記主張は失当である。
甲１５の図２（別紙６参照）には，発熱体３と低融点金属体５とが
絶縁膜４で絶縁されている保護素子１ｂが開示されている。
そして，甲１５の段落【００２６】及び【００２７】の記載事項（特
に，段落【００２６】の「外側ケース９は，低融点金属体５や内側封
止部８が溶解した場合に，保護素子からそれらの溶融物が流出するこ
とを防止するために設けられている。」との記載）によれば，甲１５
には，ケース９は保護素子から溶融物が流出することを防止するため
に用いられるものであることは記載されているものの，気密構造とし
て機能部分の対環境性を確実に高めることに関しては開示も示唆もな
い。
一方で，本件明細書の段落【０００７】の記載に照らすと，甲１５
においては，発熱体３と低融点金属体５とが基板の片面に絶縁膜４を
介して配置され，絶縁膜４を用いて絶縁をするため，絶縁膜４におい
てショートが発生した場合には，フラックス８が暴発し，ケース９に
穴が存在しない場合にはケース９が暴発し，使用者が危険な状態に曝
される。
そして，甲１５の段落【０００６】に「使用上の安全性の高いもの
が求められている」ことが述べられていることからすると，甲１５の
ケース９は，爆発の可能性がある気密構造のケースを採用していると
当業者が理解することはない。
このように，甲１５には，爆発の可能性があるため，気密構造のケ
ースを採用することはあり得ず，本件発明１の気密構造の開示はない。
ｂ 原告らは，これに対し，甲１５の外部ケースは，カバーの一部に穴
を設けることはあり得ない旨主張する。
しかしながら，甲１５で公開された発明の出願人であるデクセリア
ルズ社（旧・ソニーケミカル株式会社）製の保護素子（品番ＳＦＨ－１
２１２。乙１）には，基板上にカバーが固定され，当該カバーの側面に
は，フラックスを保護するための穴が設けられており，フラックスが溶
融した場合であってもフラックスはカバー内に保持される。このように
甲１５で公開された発明の出願人の製品でも，穴が設けられているこ
とからすると，原告らの上記主張は失当である。
ｃ 以上によれば，甲１５の外部ケースは，外部発熱体，低融点金属体
及び内側封止部を完全に密封するものではなく，場合によってはカバ
ーの一部に穴を開けて暴発を防ぐ構造となっていると理解するのが相
当であるとした本件審決の認定に誤りはない。
イ 相違点２の容易想到性の判断の誤りに対し
前記アのとおり，甲１５には，機密構造を有するケースが開示されてい
ないから，引用発明及び甲１５の記載事項に基づいて，当業者が相違点２
に係る本件発明１の構成に容易に想到することはできない。
ウ 小括
以上によれば，本件審決における本件発明１の容易想到性の判断に誤り
はないから，原告ら主張の取消事由１は理由がない。
取消事由２（本件発明２の容易想到性の判断に誤り）に対し
ア 引用発明と甲５に基づく相違点３の容易想到性の判断の誤りに対し
本件発明２では，セラミック基板の他面の発熱抵抗体で発生した熱は熱伝
導性の低いセラミック基板を経由して低融点合金体へ伝達されるが，低融点
合金体の中間部（電極に接続される部分）はセラミック基板上に配置した良
熱伝導体で支持され，これにより，電極に接続される中間部が優先的に溶融
切断するため，電極からの電力の供給を確実に遮断することができる（本件
明細書の段落【００３３】，【００３４】）。
これに対して，甲５の層状熱良伝導体は，層状低融点金属体と層状抵抗体
とが電極を介して接続されているときに，電極を熱伝導路として層状抵抗体
の発生熱が層状低融点金属体の電極側によく伝導するため不均一加熱とな
るとの問題点に対して，層状抵抗体の一方の電極に連結された層状熱良伝導
体を，層状低融点金属体の直下に絶縁膜を介して設けることで均一加熱を図
るものであり，本件発明２と目的及び作用が異なる。このように，本件発明
２の良熱伝導体は発熱体からセラミック基板に伝わった熱を集めるための
ものであるのに対して，甲５の層状熱良伝導体は発熱体から電極を介して直
接伝わる熱を拡げるためのものであり，引用発明に甲５の層状熱良伝導体を
適用したとしても，本件発明２の目的を達成し得ない。
さらに，甲５の層状熱良伝導体は，層状抵抗体の電極に接続され電極と
同じものからなり，絶縁基板の一方の面に絶縁膜を介して層状低融点金属
体とともに設けられるものであり，層状抵抗体の一部が絶縁膜を介して層
状低融点金属体に積層されることになるのに対して，本件発明２は，発熱
抵抗体と低融点合金体とが絶縁層を介して積層する構造を回避するため
に（本件明細書の段落【０００４】，【０００６】），セラミック基板の
片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置するものである。このよ
うに，甲５では，発熱抵抗体と低融点合金体とが絶縁層を介して積層する
構造を採用しており，これを引用発明に適用すると発熱抵抗体と低融点合
金体とが絶縁層を介して積層する構造となるから，引用発明に甲５記載の
層状熱良伝導体に係る構造を適用しても，本件発明２の構成とはなりえな
い。
以上によれば，引用発明に甲５記載の事項を適用して，相違点３に係る
本件発明２の発明特定事項とすることは，当業者が容易に想到し得るとは
いえない。
イ 引用発明と甲３に基づく相違点３の容易想到性の判断の誤りに対し
甲２ないし４には，セラミック基板の他方の面に設けた発熱体からセラミ
ック基板を伝達してきた熱を集めるための機能を求めて，電極を低融点合金
体と基板との間に配置することについては，記載も示唆もない。
また，甲３には，発熱体５と低融点金属６を絶縁するための絶縁層４中に
熱伝導性の高い無機粉末を分散させることにより，発熱体５発熱時の熱を効
率的に低融点金属６に伝えることができ，低融点金属６を溶断させるための
発熱体５の消費電力を低下させることが可能であること（段落【００２１】）
が開示されているものの，本件発明２の良熱伝導体のように「発熱体からセ
ラミック基板に伝達した熱を集めるためのもの」については記載も示唆もな
い。
したがって，引用発明に甲３記載の事項を適用して，相違点３に係る本
件発明２の発明特定事項とすることは，当業者が容易に想到し得るとはい
えない
ウ 小括
以上によれば，本件審決における本件発明２の容易想到性の判断に誤り
はないから，原告ら主張の取消事由２は理由がない。
取消事由３（本件発明３の容易想到性の判断に誤り）に対し
甲４には，温度ヒューズＢの絶縁基板裏面の電極７，７間に導電性接着剤
によりチップ型の発熱性回路素子１００が取り付けられる構成が開示されて
いる（４欄４行～７行，第４図（別紙４参照））。
しかしながら，空隙を設けて，「発熱抵抗体の熱が回路基板へ放散すること
を抑制し，その熱を有効に低融点合金体の溶断に利用する」という技術思想は
本件発明３において初めて開示されたものであり，甲２及び甲４のいずれにお
いても，回路基板への熱の放散が問題であるとの認識はない。
そうすると，空隙を設けることが周知であるとしても，引用発明に甲４記載
の事項を適用するに際し，発熱抵抗体の熱が回路基板へ放散することを抑制
し，その熱を有効に低融点合金体の溶断に利用するとの観点から，上記周知事
項を採用することの動機付けはない。
したがって，相違点４に係る本件発明３の構成を当業者が容易に想到し得
るとはいえないから，本件審決における本件発明３の容易想到性の判断に誤
りはなく，原告ら主張の取消事由３は理由がない。
取消事由４（本件発明４の容易想到性の判断に誤り）に対し
本件発明４は，相違点３に係る本件発明２の構成と同様の構成及び相違点
４に係る本件発明３の構成と同様の構成を含むものである。
で述べたのと同様の理由により，相違点３及び４に
係る本件発明４の構成を当業者が容易に想到し得るとはいえないから，本件
審決における本件発明４の容易想到性の判断に誤りはなく，原告ら主張の取
消事由４は理由がない。
第４ 当裁判所の判断
１ 取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）について
本件明細書の記載事項等について
ア 本件発明１ないし４の特許請求の範囲（請求項１ないし４）の記載は，
イ 本件明細書（甲３１）の「発明の詳細な説明」には，次のような記載が
ある（下記記載中に引用する図面（甲１）については別紙１を参照）。
「【発明の属する技術分野】
この発明は抵抗付温度ヒューズに関するものであり，特に抵抗から発
生する熱が温度ヒューズである低融点合金体にいたる伝熱経路を最適化
することにより，応答性がよく信頼性が高く，更に小型化を可能にする
抵抗付温度ヒューズの構造に関するものである。」（段落【０００１】）
「【従来の技術】
以下に，抵抗付温度ヒューズの従来の技術について説明する。従来の
温度ヒューズは電子機器等の異常に基づく発熱を防止するため，周囲温
度の上昇に伴ってその発熱に関する回路を遮断し，火災や電子機器の損
傷を最小限に食い止める，また事前に防止することを目的としているも
のであった。」（段落【０００２】）
「しかしながら近年電子機器や家庭電化製品等に関する安全性の要求
が高まり，このような温度ヒューズの他に各種の状態をセンシングして
その電子機器等の回路を遮断する必要が生じてきている。例えばその代
表的な例としては，バッテリーの充電器のようなものが考えられるが，
バッテリーの充電器においては電圧が一定以上に高くなった場合には充
電器やバッテリーの破損等を生じるため，電圧を検知して，電圧値が一
定以上になった場合には回路を遮断する必要等が生じている。このよう
なものに抵抗付温度ヒューズが使われる。」（段落【０００３】）
「また，その他抵抗付温度ヒューズの使用の例としては，結露のセン
シングや磁界のセンシング，粘度のセンシングや重さのセンシング等，
各種のものをセンシングし，センシングした結果その値が危険値に達し
ている場合には，発熱体である抵抗に電流を流して温度ヒューズを溶断
し，その問題となっている回路を遮断する仕組みになっているのである。
この種の抵抗付温度ヒューズの構造は，図１１に示すようなものである。
図１１（ａ）は基板１８１上に発熱抵抗体１８３と低融点合金体１８２
とが積層配置された抵抗付温度ヒューズの断面を示すものである。抵抗
付温度ヒューズと抵抗付温度ヒューズの発熱抵抗体１８３と低融点合金
体１８２とは図で示すように，絶縁層１８９を介して積層されている。
このように絶縁層を介して積層するのは両者の電気的ショートを防止す
るためである。しかしながら，このような積層は一般的に蒸着やスパッ
タ等の薄膜形成技術によってなされるため，その薄膜に欠陥がある場合
には，発熱抵抗体と低融点合金体とのショートが生じるようなこともあ
る。」（段落【０００４】）
「また図１１（ｂ）に示すものは，基板１８１’の両側にそれぞれ片
面に低融点合金体１８２’，他面に発熱抵抗体１８３’を配置したもの
である。この図１１（ｂ）に示すものの特徴点は，同図（ａ）に示すも
のと異なり，発熱抵抗体１８３’と低融点合金体１８２’とが基板１８
１’の片面と他面に，すなわち異なる面に配置されている点にある。こ
のように異なる面に配置された場合には，発熱抵抗体で発生した熱がセ
ラミック基板を介して伝達するので，低融点合金体の溶断がバラツクと
いうような場合もある。」（段落【０００５】）
「【発明が解決しようとする課題】
以上に述べた従来の抵抗付温度ヒューズには，例えば図１１（ａ）の
場合，図１２に示すような問題が生じる。すなわち図１２に示すように，
基板上に配置された発熱抵抗体と低融点合金体とのショート１９０が生
じるのである。これは特に発熱抵抗体１９３と低融点合金体１９２との
電位差が大きくなればなるほど生じやすくなり，また両者を隔てている
絶縁薄膜の厚みが薄くなればなるほど生じやすい。」（段落【０００６
】）
「また一般に低融点合金体は周囲にフラックスを伴っているため，こ
のようなショートが起こった場合には，そのスパークによってフラック
スが爆発的に化学反応を起こし，大量のガスを発生して抵抗付温度ヒュ
ーズがケースごと暴発するというような問題も生じる。かかる観点から，
図には示さないが，これにカバーをして内部の低融点合金体乃至はその
周囲に配置されたフラックスを外部の環境から完全に密封するというこ
とが困難になっており，場合によってはケースでこの低融点合金体や低
融点合金体やその周囲のフラックスを覆うもののカバーの一部に穴を開
けてそのような暴発を防ぐ構造を採用しているものもある。 （段落
」 【０
００７】）
「しかしながら，そのような構造を採用した場合には結果としてカバ
ーによる機密性を保つことができず，低融点合金体乃至はその周囲に配
置されるフラックスが周囲環境により劣化して抵抗付温度ヒューズ全体
の信頼性を損なうというような問題もあった。」（段落【０００８】）
「一方，図１１（ｂ）に示すような温度ヒューズの場合には，基板の
片面と他面にそれぞれ低融点合金体と発熱抵抗体とが別個に配置されて
いるため，両者間でショートが起こるというようなことはない。しかし
ながら同図（ａ）に示すものと比べて，発熱抵抗体と低融点合金体との
距離がセラミック基板を介して隔たっているため，発熱抵抗体から発生
する熱が低融点合金体に到達しにくく，また到達した場合であっても周
囲環境によるセラミック基板の温度分布のバラツキ等によって，その溶
断精度は大きな誤差が生じてくるのである。」（段落【０００９】）
「本発明は以上のように，従来の抵抗付温度ヒューズで問題となって
いるショートや溶断精度のバラツキを完全に解決し，ショートが生じず
かつ溶断精度も高い抵抗付温度ヒューズを提供することを目的としてい
る。」（段落【００１０】）
「【課題を解決するための手段】
これらの課題を解決するために本発明者等は以下のような解決手段を
提供するものである。即ち，セラミック基板の片面に低融点合金体を，
他面に発熱抵抗体を対向配置し，この発熱抵抗体に通電し前記セラミッ
ク基板を介して前記低融点合金体を加熱し，これを溶断することで回路
遮断をする抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平板状で
あって，前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に
配置され，かつ，この低融点合金体は両端及び中間部が電極に接続され，
前記発熱抵抗体は前記低融点合金体の中間部の電極を介して通電される
抵抗付温度ヒューズを提供する。」（段落【００１１】）
「また，本発明の抵抗付温度ヒューズの実装においては，抵抗付温度
ヒューズは回路基板上に実装するためのリード線を具備し，このリード
線はセラミック基板の片面もしくは他面に突設し，抵抗付温度ヒューズ
が回路基板上に配置された場合に，低融点合金体もしくは発熱抵抗体と
回路基板との間に空隙が形成されるようにした抵抗付温度ヒューズを提
供する。」（段落【００１２】）
「更に，セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体
を配置し，この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低
融点合金体を加熱し，これを溶断することで回路遮断をする抵抗付温度
ヒューズであって，前記低融点合金体は平板状であってその両端及び中
間部が電極に接続され，前記セラミック基板の片面に発熱抵抗体と対向
する位置に配置され，前記発熱抵抗体には前記低融点合金体の中間部電
極を介して通電されると共にこの中間部はセラミック基板上に設けた良
熱伝導体で支持される抵抗付温度ヒューズを提供する。」（段落【００
１３】）
「【発明の実施の形態】
本発明の抵抗付温度ヒューズは，セラミック基板の片面に低融点合金
体を，他面に発熱抵抗体を配置し，この発熱抵抗体に通電し前記セラミ
ック基板を介して前記低融点合金体を加熱し，これを溶断することで回
路遮断をする抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平板状
であってその両端及び中間部が電極に接続され，前記セラミック基板の
片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置され，前記発熱抵抗体には
前記低融点合金体の中間部電極を介して通電されると共にこの中間部は
前記セラミック基板上に設けた良熱伝導体で支持される。以下，本発明
の前提となる抵抗付温度ヒューズについて図面を参照しつつ説明する
と，図１および図２はセラミック基板１１の片面１１ａに低融点合金体
１２を他面１１ｂに発熱抵抗体１３を配置し，この発熱抵抗体に通電し，
前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱し，これを溶断す
ることで回路を遮断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金
体は平板状であって，前記セラミック基板の片面に対向配置されている
抵抗付温度ヒューズである。」（段落【００１４】）
「この温度ヒューズの特徴点は，実質的には低融点合金体１２が平板
状で発熱抵抗体１３に対して対向配置されている点にある。このような
構造をとることにより得られる効果としては，図１１（ａ）に示した抵
抗付温度ヒューズと異なり，低融点合金体１２と発熱抵抗体１３がセラ
ミック基板１１の異なる面１１ａ，１１ｂに配置されているため，両者
間でショートが起こらないことの上に，従来図１１（ｂ）に示すように
低融点合金体１８２の断面が円形で，いわゆる丸棒状のものが用いられ
ていたのに対し，本発明ではこれを平板状とし，かつセラミック基板１
１の上に対向配置したので，発熱抵抗体から発生する熱を吸収する面積
が広くなり，従って熱を効率良く低融点合金体１２に取り込むことがで
き，セラミック基板１１の温度分布のバラツキ等によっても動作精度が
低下しにくいことにある。」（段落【００１５】）
「なお，図１（ａ）に記載する斜視図においては，ケース１４が分離
して記載されているが，使用状態においてはこのケース１４をセラミッ
ク基板１１に対して気密に密着して，低融点合金体１２乃至は図示しな
いが低融点合金体の周囲に配置されるフラックスを外気環境から保護す
ることができる。」（段落【００１６】）
「これは前述のように，セラミック基板１１の異なる面に低融点合金
体１２と発熱抵抗体１３を配置しているため，両者間でショートが起こ
らないので，ショートによる暴発というような問題も生じないためであ
る。」（段落【００１７】）
「なお，図１（ｂ）はこの抵抗付温度ヒューズの正面図で，セラミッ
ク基板の片面１１ａには低融点合金体１２が配置され，この基板に対し
て対向する他面１１ｂには発熱抵抗体１３が形成配置され，それぞれ電
極ａ，ｂ間に遮断すべき回路の電流が，また電極ｃ，ｄ間に発熱抵抗体
１３への電流が通ずるようになっている。」（段落【００１８】）
「一方，発熱抵抗体の方は，セラミック基板を介してその裏側に配置
されており，ｃ，ｄを通じて電流が流され，ジュール熱によって発熱し
て上記低融点合金体１２を溶断するようになっている。また，本発明に
おける平板状とは，必ずしも矩形状のものに限られることなく， （ｂ）
図２
や図２（ｃ）に示すようなものであってもよいことは言うまでもない。
要は，板状のものであってその主面が発熱抵抗体１２が形成されている
セラミック基板の裏側にベッタリくっついているような状態であればい
いのである。」（段落【００１９】）
「本発明は前述のようにセラミック基板の片面に低融点合金体を他面
に発熱抵抗体を配置し，この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を
介して前記低融点合金体を加熱し，これを溶断することで回路遮断する
抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平板状であり，その
両端及び中間部が電極に接続され，前記発熱抵抗体は前記中間部の電極
を介して通電される抵抗付温度ヒューズである。本発明の実施例は図３
および図４に示され，参考として一般の回路図を図５に示す。本発明の
特徴は図３で説明すれば，要するに低融点合金体４２の両端のみならず
中間部に電極４５が接続され，その電極４５を介して前記発熱抵抗体４
３に通電される点にある。以下にこのようにして通電することの効果を
説明する。」（段落【００２０】）
「まず，図５に示すものは，従来の一般的な抵抗付温度ヒューズの配
線である。たとえば充電器に用いる場合には，充電器側はａ，バッテリ
ー側はｂとなり，温度ヒューズがａ，ｂ下に配され，ツェナーダイオー
ド６６とトランジスタ６７を介して発熱抵抗体６３が配置され，この発
熱抵抗体はツェナーダイオードが一定以上の電圧によりトランジスタ６
７に通電することによって電流が流れて発熱し，低融点合金体が溶断す
るようになっている。この場合，低融点合金体が溶断すると，ａ，ｂ間
で温度ヒューズの部分の回路は遮断されるのであるが，発熱抵抗体はそ
のまま加熱しつづけることになるため，最終的にはこの発熱抵抗体によ
って２次的な電子機器への損傷が生じる場合がある。しかしながら，本
発明の具体例である図３（ｂ）に示すような回路をとった場合には，発
熱抵抗体４３’は低融点合金体４２’の中間電極４５’を介して通電さ
れるため，発熱抵抗体４３’の発熱により，低融点合金体４２’が溶断
した場合にはもはや発熱抵抗体４３’に通電されなくなって，発熱抵抗
体４３’自身の発熱もとまることになる。」（段落【００２1】）
「したがってこのような構造をとれば，前記のような２次的な電子機
器等の損傷も防止することができる。また，本発明ではこのような中間
部に電極を配置する低融点合金体の形式として図４（ａ） （ｂ） （ｃ）
， ，
に記載するようなものが考えられる。ここでいう中間電極５５とは要す
るに低融点合金体５２に接続される入力部と出力部の電極の間に設けら
れる電極という意味であり，図４(ａ)のような場合のみならず， （ｂ）
図４
のようなものもその中間部に存在するものは中間部の電極である。図
４（ｂ）のような構成をとる場合には本発明の効果を得ることはもちろ
んのこと，低融点合金体５２の全長を短くすることができるので，抵抗
付温度ヒューズの全体の長さ乃至は幅を小さくすることが可能というメ
リットもある。」（段落【００２２】）
「またこの中間部に電極を設けることとは図４（ｃ）に描写するよう
に，低融点合金体を２つに分け３つの電極にそれぞれ橋渡しをするよう
な場合も考えられる。しかしながら図４（ｃ）の場合には，中間部の電
極部分で低融点合金のボリュームが一部欠落するので図４(ａ)のものに
比べれば熱の吸収乃至は溶断に対して不利であることはいなめない。し
たがって，好ましくは，図３（ａ）に示すように，低融点合金体は一体
のものであって，その一体の低融点合金体の中間部に電極を配置して，
その電極でもって低融点合金体を支持するような構成にするのがよいで
あろう。」（段落【００２３】）
「セラミック基板の片面には３つの電極が配置されており，真ん中の
電極が中間部の電極４５，その中間部の電極の真下には発熱抵抗体が配
置されている。なお，この図においては配線等は省略されている。 （段
」
落【００２４】）
「次に本発明の抵抗付温度ヒューズの回路基板上への実装においては，
セラミック基板の片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，
この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体
を加熱し，これを溶断することで回路遮断する抵抗付温度ヒューズは，
そのリード線が前記セラミック基板に突設され，この抵抗付温度ヒュー
ズが回路基板上に配置された場合に，発熱部と回路基板との間に空隙が
形成される。」（段落【００２５】）
「本発明の抵抗付温度ヒューズの実装構造を示したのが図６，図７お
よび図８である。図６に示すように，この実施例の特徴点は，要するに
この抵抗付温度ヒューズに用いられるリード線７７，７７’を利用する
ことで発熱抵抗体７３，７３’と回路基板７９，７９’との間に隙間７
８，７８’を形成するようにした点にある。このように隙間７８，７８
’を形成することの趣旨は，発熱抵抗体の熱によって低融点合金体７２，
７２’を精度よく溶断する点にある。発熱抵抗体７３，７３’の熱は望
ましくは１００％低融点合金体７２，７２’の溶断に用いられるのがよ
いのであるが，低融点合金体の溶断に用いられる熱はその一部であるの
が実情である。これは熱の伝達経路を完全にはコントロールすることは
できないので，発熱抵抗体から発生する熱はあらゆる方向に発散してい
くためである。その発散経路の一つとして発熱抵抗体が最も近接してい
る，乃至は密着している回路基板７９，７９’への熱の放散がある。回
路基板７９，７９’は一般的にはガラスエポキシ等で形成されるプリン
ト基板であるが，非常に大きな熱容量をもっているため，発熱抵抗体か
らのここへの熱の放散量は多く，したがって発熱抵抗体で生じる熱が低
融点合金体を溶断するために用いられる利用効率は非常に小さいものに
なっているのが実情のようである。しかしながらこの実施例のように，
発熱抵抗体７３，７３’と回路基板７９，７９’の間に隙間７８，７８
’を形成してやれば，この間の伝熱は熱放射が多くなるので，発熱抵抗
体からの熱を有効に低融点合金体７２，７２’の溶断に利用することが
できるようになるのである。」（段落【００２６】）
「また，この隙間７８，７８’を形成するためには，別途新たな材料
を用意することなく，この抵抗付温度ヒューズのリード線７７，７７’
を用いるのがよい。リード線は図６に示すように発熱抵抗体が生じてい
る他面側に凸接して形成されるため，リード線７７，７７’によってこ
のセラミックス基板が回路基板から持ち上げられ，結果として発熱抵抗
体と回路基板との間に一定の隙間７８，７８’が生じるのである。いう
までもなくこの隙間は広ければ広いほど発熱抵抗体からの熱の有効利用
が図られるのである。またこのようにリード線でもって発熱抵抗体をプ
リント基板から隔離する方法としてリード線を図６(ａ)のようにハの字
状に形成することのほか，図６（ｂ）のようにセラミック基板７１’の
下側で折り曲げることによって，隙間を設けるような方法もある。いず
れの構造をとるかは設計的なものであるが，同図６（ｂ）のような配置
をとる場合にはリード線が余分に回路基板上の面積を占有することもな
いので，小型化が可能であるというメリットがある。また，この実施例
において，他面側に突接されたリード線が他面側に植設されていること
を意味するものではない。」（段落【００２７】）
「例えば図７（ａ），（ｂ）に示すような構造も含む趣旨である。図
７（ａ），（ｂ）はそれぞれリード線８７，８７’がハの字状乃至は折
りたたまれてセラミック基板８１，８１’の下面側に配置される場合を
示すものであるが，図６に示すものとの相違点はリード線の植設されて
いる位置が発熱抵抗体８３，８３’が配置されている他面８１ｂ，８１
ｂ’側である点である。このように他面側にリード線を配置しても，発
熱抵抗体８３，８３’と回路基板８９，８９’との間に隙間８８，８８
’を形成することには変わりないので十分な効果を発揮することができ
る。ただし，より好ましくは図６に記載されているようにリード線は他
面側ではなく片面側，すなわち低融点合金体側に植接され他面側に突設
されているような構成のものがよい。」（段落【００２８】）
「なぜなら，リード線は一般的に金属材料で作られ，熱伝導率が高い
のでこのようなものを発熱抵抗体の近傍に配設するよりはむしろできる
だけ発熱抵抗体から隔離して配置した方が有利である。したがって，発
熱抵抗体に近傍して配置せざるを得ない図７記載のような構成よりは発
熱抵抗体が構成されている他面と異なる面であるか他面側にリード線が
植設された構成のものが伝熱の観点から有利である。」（段落【００２
９】）
「本発明は前述のように，セラミック基板の片面に低融点合金体を，
他面に発熱抵抗体を配置し，この発熱抵抗体に通電し，前記セラミック
基板を介して前記低融点合金体を加熱し，これを溶断することで回路遮
断をする抵抗付温度ヒューズであって，この抵抗付温度ヒューズのリー
ド線は前記片面側に突設され，この抵抗付温度ヒューズが回路基板上に
配させれた場合に前期低融点合金体と回路基板との間に隙間が形成され
るようにした抵抗付温度ヒューズである。」（段落【００３０】）
「図８に示す変形例においては，低融点合金体９２ａ-ｄが回路基板側
９９ａ-ｄに発熱抵抗体９３ａ-ｄがセラミック基板９１ａ-ｄを介して
回路基板９９ａ-ｄとは逆側配置されるようにしている。このように発熱
抵抗体を逆側に配置すれば近傍に回路基板があることもないので，発熱
抵抗体から発生する熱は，なおさら低融点合金体を溶断するために利用
されやすくなる。また低融点合金体もリード線でもって回路基板との間
に隙間が形成されるようにされているので，低融点合金体から回路基板
への伝熱も少なくなり，発熱抵抗体からの熱が有効に回路基板側に配置
されている低融点合金体の溶断に使われるのである。」（段落【００３
１】）
「更に別の実施例として，前述のようにセラミック基板の片面に低融
点合金体を他面に発熱抵抗体を配置し，この発熱抵抗体に通電し前記セ
ラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱し，これを溶断すること
で回路遮断をする抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体の中
間部は前記セラミック基板上に配される良熱伝導体で支持される抵抗付
温度ヒューズがある。この実施例の特徴点は，要するにセラミック基板
上に配される良熱伝導体が低融点合金体の中間部を支持するようにして
いる点にある。」（段落【００３２】）
「このように良熱伝導体で低融点合金体の一部を支持することの趣旨
は，その部分に発熱抵抗体からの熱を集中的に分配してやって低融点合
金体の溶断をコントロールしてやることにある。即ち，図９に示すよう
に発熱抵抗体の熱はセラミックス基板を介して低融点合金体１０２，１
０２’に至るのであるが，低融点合金体がセラミックス基板１０１，１
０１’上に配置されている場合はもちろんのこと，離隔して配置されて
いる場合であっても低融点合金体のどの部分に集中して熱を与えられる
ということはなく，全体としてある一定のバラツキを持って低融点合金
体が加熱されるのである。」（段落【００３３】）
「しかしながら上述の実施例のように，セラミック基板上に良熱伝導
体１００，１００’を配置して良熱伝導体の一部を低融点合金体に接触
支持するようにしてやれば，セラミック基板を伝わってきた熱は空間に
発散するよりはむしろその良熱伝導体の部分を通じて低融点合金体に与
えられ，低融点合金体のかかる良熱伝導体で支持される部分が集中的に
過熱されるようになるのである。したがって，このように良熱伝導体で
もって低融点合金体へ流れる熱の経路を設計してやることができるの
で，低融点合金体の溶断個所を任意に決めることができる。本発明の場
合には，そのばらつき等も考慮して，これを低融点合金体の中間部とし
ているのである。ただし，中間部とは真ん中という意味ではなく，低融
点合金体の両端の電極１０５，１０５’近傍を含まない広い中央部分を
指すのである。また，良熱伝導体としては，金属材料例えば銅や鉄や金
のようなものも考えられるが，図９（ｂ）に示すようにセラミック基板
の一部を突出させて，セラミック基板から良熱伝導体１００’を形成し，
その部分で低融点合金体を支持するような構造にしても良いのである。
例えば，このようなセラミック材料としては，熱伝導率が比較的良いア
ルミナ，窒化アルミ，炭化シリコンのようなものが挙げられる。」（段
落【００３４】）
「【発明の効果】
以上説明したように，本発明においてはセラミック基板の片面に平板
状の低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，低融点合金体の両端
および中間部に電極を設置し，その中間部の電極を介して発熱抵抗体に
通電するように伝熱経路を設計し，熱の分配を確実に行えるようにした
ので，低融点合金体の溶断タイミングを精度良く確保することが可能と
なった。また，この種の抵抗付温度ヒューズの低融点合金体を含む部分
にケースでふたをし気密に封止した場合には，これらの機能部分の対環
境性を確実に高めることができ，かつ，ショート等によりフラックスが
暴発するということも無いので，信頼性の高い温度ヒューズを提供する
ことができる。また，低融点合金体と発熱抵抗体をそれぞれ異なる基板
上に形成するタイプの抵抗付温度ヒューズにおいては，以上述べたよう
な発明のメリットのほかに，カバーを特別に用意しなくても良く，材料
を 少 な く す る 抵抗 付温 度 ヒ ュ ー ズ を実 現す る こ と が で きる ので あ
る。」（段落【００３６】）
ウ 前記ア及びイによれば，本件明細書には，本件発明１に関し，次のよう
な開示があることが認められる。
電子機器等の回路の電圧等をセンシングし，その値が危険値に達して
いる場合に，発熱抵抗体に通電して発熱させ，その熱を低融点合金体か
らなる温度ヒューズに伝熱し，温度ヒューズを溶断し，当該回路を遮断
する仕組みの抵抗付温度ヒューズには，従来から，基板（１８１）の片
面に発熱抵抗体（１８３）と低融点合金体（１８２）とが絶縁層（１８
９）を介して積層配置された構造のもの（別紙１の図１１（ａ））と，
基板（１８１’）の片面に低融点合金体（１８２’）を，他面に発熱抵
抗体（１８３’）をそれぞれ配置した構造のもの（同図１１（ｂ））が
あった。
しかし，前者の構造のもの（別紙１の図１１（ａ））は，絶縁層の薄
膜に欠陥がある場合に発熱抵抗体と低融点合金体とのショートが生じる
という問題があった。また，一般に低融点合金体は周囲にフラックスを
伴っているため，このようなショートが起こった場合には，フラックス
が爆発的に化学反応を起こし，大量のガスを発生して抵抗付温度ヒュー
ズがケースごと暴発するというような問題が生じることから，ケースに
よるカバーで低融点合金体やその周囲のフラックスを外部の環境から完
全に密封することが困難になっており，場合によってはカバーの一部に
穴を開けてそのような暴発を防ぐ構造を採用しているものもあった。そ
のような構造を採用した場合には結果としてカバーによる機密性を保つ
ことができず，低融点合金体ないしはその周囲に配置されるフラックス
が周囲環境により劣化して抵抗付温度ヒューズ全体の信頼性を損なうと
いう問題もあった。
一方で，後者の構造のもの（別紙１の図１１（ｂ））は，基板の片面
と他面にそれぞれ低融点合金体と発熱抵抗体とが別個に配置されている
ため，両者間でショートが起こるというようなことはないが，前者の構
造のもの（別紙１の図１１（ａ））と比べて，発熱抵抗体と低融点合金
体との距離がセラミック基板を介して隔たっているため，発熱抵抗体か
ら発生する熱が低融点合金体に到達しにくく，また，到達した場合であ
っても周囲環境によるセラミック基板の温度分布のバラツキ等によっ
て，その溶断精度は大きな誤差が生じてくるという問題があった。
本件発明１は，従来の抵抗付温度ヒューズで問題となっているショー
トや溶断精度のバラツキを完全に解決し，ショートが生ぜず，かつ，溶
断精度も高い抵抗付温度ヒューズを提供することを目的とするものであ
り，これらの課題を解決するための手段として，セラミック基板の片面
に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を対向配置し，この発熱抵抗体に
通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱し，これを
溶断することで回路遮断をする抵抗付温度ヒューズであって，前記低融
点合金体は平板状であって，前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗
体と対向する位置に配置され，かつ，この低融点合金体は両端及び中間
部が電極に接続され，前記発熱抵抗体は前記低融点合金体の中間部の電
極を介して通電される構成を採用し，さらには，前記低融点合金体の周
囲にフラックスが配置され，ケースが前記セラミック基板に対して気密
に密着して前記フラックスを外気環境から保護する構成を採用した。
本件発明１は，低融点合金体と発熱抵抗体とがセラミック基板の異な
る面に配置されているため，両者間でショートが生じることがない上，
従来は，別紙１の図１１（ｂ）に示すように断面が円形で，いわゆる丸
棒状の低融点合金体が用いられていたのに対し，これを平板状とし，か
つ，セラミック基板の上に対向配置したので，発熱抵抗体から発生する
熱を吸収する面積が広くなり，熱を効率良く低融点合金体に取り込むこ
とができるので，低融点合金体の溶断タイミングを精度良く確保するこ
とが可能となり，また，低融点合金体を含む部分にケースでふたをし気
密に密着して封止したことにより，低融点合金体やその周囲のフラック
スを外気環境から保護し，これらの対環境性を確実に高めるという効果
を奏する。
甲２の記載事項について
甲２には，次のような記載がある（下記記載中に引用する図面については
別紙２を参照）。
ア 「実用新案登録請求の範囲
絶縁基板の片面に複数個の膜状低融点金属体を設け，これらを膜状導体
で直列に接続し，同絶縁基板の他面に上記の複数箇の各膜状低融点金属体
に対応して複数箇の膜状抵抗体を設けたことを特徴とする抵抗体付温度ヒ
ユーズ。」（１欄１行～６行）
イ 「＜産業上の利用分野＞
本考案は基板型の抵抗体付温度ヒユーズの改良に関するものであ
る。」（１欄８行～１０行）
ウ 「＜先行技術と問題点＞
基板型の抵抗体付温度ヒユーズとして，絶縁基板の片面に膜状抵抗体を
設け，同絶縁基板の他面に膜状低融点金属体を設けたものが公知である。
この抵抗体付温度ヒユーズの使用要領は，過電流による膜状抵抗体の発
生熱を膜状低融点金属体に伝達して，この低融点金属体を溶断させ，この
溶断によつて上記過電流を遮断することにある。しかしながら，膜状抵抗
体の発生熱が絶縁基板の厚みを経て膜状低融点金属体に伝達する熱経路の
熱伝達特性が悪いから，作動特性に劣るといつた不利がある。」（１欄１
１行～２２行）
エ 「＜考案の目的＞
本考案の目的は，基板型の抵抗体付温度ヒユーズにおいて，熱伝達特性
の改良により作動特性の向上を図ることにある。 （１欄２３行～２６行）
」
オ 「＜考案の構成＞
本考案に係る抵抗体付温度ヒユーズは，絶縁基板の片面に複数箇の膜状
低融点金属体を設け，これらを膜状導体で直列に接続し，同絶縁基板の他
面に上記の複数箇の各膜状低融点金属体に対応して複数箇の膜状抵抗体を
設けたことを特徴とする構成である。」（２欄１行～７行）
カ 「＜実施例の説明＞
以下，図面により本考案を説明する。
第１図は本考案に係る抵抗体付温度ヒユーズを示す上面説明図，第２図
は同ヒユーズを示す背面説明図である。
図において，１は絶縁基板であり，例えばセラミツクス板を用いること
ができる。２１，２１並びに２２，２２は基板の片面に設けた膜状の対電
極であり，絶縁基板１の中心線ｎ－ｎに対し対称的に設けてある。３１，
３２は各電極２１，２１，２２，２２間に設けた膜状抵抗体であり，両者
の寸法，厚みは同一である。４，……は各対電極に対するリード導体，５
は絶縁コートである。６１，６２は基板１の他面に設けた膜状低融点金属
体体であり，上記の各膜状抵抗体３１，３２と同じ位置に設けてある。従
つて，各膜状低融点金属体６１，６２は中心線ｎ－ｎに対し対称的に存在
している。７１，７２はフラツクスである。８は膜状低融点金属体６１，
６２を直列に接続せる膜状導体である。９１，９２は各膜状低融点金属体
６１，６２に対する膜状補助導体であり，終端ランド９１０，９２０中心
線ｎ－ｎ上に存在している。１０，１０は各ランドに接続せるリード導体，
１１は絶縁コートである。
上記ヒユーズの作動においては，過電流による膜状抵抗体の発熱によつ
て膜状低融点金属体が溶断するが，膜状低融点金属体が２箇の膜状抵抗体
により，すなわち，２箇の熱源により加熱されるから，その熱伝達効率が
良好である。従つて， ヒユーズの作動迅速性をよく保証できる。
また，２箇の膜状抵抗体のそれぞれに対応して膜状低融点金属体を設け
てあり，熱発生源並びに受熱体がヒユーズに対して左右対称的であり，各
熱発生源に基づく熱分布が左右対称となつて，その重量熱分布が一様とな
るから，ヒートサイクルによりヒユーズに発生する歪を一様になし得る。
従つて，ヒユーズ作動時までの多回数ヒートサイクル中に，抵抗体付温度
ヒユーズが早期破損するのをよく防止でき，苛酷なヒートサイクル下でも
支障なく使用できる。」（２欄８行～４欄１行）
キ 「＜考案の効果＞
このように，本考案に係る基板型の抵抗体付温度ヒユーズにおいては，
絶縁基板の両面にその基板の厚みを隔てて膜状抵抗体と膜状低融点金属体
とを設けたにもかかわらず，作動迅速性を充分に確保でき，しかも，ヒー
トサイクル中での歪発生も均一に分散でき，苛酷なヒートサイクル下でも
安定性を保証できる。
なお，本考案においては，膜状低融点金属体の箇数並びにこれらに対応
する膜状抵抗体の箇数をそれぞれ３箇とすることも可能である。」（４欄
２行～１２行）
甲１５の記載事項の認定の誤りの有無について
原告らは，本件審決は，甲１５の外部ケースは，基板に対して密着してい
ると認められるものの，外部発熱体，低融点金属体及び内側封止部を完全に
密封するものではなく，場合によってはカバーの一部に穴を開けて暴発を防
ぐ構造となっていると理解するのが相当であるから，相違点２に係る本件発
明１の構成のものとは異なる旨認定したが，当業者は，甲１５の外部ケースは，
低融点金属体等の溶融物が流出することを防止するとともに，フラックス（内
側封止部）の劣化を防止するために，ケースの内側と外側とで気体の通過を遮
断するように完全に密封して，低融点金属体及び内側封止部の外側を覆ってい
ると認識するというべきであるから，本件審決の認定は誤りである旨主張す
るので，以下において判断する。
ア 甲１５には，次のような記載がある（下記記載中に引用する図面につい
ては別紙６を参照）。
「【産業上の利用分野】本発明は，ヒューズ等の低融点金属体を使用
した保護素子に関する。特に，本発明は，所定電圧以上の過電圧を防止
するために有用な保護素子に関する。」（段落【０００１】）
「【従来の技術】従来より，鉛，スズ，アンチモン等の低融点金属体
を使用した保護素子としては，過電流により溶断して電流を遮断する電
流ヒューズが広く使用されている。このヒューズの形態としては，短冊
状の低融点金属体の両端につめをつけたつめ付きヒューズ，棒状の低融
点金属体をガラス管内に封入した筒型ヒューズ，直方体形状の低融点金
属体にリード端子を設けたチップ型ヒューズ等が知られている。この他，
保護素子としては，所定温度を超えると溶断する温度ヒューズも使用さ
れている。」（段落【０００２】）
「【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の保護素子に
は，いずれの態様のものについても，配線基板上に表面実装しにくいと
いう問題がある。これに対しては，直方体形状の樹脂内にヒューズを埋
め込んで封止し，その直方体形状の樹脂表面にヒューズのリード端子を
形成したチップ型ヒューズが提案されている（特開平４－１９２２３７
号）。しかし，単に樹脂内にヒューズを埋め込んで封止するだけでは，
過電流が流れたときにヒューズが溶解はしても，必ずしも溶断には至ら
ないので，安定的に保護素子として機能させることができないという問
題がある。」（段落【０００３】）
「また，市販されているチップ型ヒューズの大きさは，小さいもので
も厚さ２．６×幅２．６×長さ６ｍｍ程度あり，基板に搭載する他の電
子部品に比して大きい。特に，ＩＣの厚みが一般に１ｍｍ程度であるの
に対して，チップ型ヒューズの厚みが約２．６ｍｍ程度と著しく大きく
なっている。そのため実装後の基板の高さがチップ型ヒューズで制約さ
れることとなり，実装スペースの低減を妨げている。したがって，チッ
プ型ヒューズの厚みも１ｍｍ程度に小型化させることが課題となってい
る。」（段落【０００４】）
「また，近年の産業の発展に伴い，従来の電流ヒューズや温度ヒュー
ズの他に，過電圧により動作する保護素子が求められるようになってい
る。」（段落【０００５】）
「例えば，高エネルギー密度の二次電池として注目されているリチウ
ムイオン電池では，過充電により電極表面にデンドライトが生成し，電
池性能が大きく損なわれるので，充電時に電池が所定電圧以上に充電さ
れることを防止することが必要となる。しかしながら，このような過電
圧を防止するために有用な保護素子はこれまでに開発されていない。実
際，リチウムイオン電池の保護機構としては，短絡等により規定値以上
の電流が電池に流れた場合にＰＴＣが発熱し，ヒューズが溶断するよう
にした保護機構は設けられているが，このような保護機構は過充電の防
止のためには使用することができない。このため，過充電を防止するた
めの新たな保護素子が求められており，特に，このような電池の充電時
等に使用する保護素子として，発火等の危険がない，使用上の安全性の
高いものが求められている。」（段落【０００６】）
「本発明は以上のようなヒューズに関する従来技術の問題点を解決し
ようとするものであり，過電圧を防止することのできる新たな保護素子
を提供することを第１の目的とする。また，従来の電流ヒューズも含め
て，チップ型の保護素子を，安定的な動作を確保しつつ，より小型化さ
せることを第２の目的とする。」（段落【０００７】）
「【課題を解決するための手段】本発明者らは，無機系基板上に無機
系材料からなる発熱体，絶縁層及び低融点金属体を順次積層した素子が
過電圧を防止する保護素子として有用であることを見出し，第１の本発
明を完成させるに至った。また，そのような過電圧防止用の保護素子だ
けでなく，従来の電流ヒューズも含めて，チップ型の保護素子を形成す
る場合に，基板上に低融点金属体を配設後，その低融点金属体よりも低
融点又は低軟化点の材料で低融点金属体を封止し，さらにその外側を空
隙を置いて外部ケースで覆うと，保護素子の機能を損なうことなく小型
化できることを見出し，第２の本発明を完成させるに至った。」（段落
【０００８】）
「すなわち，本発明は，第１の発明として，無機系基板上に配設され
た無機系材料からなる発熱体，該発熱体の表面を覆う絶縁層，及び該絶
縁層上に配設された低融点金属体からなることを特徴とする保護素子を
提供する。」（段落【０００９】）
「また，本発明はこのような保護素子を用いた過電圧防止装置として，
保護素子と電圧検知手段からなり，電圧検知手段が所定電圧以上の電圧
を検知することにより保護素子の発熱体が通電され発熱されるようにし
たことを特徴とする過電圧防止装置を提供する。」（段落【００１０】）
「さらに本発明は，第２の発明として，基板上に配設した低融点金属
体，該低融点金属体よりも低融点又は低軟化点材料からなり，該低融点
金属体を封止する内側封止部，及び該内側封止部と空隙を置いて該内側
封 止 部 を 覆 う 外側 ケー ス か ら な る 過電 流防 止 用 保 護 素 子を 提供 す
る。」（段落【００１１】）
「以上のように，本発明の保護素子は，無機系基板２上に配設された
無機系材料からなる発熱体３，絶縁層４，低融点金属体５から構成する
ことができるが，さらに図２あるいは図３に示すように低融点金属体５
を内側封止部８で封止し，さらにその外側を外部ケース又は外側封止部
で覆うことが好ましい。」（段落【００２１】）
「即ち，図２は，上述の図１の保護素子１ａの低融点金属体５を，該
低融点金属体５よりも低融点又は低軟化点を有する内側封止部８で封止
し，さらにその内側封止部８を外側ケース９で覆った保護素子１ｂの断
面図である。」（段落【００２２】）
「低融点金属体５の表面が酸化されると，低融点金属体５が本来の溶
融温度に加熱されても，その表面酸化部分が溶融せず，そのために低融
点金属体５が溶断しない場合が生じるが，このように内側封止部８で低
融点金属体５を封止することにより，低融点金属体５の表面酸化を防止
できるので，低融点金属体５が所定温度に加熱された場合の溶断を確実
に生じさせることが可能となる。また，内側封止部８は，低融点金属体
５よりも低融点又は低軟化点を有する材料から形成するので，この内側
封止部８による低融点金属体５の封止により，低融点金属体５の溶断が
阻害されることはない。」（段落【００２３】）
「内側封止部８には，単に低融点金属体５の表面酸化を防止するだけ
でなく，表面に形成された金属酸化膜の除去作用をもたせることが好ま
しい。したがって，内側封止部８の封止材料としては，例えば，有機酸，
無機酸等の金属酸化膜の除去作用を有する封止材料を使用することが好
ましい。なかでも，主成分としてアビエチン酸を含有する非腐食性の固
形フラックスが好ましい。これは，アビエチン酸は室温では固形で不活
性であるが，約１２０℃以上に加熱されると溶融し，活性状態となって
金属酸化物の除去作用を発揮するので，低融点金属体５が所定温度に加
熱された場合の溶断を確実化できるだけでなく，保護素子の保存安定性
も向上させることができるからである。また，固形フラックスを用いて
内部封止部８を形成する方法としては，クレーター防止の点から，溶剤
を使用することなく固形フラックスを加熱溶融させ，その溶融物を低融
点金属体５上に塗布することが好ましい。」（段落【００２４】）
「内側封止部８の厚さは，その封止材料の種類等にもよるが，通常は
低融点金属体５の表面酸化の防止の点，あるいは表面酸化膜の除去能の
点から，約１０～１００μｍとすることが好ましい。」（段落【００２
５】）
「外側ケース９は，低融点金属体５や内側封止部８が溶解した場合に，
保護素子からそれらの溶融物が流出することを防止するために設けられ
ている。この外側ケース９は，図２に示したように内側封止部８と空隙
１０を置いて配することが好ましく，この場合，空隙の垂直方向の大き
さｄ1 は５０～５００μｍ程度，水平方向の大きさｄ2 は０．２～１．
０ｍｍ程度とすることが好ましい。このような大きさの空隙１０により，
低融点金属体５や内側封止部８が溶融した場合に，溶融物が移動するス
ペースが確保されるので，確実に溶断を生じさせることが可能とな
る。」（段落【００２６】）
「外側ケース９の構成素材については特に制限はないが，内側封止部
８と空隙をあけたハウジング形状とする点，及び耐熱性，難燃性の点か
ら，難燃剤が添加された４，６－ナイロンあるいは液晶ポリマー等を使
用することが好ましい。」（段落【００２７】）
「以上のように，低融点金属体５を内側封止部８で封止し，さらにそ
の内側封止部８と空隙１０をもたせて外側ケース９で覆うと，低融点金
属体５の表面を保護し，低融点金属体５が所定温度に加熱された場合の
溶断の確実性を確保し，かつ保護素子の全体としての厚みＤを１ｍｍ程
度以下にすることができる。したがって，このよう保護素子１ｂは，保
護素子としての動作の信頼性と小型化の要請に応えた優れた保護素子と
なる。」（段落【００２８】）
「なお，低融点金属体５を内側封止部８で封止し，さらにその内側封
止部８に対して空隙１０をもたせて外側ケース９で覆うという構成自体
は，発熱体３をもたない保護素子にも適用することができる。即ち，図
２に示した保護素子１ｂには，後述するように過電圧防止装置において
機能させられるように発熱体３が設けてあるが，このような発熱体３を
もたない従来の過電流防止用のチップ型ヒューズにおいても，その低融
点金属体を内側封止部で封止し，さらにその外側を空隙を置いて外側ケ
ースで覆うことは，保護素子としての動作の信頼性を向上させ，かつ素
子の小型化を図る上で有用であり，これによりチップ型ヒューズの厚さ
を従来の５０％程度に低減させることができる。したがって，本発明は，
基板上に配設した低融点金属体，その低融点金属体よりも低融点又は低
軟化点材料からなり，その低融点金属体を封止する内側封止部，及びそ
の内側封止部と空隙を置いて内側封止部を覆う外側ケースからなる過電
流防止用保護素子も包含する。」（段落【００２９】）
「実施例２
実施例１で作製した保護素子の低融点金属体５上にペースト状フラック
ス（ＨＡ・７８・ＴＳ－Ｍ，タルチン社製）を約０．５ｍｍの厚さに塗
布することにより内側封止部８を形成し，次いで液晶ポリマー（Ｇ－５
３０，日石化学社製）を用いて成型された外側ケース９をエポキシ系接
着剤で接着することにより，図２に示した態様の保護素子を作製し
た。」（段落【００４５】）
「評価
実施例２及び実施例３の保護素子のそれぞれについて，低融点金属体用
端子７ａ，７ｂにデジタルマルチメーターを接続し，抵抗値を確認しな
がら発熱体用端子６ａ，６ｂ間に４Ｖの電圧を印加したところ，いずれ
の保護素子においても６０秒以内に低融点金属体５が溶断することが確
認された。このとき外側ケース９あるいは外側封止部１１からの低融点
金属体の流出は観察されなかった。」（段落【００４８】）
「【発明の効果】第１の本発明によれば，過電圧を防止することがで
き，安全性にも優れた保護素子を得ることができる。また，第２の本発
明によれば，チップ型の保護素子を，安定的な動作を確保しつつ，より
小型化させることが可能となる。」（段落【００５０】）
イ 前記アによれば，甲１５には，①別紙６の図２に示すように，基板２上
に配設された発熱体３，その表面を覆う絶縁層３及び当該絶縁層上に配設
された低融点金属体５から構成され，当該低融点金属体を内側封止部８で
封止し，さらにその内側封止部８を外側ケース９で覆っている保護素子（段
落【０００８】，【００２１】），②この外側ケース９は，低融点金属体
５や内側封止部８が溶解した場合に，保護素子からそれらの溶融物が流出
することを防止するために設けられていること（段落【０００８】），③
内側封止部８の内側封止部８の封止材料としては，主成分としてアビエチ
ン酸を含有する非腐食性の固形フラックスが好ましく（段落【００２４】 ，
）
また，外側ケース９の構成素材については特に制限はないが，難燃剤が添
加された４，６－ナイロンあるいは液晶ポリマー等を使用することが好ま
しいこと（段落【００２７】），④このように低融点金属体５を内側封止
部８で封止し，さらにその内側封止部８と空隙１０をもたせて外側ケース
９で覆うと，低融点金属体５の表面を保護し，低融点金属体５が所定温度
に加熱された場合の溶断の確実性を確保することができること（段落【０
０２８】），⑤発熱体３をもたない従来の過電流防止用のチップ型ヒュー
ズにおいても，その低融点金属体を内側封止部で封止し，さらにその外側
を空隙を置いて外側ケースで覆うことは，保護素子としての動作の信頼性
を向上させ，かつ，素子の小型化を図る上で有用であること（段落【００
２９】），⑥「実施例２」として，低融点金属体５上にペースト状フラッ
クスを約０．５ｍｍの厚さに塗布することにより内側封止部８を形成し，
次いで液晶ポリマーを用いて成型された外側ケース９をエポキシ系接着剤
で接着することにより，別紙６の図２の態様の保護素子を作製し，この保
護素子に接続した発熱体用端子６ａ，６ｂ間に４Ｖの電圧を印加したとこ
ろ，６０秒以内に低融点金属体５が溶断することが確認され，このとき外
側ケース９あるいは外側封止部１１からの低融点金属体の流出は観察され
なかったこと（段落【００４５】，【００４６】）が開示されていること
が認められる。
上記開示事項及び別紙６の図２によれば，図２の保護素子の外部ケー
ス（外側ケース９）は，基板に対して接着剤で接着し，溶断した低融点金
属体及びフラックスが外部ケースの内部から外部に流出しないように構成
されていることを理解することができる。
また，①甲３５（実願昭６０－１８０５７２号（実開昭６２－８８３３
０号公報）のマイクロフィルム）には，「本考案に係わる温度ヒューズは，
相対するリード線に可溶合金を溶着し，該リード線端部と前記可溶合金体
上に可溶合金の融解移動を助勢する働きをするフラックス作用を有する樹
脂を塗布せしめ，絶縁性ケース内に挿通し，前記絶縁性ケースの開口端を
封口樹脂で封止してなる温度ヒューズにおいて，前記絶縁性ケース内にフ
ラックス劣化防止剤を封入したことを特徴とする構成である。」（明細書
の５頁２行～１０行），「第１図及び第２図は本考案の一実施例の動作前
及び動作後の断面図である。１，１はリード線であり，銅線あるいは銀線
さらには銅線上にスズメッキまたははんだメッキ等が施してある。２は電
気的且つ機械的にリード線１，１に接続した導電性の可溶合金である。３
はフラックス作用を有する樹脂であり，可溶合金２の表面に被着されてい
る。４は可溶合金２を囲む絶縁性ケース，５，５は絶縁性ケース４の開口
両端部とリード線１，１とに封止した樹脂等の接着剤である。６は吸湿剤
または脱酸素剤から成るフラックス劣化防止剤であり，…フラックス作用
を有する樹脂３中に均一に分散させてある。」（明細書の５頁１３行～６
頁８行）との記載があること（第１図及び第２図については別紙７を参照），
②甲３６（特開平５－２８１８６７号公報）には，「図１３は合金タイプ
の温度ヒューズの一例であり，（Ａ）は平常時の縦断面図，（Ｂ）は動作
時の縦断面図である。」（段落【００３７】），「４３は該温度ヒューズ
９の外装セラミックケース，４４は該ケース内に位置させて両端部にそれ
ぞれ第１と第２のリード線３２・３４を溶接により接続した感温部材とし
ての合金からなる導電性可溶体である。この可溶体４４の外周はフラック
ス４５で覆われている。」（段落【００３８】），「４１・４１はケース
４３内の気密性を保たせるためにケース４３の両端開口部を閉塞させた封
口樹脂部である。」（段落【００３９】），「上述の感温ペレットタイプ
の温度ヒューズも，合金タイプの温度ヒューズも，上述したようにヒュー
ズケース３１ ４３内を封口樹脂４１により気密性を保たせているもので，
・
これはケース内を気密に保たないと，ケース内の感温ペレット４０や可溶
体４４・フラックス４５が経時的に変質してしまい，本来の動作温度以下
で作動してしまったり，逆に動作温度に達しても作動しなかったりして信
頼性が低下してしまうからである。」（段落【００４２】），「従来はそ
の封口樹脂４１として，リード線３２・３４を曲げ処置する等の際に封口
樹脂部に強い力が加わっても，はがれ・ひび・変形等して気密がやぶれな
いように，エポキシ樹脂等の，ある程度強度を持つ耐熱性非弾性材質の樹
脂を用いている。」（段落【００４３】）との記載があること（図１３に
ついては別紙８を参照）によれば，本件出願当時，可溶合金体及びこれを
被覆するフラックスを有する温度ヒューズにおいて，可溶合金体及びフラ
ックスの劣化防止のため，温度ヒューズをケース内に入れてその開口端を
封止し，可溶合金体及びフラックスを気密状態で保護することは周知であ
ったことが認められる。
上記周知技術に鑑みると，甲１５に接した当業者においては，別紙６の
図２の保護素子の外部ケース（外側ケース９）が基板に対して接着剤で接
着していることにより，外部ケースの内部と外部とで気体が流通しないよ
うに密閉された気密状態となっており，これにより低融点金属体及びフラ
ックスが外部ケースの外側の外気環境から保護されていると理解するもの
と認められる。
もっとも，甲１５には，図２の外部ケースが基板と接着していることに
より外部ケースの内部と外部とで気体が流通しないように密閉された状態
となる構造となっていることについては，明示的な記載はないが，他方で，
そのような構造となっていてないことをうかがわせる記載もないことに照
らすと，かかる明示的な記載がないことは，上記認定を妨げるものではな
い。
そうすると，甲１５の図２の保護素子は，その外部ケースが基板に対し
て接着剤で接着していることにより気密に密着してフラックスを外気環境
から保護しているものと理解することができるから，甲１５には，相違点
２に係る本件発明１の構成が開示されているものと認められる。
ウ この点に関し，本件審決は，甲１５の外部ケースは，低融点金属体及び
内側封止部とともに発熱体を覆うものであるから，本件明細書の段落【０
００７】，【０００８】に従来技術として記載されているとおり，発熱体，
低融点金属体及び内側封止部を完全に密封するものではなく，場合によっ
てはカバーの一部に穴を開けて暴発を防ぐ構造となっていると理解するの
が相当であり，相違点２に係る本件発明１の構成のものとは異なる旨認定
した。
本件審決が引用する本件明細書の段落【０００７】には，抵抗付温度ヒ
ューズの従来の技術の説明として，基板（１８１）の片面に発熱抵抗体（１
８３）と低融点合金体（１８２）とが絶縁層（１８９）を介して積層配置
された構造のもの（別紙１の図１１（ａ））に関し，基板上に配置された
発熱抵抗体と低融点合金体とのショートが生じた場合，「また一般に低融
点合金体は周囲にフラックスを伴っているため，このようなショートが起
こった場合には，そのスパークによってフラックスが爆発的に化学反応を
起こし，大量のガスを発生して抵抗付温度ヒューズがケースごと暴発する
というような問題も生じる。かかる観点から，図には示さないが，これに
カバーをして内部の低融点合金体乃至はその周囲に配置されたフラックス
を外部の環境から完全に密封するということが困難になっており，場合に
よってはケースでこの低融点合金体や低融点合金体やその周囲のフラック
スを覆うもののカバーの一部に穴を開けてそのような暴発を防ぐ構造を採
用しているものもある。」との記載がある。
しかしながら，本件出願前に甲１５に接した当業者は，本件出願後に公
開された本件明細書の記載事項を参酌して甲１５記載の保護素子の外部ケ
ースの構造を理解することはない。
また，本件明細書に従来技術として記載されている事項は，本件出願の
発明者が従来技術として認識していたことを意味するが，そのことから直
ちに本件出願時の当業者も同様に従来技術として認識していたものと認め
ることはできない。
さらに，本件明細書には，「すなわち図１２に示すように，基板上に配
置された発熱抵抗体と低融点合金体とのショート１９０が生じるのであ
る。これは特に発熱抵抗体１９３と低融点合金体１９２との電位差が大き
くなればなるほど生じやすくなり，また両者を隔てている絶縁薄膜の厚み
が薄くなればなるほど生じやすい。」（段落【０００６】）との記載があ
ることからすると，発熱抵抗体と低融点合金体とのショートが生じるかど
うかは，発熱抵抗体と低融点合金体との電位差や，発熱抵抗体と低融点合
金体との間の絶縁層の厚みにも影響されるものであり，これらを適宜調整
することによりショートの発生を抑制することも可能であるものとうかが
われる。
そうすると，基板の片面に発熱抵抗体と低融点合金体とが絶縁層を介し
て積層配置され，かつ，低融点合金体の周囲にフラックスが配置され，さ
らにそのフラックスがケースのカバーで覆われた構造の抵抗付温度ヒュー
ズであるからといって直ちに外部ケースの内部と外部とで気体が流通しな
いように密閉された気密状態とすることが困難であるとはいえないし，ま
た，カバーの一部に穴を開けて暴発を防ぐ構造となっているものとはいえ
ない。
以上によれば，本件審決の上記認定は誤りである。
エ 被告は，①甲１５には，ケース９は保護素子から溶融物が流出すること
を防止するために用いられるものであることは記載されているものの，気
密構造として機能部分の対環境性を確実に高めることに関しては開示も示
唆もないこと，②本件明細書の段落【０００７】の記載に照らすと，甲１
５において，絶縁膜４を用いて絶縁をするため，絶縁膜４においてショー
トが発生した場合には，フラックス８が暴発し，ケース９に穴が存在しな
い場合にはケース９が暴発し，使用者が危険な状態に曝されること，③甲
１５の段落【０００６】に「使用上の安全性の高いものが求められている」
ことが述べられていること，④甲１５で公開された発明の出願人の製品（乙
１）でも，基板上にカバーが固定され，当該カバーの側面には，フラックス
を保護するための穴が設けられており，フラックスが溶融した場合であって
もフラックスはカバー内に保持される構造となっていることからすると，
甲１５の外部ケースは，外部発熱体，低融点金属体及び内側封止部を完全
に密封するものではなく，場合によってはカバーの一部に穴を開けて暴発
を防ぐ構造となっていると理解するのが相当であるから，前記ウの本件審
決の認定に誤りはない旨主張する。
しかしながら，前記イで述べたとおり，甲１５の図２（別紙６参照）の
保護素子は，その外部ケース（外側ケース９）が基板に対して接着剤で接
着していることにより気密に密着してフラックスを外気環境から保護して
いるものと理解することができるものであり，甲１５において，図２の外
部ケースが基板と接着していることにより外部ケースの内部と外部とで気
体が流通しないように密閉された状態となる構造となっていることについ
て明示的な記載がないことは上記認定の妨げとなるものではない。
また，前記ウで述べたとおり，本件明細書の段落【０００７】の記載は，
本件審決の認定が正当であることの根拠となるものではない。
さらには，被告が指摘する乙１記載の製品は，甲１５で公開された発明
の出願人が製造販売する製品であることはうかがわれるが，本件出願前に
製造販売されていたものではなく，甲１５との関連性は不明であるといわざ
るを得ない。
したがって，被告の上記主張は採用することができない。
相違点２の容易想到性について
原告らは，本件審決は，甲１５には，外部ケースを発熱体をもたない保護
素子にも適用することができる旨記載されているが，引用発明のような，低
融点金属体が設けられた絶縁基板の他面側に発熱体を有した保護素子にまで
外部ケースを適用することを示唆したものではないとして，引用発明の低融
点金属体に，甲１５の外部ケースを適用する動機付けはないから，引用発明
と甲１５記載の事項に基づいて，当業者が相違点２に係る本件発明１の構成
に容易に想到し得るとはいえない旨判断したが，甲２及び甲１５に接した当
業者においては，引用発明に対して甲１５の外部ケースを適用するよう試みるこ
とは，通常の創作能力の発揮にすぎず，引用発明の低融点金属体に甲１５の外
部ケースを適用する動機付けがあるから，本件審決の判断は誤りである旨主
張するので，以下において判断する。
ア 甲２に，本件審決が認定した引用発明である「セラミック板からなる絶
縁基板（１）の他面に膜状低融点金属体（６１，６２）を，片面に膜状抵
抗体（３１，３２）を配置し，この膜状抵抗体（３１，３２）に通電し前
記絶縁基板（１）を介して前記膜状低融点金属体（６１，６２）を加熱溶
断して回路遮断する抵抗体付温度ヒユーズであって，前記膜状低融点金属
体（６１，６２）は膜状で前記絶縁基板（１）の他面に前記膜状抵抗体（３
１，３２）と同じ位置に配置され，その両端が膜状導体（８）及び膜状補
助導体（９１，９２）に接続され，前記膜状低融点金属体（６１，６２）
の周囲にフラックス（７１，７２）が配置された，抵抗体付温度ヒユーズ。」
が記載されていること，本件発明１と引用発明とが，「セラミック基板の
片面に低融点合金体を，他面に発熱抵抗体を配置し，この発熱抵抗体に通
電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱溶断して回路遮
断する抵抗付温度ヒューズであって，前記低融点合金体は平板状で前記セ
ラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置され，その両
端が電極に接続され，前記低融点合金体の周囲にフラックスが配置された，
抵抗付温度ヒューズ。」である点で一致すること（一致点１）は，争いが
ない。
イ
抵抗体を設け，他面に膜状低融点金属体を設けた基板型の抵抗体付温度ヒ
ューズが公知であり，この抵抗体付温度ヒューズは，過電流による膜状抵
抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達して溶断させ，この溶断によつて
過電流を遮断するものであるが，膜状抵抗体の発生熱が絶縁基板の厚みを
経て膜状低融点金属体に伝達するため，熱経路の熱伝達特性が悪く，作動
は，基板型の抵抗体付温度ヒューズにおいて，熱伝達特性の改良により作
抗体付温度ヒユーズは，膜状低融点金属体が２箇の膜状抵抗体（熱発生源）
により加熱されるから，その熱伝達効率が良好であり，ヒューズの作動迅
速性をよく保証でき，また，２箇の膜状抵抗体のそれぞれに対応して膜状
低融点金属体を設けてあるので，各熱発生源に基づく重量熱分布が一様と
なり，ヒートサイクル中にヒューズに発生する歪発生を均一に分散でき，
苛酷なヒートサイクル下でも安定性を保証できる効果を奏すること（前記
部８で封止し，さらにその内側封止部８と空隙１０をもたせて外側ケース
９で覆うと，低融点金属体５の表面を保護し，低融点金属体５が所定温度
に加熱された場合の溶断の確実性を確保することができることの開示があ
ること（段落【００２８】），②本件出願当時，可溶合金体及びこれを被
覆するフラックスを有する温度ヒューズにおいて，可溶合金体及びフラッ
クスの劣化防止のため，温度ヒューズをケース内に入れてその開口端を封
止し，可溶合金体及びフラックスを気密状態で保護することは周知であっ
たことからすると，甲２及び甲１５に接した当業者においては，引用発明
の低融点合金体及びフラックスの劣化を防止するとともに，溶断物の流出
を防止することにより作動特性を向上させるため，引用発明の低融点金属
体に甲１５の外部ケースを適用する動機付けがあるものと認められるか
ら，相違点２に係る本件発明１の構成とすることを容易に想到することが
できたものと認められる。
小括
以上によれば，当業者が引用発明と甲１５記載の事項に基づいて相違点２
に係る本件発明１の構成に容易に想到し得るとはいえないとした本件審決の
判断は誤りである。
また，本件審決が，引用発明に甲３発明の技術を適用して相違点１に係る
本件発明１の構成（低融点合金体の「中間部が電極に接続され」，「発熱抵
抗体は中間部の電極を介して通電される」構成）を容易に想到し得るものと
そうすると，本件発明１は，引用発明と甲３及び甲１５記載の事項に基づ
いて，当業者が容易に発明をすることができたといえるから，これと異なる
本件審決の判断は誤りである。
したがって，原告ら主張の取消事由１は理由がある。
２ 取消事由２（本件発明２の容易想到性の判断の誤り）について
原告らは，引用発明と甲３及び甲５記載の事項に基づいて，当業者が相違点
３に係る本件発明２の構成を容易に想到し得るとはいえないとした本件審決の
判断が誤りであるとする理由について，引用発明と甲５に基づく相違点３の容
易想到性の判断の誤り又は引用発明と甲３に基づく相違点３の容易想到性の判
断の誤りを選択的に主張するので，まず，引用発明と甲５に基づく相違点３の
容易想到性の判断の誤りの有無について検討する。
原告らは，本件審決は，①本件発明２の良熱伝導体は発熱体からセラミック
基板に伝わった熱を集めるためのものであるのに対して，甲５の層状熱良伝導体
は発熱体から電極を介して直接伝わる熱を拡げるためのものであるから，引用発
明に甲５記載の層状熱良伝導体を適用したとしても，本件発明２の目的を達成
し得ないし，また，②甲５では，発熱抵抗体と低融点合金体とが絶縁層を介し
て積層する構造を採用しており，これを引用発明に適用すると発熱抵抗体と低
融点合金体とが絶縁層を介して積層する構造となるから，引用発明に甲５記載
の層状熱良伝導体に係る構造を適用しても，本件発明２の構成とはなりえない
から，引用発明に甲５記載の事項を適用して，相違点３に係る本件発明２の発
明特定事項とすることは，当業者が容易に想到し得るとはいえない旨判断した
のは誤りである旨主張するので，以下において判断する。
本件発明２について
うな開示があることが認められる。
ア セラミック基板の片面に低融点合金体を他面に発熱抵抗体を配置し，こ
の発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加
熱し，これを溶断することで回路遮断をする抵抗付温度ヒューズにおいて
は，発熱抵抗体の熱は，セラミックス基板を介して低融点合金体に至るが，
低融点合金体のどの部分に集中して熱を与えられるということはなく，全
体としてある一定のバラツキを持って低融点合金体が加熱されるので，低
融点合金体の溶断はコントロールされない（段落【００３２】，【００３
３】）。
イ 本件発明２は，上記抵抗付温度ヒューズにおいて，セラミック基板上に
配される良熱伝導体が低融点合金体の中間部を支持する構成を採用したも
のであり，これにより，良熱伝導体で支持される部分に発熱抵抗体からの
熱を集中的に分配し，加熱されるようになるので，良熱伝導体で低融点合
金体へ流れる伝熱経路を設計し，低融点合金体の溶断個所を任意に決める
ことができるので，低融点合金体の溶断をコントロールすることができる
という効果を奏する（段落【００３４】，【００３６】）。
甲５の記載事項について
ア 甲５には，次のような記載がある（下記記載中に引用する図面について
は別紙５を参照）。
「実用新案登録請求の範囲
絶縁基板上に異る位置において層状抵抗体と層状低融点金属体とを設
け，層状低融点金属体上に絶縁膜を介して層状熱良伝導体を設け，この
層状熱良伝導体と上記層状抵抗体とを熱伝導可能なように連結したこと
を特徴とする抵抗・温度ヒユーズ結合体。」
「＜産業上の利用分野＞
本考案は抵抗・温度ヒユーズ結合体の改良に関するものである。」
「＜先行技術と問題点＞
温度ヒユーズを直列に付設した抵抗素子においては，抵抗体が過電流
により発熱するとその発熱により温度ヒユーズを溶断させて，抵抗体へ
の通電を遮断することができ，抵抗体の異常発熱から回路を保護できる。
かかる温度ヒユーズ付きの抵抗素子として，第４図に示すように，絶
縁基板１′上に電極２１′，２２′並びに２３′を設け，電極２１′と
電極２２′との間に層状抵抗体３′を設け，電極２１′と電極２３′と
の間に層状低融点金属体４′を設け，絶縁基板１′上に絶縁層７′を設
けたものが公知である。８′，８′はリード導体である。
しかしながら，この温度ヒユーズ付抵抗体における，電極２１′近傍
の層状低融点金属体部分４０′には抵抗体３′の発生熱が電極２１′を
熱伝導路としてよく伝導するので，その層状低融点金属体部分４０′は
よく加熱されるが，他の低融点金属体部分は加熱され難い。このため層
状低融点金属体が不均一加熱となり，溶断が遅延し，作動性に問題があ
る。」
「＜考案の目的＞
本考案の目的は，層状低融点金属体の均一加熱を図つて，作動性に秀
れた基板型の抵抗・温度ヒユーズ結合体を提供することにある。」
「＜考案の構成＞
本考案に係る抵抗・温度ヒユーズ結合体は，絶縁基板上に異る位置に
おいて層状抵抗体と層状低融点金属体とを設け，層状低融点金属体上に
絶縁膜を介して層状熱良伝導体を設け，この層状熱良伝導体と上記層状
抵抗体とを熱伝導可能なように連結したことを特徴とする構成である。」
「 ＜実施例の説明＞
以下，図面により本考案を説明する。
第１図Ａは本考案に係る温度ヒユーズ付抵抗素子を示す説明図，第１
図Ｂは第１図Ａにおけるｂ－ｂ断面図である。
第１図Ａ並びに第１図Ｂにおいて，１は絶縁基板であり，セラミツク
板，耐熱性プラスチツク板を用いることができる。２１，２２並びに２
３は箔状電極である。３は層状抵抗体であり，電極２１と電極２２との
間に設けてある。４は層状低融点金属体（例えば，Pb－Sn合金系）であ
り，電極２１と電極２３との間に設けてある。５は層状熱良伝導体であ
り，その熱伝導性は層状低融点金属体４よりも一段と秀れ，層状低融点
金属体４の直下に絶縁膜６を介して設けてある。この層状熱良伝導体５
は電極２１に連結してあり，電極２３とは分離してある。この層状熱伝
導体５には電極２３と同じものを用いることができる。７は絶縁基板上
に設けた絶縁層，８，８はリード導体である。
上記において，過電流により層状抵抗体３が発熱すると，この発生熱
が電極２１を熱伝導路として層状熱良伝導体５に伝導され，層状低融点
金属体４を電極２１側の一端４０からのみならず，直下からも加熱でき
るので，層状低融点金属体４をよく一様に加熱できる。
第２図は本考案の別実施例を示し，層状熱良伝導体５を層状低融点金
属体４の中間部に交叉させてある。６は層状熱良伝導体５と層状低融点
金属体４とを絶縁せる絶縁膜である。
第３図は本考案の別実施例に係る抵抗体付き温度ヒユーズを示し，３
並びに４は互に独立の層状抵抗体並びに層状低融点金属体，５は層状抵
抗体３に熱伝導可能なように連結した層状良熱伝導体であり，絶縁膜６
を介して層状低融点金属体４に交叉させてある。８１，８１並びに８２，
８２はそれぞれリード導体である。
この温度ヒユーズにおいては，層状抵抗体３を被保護回路に接続し，
層状低融点金属体４を被保護回路のリレー回路に接続して，被保護回路
の過電流により層状抵抗体３を発熱させ，この発熱により層状低融点金
属体４を溶断させる。而るに，層状低融点金属体４がその直下から層状
熱良伝導体５によつて加熱されるので，層状低融点金属体４を一様に加
熱でき，層状低融点金属体４を円滑に溶断できる。従つて，被保護回路
を良好に保護できる。」
「＜考案の効果＞
本考案に係る抵抗・温度ヒユーズ結合体においては，上述した通り，
層状低融点金属体を一様に加熱できるので，作動特性に秀れている。ま
た，層状抵抗体と層状低融点金属体とを別の位置に設けてあるので，通
常のヒートサイクル下では，低融点金属体を安定に保持できる。」
イ 前記アによれば，甲５には，次の点が開示されていることが認められる。
絶縁基板上の異なる位置に層状抵抗体と層状低融点金属体とを設けた
温度ヒユーズ付抵抗素子として，別紙５の第４図に示すように，絶縁基
板１′上に電極２１′，２２′，２３′を設け，電極２１′と電極２２
′との間に層状抵抗体３′を設け，電極２１′と電極２３′との間に層
状低融点金属体４′を設け，絶縁基板１′上に絶縁層７′を設けたもの
が公知である。この温度ヒユーズ付きの抵抗素子においては，電極２１
′近傍の層状低融点金属体部分４０′には抵抗体３′の発生熱が電極２
１′を熱伝導路としてよく伝導するので，その層状低融点金属体部分４
０′はよく加熱されるのに対し，他の低融点金属体部分は加熱され難い
ため層状低融点金属体が不均一加熱となり，溶断が遅延し，作動性に問
題があった。
「本考案」は，上記温度ヒユーズ付きの抵抗素子において，別紙５の
第１図Ａ，第２図及び第３図に示すように，層状低融点金属体４又はそ
の中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝導体５を設ける構成を採
用したものであり，層状抵抗体３が発熱すると，この発熱が電極２１を
熱伝導路として層状熱良伝導体５に伝導され，層状低融点金属体４を電
極２１側の一端４０からのみならず，層状熱良伝導体５で支持される部
分の直下からも加熱され，層状低融点金属体４を一様に加熱できるので，
作動特性に秀れているという効果を奏する。
ウ 前記イの開示事項によれば，甲５に接した当業者においては，絶縁基板
上の異なる位置に層状抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒユーズ
付抵抗素子において，別紙５の第１図Ａ，第２図及び第３図に示すように，
層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝
導体５を設けることによって，層状抵抗体３の発熱の伝熱経路をコントロ
ールし，層状低融点金属体４を電極２１側の一端４０からのみならず，層
状熱良伝導体５を設けた部分の直下からも加熱され，層状低融点金属体４
を一様に加熱することができ，その結果，溶断の遅延を回避し，作動特性
が向上することを理解するものと認められる。
このように甲５には，層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁
膜６を介して層状熱良伝導体５を設けることによって，層状抵抗体３の発
熱の伝熱経路をコントロールし，層状低融点金属体４を層状熱良伝導体５
を設けた部分の直下からも加熱されるように加熱箇所をコントロールする
技術が開示されており，この技術によって層状低融点金属体４を一様に加
熱することができ，その結果，溶断の遅延を回避し，作動特性が向上する
ことが開示されているといえる。
相違点３の容易想到性について
ア 本件審決が，引用発明に甲３発明（「発熱体と，発熱体の発熱により溶
断する低融点金属とを有した保護素子により，電圧を検知して動作する保
護素子を構成することを目的として，低融点金属の両端及び中間にヒュー
ズ電極を設け，発熱体への通電を低融点金属を通って中間電極を介して行
うことにより，低融点金属溶断後に発熱体への通電を確実に止め，過加熱
を防止する保護素子。」）の技術を適用して相違点１に係る本件発明１の
構成（低融点合金体の「中間部が電極に接続され」，「発熱抵抗体は中間
部の電極を介して通電される」構成）を容易に想到し得るものと判断した
①「【産業上の利用分野】本発明は，例えば充放電可能な二次電池などに
適用して好適なヒューズ抵抗器を有する保護素子，その製造方法，及びそ
の素子を設けた回路基板に関する。」，「 【従来の技術及び発明が解決し
ようとする課題】従来のヒューズ抵抗器としては，大きく分けて，過電流
により動作する電流ヒューズと，温度により動作する温度ヒューズとの２
タイプが上げられる。しかしながら，近年の産業の発展にともない上記２
点の動作源では，ヒューズ機能を満足しない場合が出てきている。 ，
」 「充
放電可能な二次電池などには，充電時の電池への過充電を防止するため，
保護回路が内蔵される場合がある。また極端な過充電状態におちいった電
池は，内部でガスを発生し，爆発の危険性をはらむため，ヒューズのよう
なもので電池としての機能を断つと言う考え方がある。」，「このような
ケースでは，電圧を検知して動作するヒューズ抵抗器が要求されるが，従
来のヒューズ抵抗器では対応することは難しかった。」，「例えば，特開
平４－３２８２７９号には，低融点金属をＰＴＣを熱源として溶断する構
造のヒューズ抵抗器が明記されているが，これは低融点金属とＰＴＣが電
気的に直列に接続されたものである。これは，ストロボのフラッシュのよ
うな大電流が瞬間的に流れても作動せず，過放電により規定電流以上が電
池に流れたときに，ＰＴＣが発熱してヒューズを溶断するものであり，前
記の目的に使用できない。」，「本発明はこのような課題に鑑みてなされ
たものであり，電圧を検知して動作する保護素子，その製造方法，及びそ
の保護素子を設けた回路基板を提供することを目的とする。」（段落【０
００１】～【０００６】），②「【作用】本発明の保護素子によれば，低
融点金属６及び発熱体５と，検知素子９とから構成される保護素子であっ
て，この低融点金属６とこの発熱体５とが絶縁層４を介して接触され，発
熱体５が検知素子９により通電されるものとすることにより，任意の電圧
条件で，ヒューズを切断することができる。」（段落【００１７】）」，
③「図４中の２ｃは，低融点金属の両端が接続されるヒューズ電極２ａ及
び２ｂの中間に設けたヒューズ電極であり，ここにも低融点金属が接続さ
れる。材質としては，ヒューズ電極２ａまたは２と同様のものが使用され
る。この他の構成は，上述実施例と同様である。」，「以下，実施例の詳
細を記載する。まず，２５μｍ厚のポリイミドフィルム上に図５に示す導
体パターンを形成し，ヒーター電極３ａ，３ｂ間に，それぞれヒューズ電
極２ａ，２ｂ，及び２ｃにかからないように，カ－ボンペーストＦＣ－４
０３Ｒ（藤倉化成製，フェノール樹脂系）をスクリーン印刷法により塗布
し，１５０℃ｘ３０分硬化させた。」，「次に，ヒューズ電極２ａ，２ｂ，
または２ｃにかからないようにかつカ－ボンペーストの全面を覆うように
絶縁層をスクリーン印刷法により塗布し，１５０℃ｘ３０分硬化させた。
このとき用いた絶縁層の処方は上述実施例と同様である。」，「次に，ヒ
ューズ電極２ａ，２ｂ，２ｃ間に，７ｍｍｘ３ｍｍ，厚み１００μｍの低
融点金属を熱プレスにより接続した。…」（段落【００３８】～【００４
１】），④「以上示したヒューズ抵抗器と電圧検知素子を組み込むことに
より，図６Ｂの保護素子を得た。図５中のヒューズ電極２ａ側，２ｂ側の
どちらから発熱体に電気が供給されても，低融点金属を溶断後，発熱体へ
の通電が止まり安全であることがわかり，電池の過充電防止用保護素子と
して用いることが可能である。」，「すなわち，最初の実施例で示した回
路（図６Ａ）は，中間電極を形成すること無く，発熱体と低融点金属を熱
的に接触させ，ある一定電圧で発熱体に電流が流れるようにし，そのとき
の発熱によって低融点金属を溶断するようにした電圧検知システムであ
る。この場合，電池が，充電器に接続されていたとすると，接続部ｅが電
極ａ側若しくは電極ｃ側のどちらに接続されていたとしても，低融点金属
溶断後も，検知素子を通じての発熱体への通電が止まらず，発熱体は発熱
し続け，やがて発火する危険性がある。」，「これに対して本例の回路で
は，保護素子は，発熱体への通電が電極ｆ側及び電極ｈ側いずれも，低融
点金属を通って中間電極を介して行われるため，電池が充電器に接続され
ていたとしても，２箇所の低融点金属の溶断で，発熱体への通電を止める
ことが可能である。」（段落【００４６】～【００４８】）との記載があ
ると認定し，その上で，これらの記載と図面（「図４」ないし「図６」に
ついては，別紙３参照）から，甲３には，甲３発明が記載されていると認
定している。
設け，他面に膜状低融点金属体を設けた基板型の抵抗体付温度ヒューズは，
膜状抵抗体の発生熱が絶縁基板の厚みを経て膜状低融点金属体に伝達する
ため，熱経路の熱伝達特性が悪く，作動特性に劣るといった不利があった
ことから，「本考案」に係る抵抗体付温度ヒューズは，基板型の抵抗体付
温度ヒューズにおいて，熱伝達特性を改良することにより作動特性の向上
を図ることを目的とすることが開示されている。
，絶縁基板上の異なる位置に層状
抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒューズ付抵抗素子において，
層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝
導体５を設けることによって，層状抵抗体３の発熱の伝熱経路をコントロ
ールし，層状低融点金属体４を層状熱良伝導体５を設けた部分の直下から
も加熱されるように加熱箇所をコントロールする技術が開示されており，
この技術によって層状低融点金属体４を一様に加熱することができ，その
結果，溶断の遅延を回避し，作動特性が向上することが開示されている。
しかるところ，引用発明は，絶縁基板の片面に膜状抵抗体を設け，他面
に膜状低融点金属体を設けた基板型の抵抗体付温度ヒューズであるのに対
し，甲５記載の温度ヒューズ付抵抗素子は，絶縁基板上の異なる位置に層
状抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒューズ付抵抗素子であり，
両者は，絶縁基板に対する膜状抵抗体（層状抵抗体）と膜状低融点金属体（層
状低融点金属体）との配置が異なるが，いずれも抵抗体付温度ヒューズで
ある点で技術分野が共通し，また，膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属
体に伝達する伝熱経路の熱伝達特性を高め，作動特性を向上させることを
目的とする点で技術課題が共通するものと認められる。
そうすると，甲２，甲３及び甲５に接した当業者は，引用発明に甲３発
明の技術を適用して膜状低融点合金体の「中間部が電極に接続され」 「発
，
熱抵抗体は中間部の電極を介して通電される」構成とする際に，引用発明
の膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達する伝熱経路の熱伝達特
性を高め，溶断の遅延を回避し，作動特性を向上させるために，甲３に開
示された層状低融点金属体４の中間部の直下に層状熱良伝導体５を設ける
技術を適用することの動機付けがあるものと認められるから，相違点３に
係る本件発明２の構成（「低融点合金体の中間部はセラミック基板上に配
置した良熱伝導体で支持させた」構成）とすることを容易に想到すること
ができたものと認められる。
イ 被告は，これに対し，①本件発明２の良熱伝導体は，電極に接続される
低融点合金体の中間部が優先的に溶融切断するため，発熱体からセラミック
基板に伝わった熱を集めるためのものであるのに対して，甲５の層状熱良伝
導体は，層状抵抗体の一方の電極に連結された層状熱良伝導体を層状低融点
金属体の直下に絶縁膜を介して設けることで，均一加熱を図り，発熱体であ
る層状抵抗体から電極を介して直接伝わる熱を拡げるためのものであり，本
件発明２と甲５記載の層状熱良伝導体は，目的及び作用が異なるから，引用
発明に甲５の層状熱良伝導体を適用したとしても，本件発明２の目的を達成
し得ない，②本件発明２は，発熱抵抗体と低融点合金体とが絶縁層を介し
て積層する構造を回避するために，セラミック基板の片面に低融点合金体
を，他面に発熱抵抗体を配置する構造を採用しているのに対し，甲５は，
層状熱良伝導体が絶縁基板の一方の面に絶縁膜を介して層状低融点金属体
とともに設けられ，層状抵抗体の一部が絶縁膜を介して層状低融点金属体
に積層される構造を採用しており，引用発明に甲５を適用すると発熱抵抗
体と低融点合金体とが絶縁層を介して積層する構造となるから，引用発明
に甲５記載の層状熱良伝導体に係る構造を適用しても，本件発明２の構成
とはなりえないとして，引用発明に甲５記載の事項を適用して，相違点３
に係る本件発明２の発明特定事項とすることは，当業者が容易に想到し得
るとはいえない旨主張する。
本件明細書には，本件発明２は，セラミック基板の片面に低融点合金体を
他面に発熱抵抗体を配置し，この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板
を介して前記低融点合金体を加熱し，これを溶断することで回路遮断をす
る抵抗付温度ヒューズにおいて，セラミック基板上に配される良熱伝導体
が低融点合金体の中間部を支持する構成を採用することにより，良熱伝導
体で支持される部分に発熱抵抗体からの熱を集中的に分配し，加熱される
ようになるので，良熱伝導体で低融点合金体へ流れる伝熱経路を設計し，
低融点合金体の溶断個所を任意に決めることができるので，低融点合金体
の溶断をコントロールすることができるという効果を奏することが開示さ
れている。
一方で，
抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒューズ付抵抗素子において，
層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝
導体５を設けることによって，層状抵抗体３の発熱の伝熱経路をコントロ
ールし，層状低融点金属体４を層状熱良伝導体５を設けた部分の直下から
も加熱されるように加熱箇所をコントロールする技術が開示されており，
この技術によって層状低融点金属体４を一様に加熱することができ，その
結果，溶断の遅延を回避し，作動特性が向上することが開示されている。
しかるところ，本件発明２の良熱伝導体と甲５記載の層状熱良伝導体５
は，前提とする抵抗付温度ヒューズ（温度ヒユーズ付抵抗素子）における
セラミック基板（絶縁基板）に対する低融点合金体（層状抵抗体）及び発
熱抵抗体（層状低融点金属体）の配置等の構成が異なるが，いずれも低融
点合金体の中間部の直下に良熱伝導体を設けることによって，発熱抵抗体
の発熱の伝熱経路をコントロールし，低融点合金体の中間部を低融点合金
体を設けた部分の直下から加熱されるように加熱箇所をコントロールする
という点において，その目的及び作用において異なるところはない。
また，両者の効果についてみると，甲５には，本件明細書に開示された，
良熱伝導体で支持される部分に発熱抵抗体からの熱を集中的に分配し，低
融点合金体の溶断個所を任意に決めることができるので，低融点合金体の
溶断をコントロールすることができるという本件発明２の効果についての
明示の記載はないが，甲５の温度ヒユーズ付抵抗素子においても，層状低
融点金属体４の中間部の直下に良熱伝導体を設けること（別紙５の第２図
及び第３図参照）によって，層状低融点金属体４の層状熱良伝導体５を設
けた部分の直下は，層状低融点金属体４の他の部分と比べて層状抵抗体３
の発熱を集中的に分配することができることは自明であるから，結果的に，
本件発明２の上記効果と同様の効果を奏するものと理解することができ
る。
したがって，被告の上記①の主張は，採用することできない。
次に，被告の上記②の主張について検討するに，甲５の温度ヒューズ付
抵抗素子は，上記のとおり，絶縁基板上の異なる位置に層状抵抗体と層状
低融点金属体とを設けた温度ヒューズ付抵抗素子であって（別紙５の第１
図Ａ，第２図及び第３図参照），層状抵抗体の一部が絶縁膜を介して層状
低融点金属体に積層される構造のものではないから，この点において上記
②の主張は，その前提を欠いている。
また，一般に，主たる引用発明に他の引用発明や技術事項を適用する場
合，その引用発明又は技術事項に示された形状・構造をそのまま組み合わ
せるのではなく，必要に応じて合理的な構造変更や機能の調整・適応のた
めの改変を行うことは当然のことであり，引用発明に甲５記載の技術を適
用する場合においても，引用発明の構成を前提に，引用発明の低融点合金
体の中間部の直下に層状熱良伝導体の構成を組み合わせることになるか
ら，この点においても被告の上記②の主張は，失当である。
したがって，被告の上記②の主張も，採用することができない。
小括
以上によれば，当業者が引用発明と甲５記載の事項に基づいて相違点３に
係る本件発明２の構成に容易に想到し得るとはいえないとした本件審決の判
断には誤りがあり，また，本件審決によれば，引用発明に甲３発明の技術を
適用して相違点１に係る本件発明２の構成を容易に想到し得るというのであ
るから，本件発明２は，引用発明と甲３及び甲５記載の事項に基づいて，当
業者が容易に発明をすることができたといえるから，これと異なる本件審決
の判断は誤りである。
したがって，原告ら主張の取消事由２は理由がある。
３ 取消事由３（本件発明３の容易想到性の判断の誤り）について
原告らは，本件審決は，①甲４には，温度ヒューズがプリント配線板上に実
装された状態は示されておらず，両者の間，特に温度ヒューズのプリント配線
板側の面の素子とプリント配線板との間に空隙が形成されることは明示されて
いないし，また，プリント配線板への熱の放散を抑制するための配置について
も，記載も示唆もない，②本件発明３の空隙は，発熱抵抗体の熱が回路基板へ
放散することを抑制し，その熱を有効に低融点合金体の溶断に利用するために
設けられるものであるのに対して，甲１１ないし１４から導かれる周知事項は，
安全性の観点から空隙を設けるものであり，引用発明に，甲３記載の事項を適
用しても，発熱抵抗体の熱が回路基板へ放散することを抑制し，その熱を有効
に低融点合金体の溶断に利用するとの観点で，上記周知事項を採用する動機付
けがないとして，引用発明と甲３ないし８に記載された事項に基づいて，相違
点４に係る本件発明３の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得る
とはいえないし，また，甲５と甲９ないし１８記載の事項を検討しても，これ
と同様である旨判断したが，本件発明３は，安全性の観点から「空隙」を設け
るものを排除していないし，甲４には，温度ヒューズのリード線を絶縁基板から
突設させ，温度ヒューズとプリント配線板との間に（少なくともプリント回路導体
９の厚さに相当する）空隙を形成させることが開示されており，引用発明に係る抵
抗付温度ヒューズの回路基板上での実装構造において，相違点４に係る本件発明
３の構成を採用する動機付けがあるから，本件審決の判断は誤りである旨主張
するので，以下において判断する。
本件発明３について
うな開示があることが認められる。
ア セラミック基板の片面に低融点合金体を他面に発熱抵抗体を配置し，こ
の発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加
熱し，これを溶断することで回路遮断をする抵抗付温度ヒューズにおいて
は，発熱抵抗体の熱は望ましくは１００％低融点合金体の溶断に用いられ
るのがよいが，発熱抵抗体から発生する熱はあらゆる方向に発散し，熱の
伝達経路を完全にはコントロールすることはできないので，低融点合金体
の溶断に用いられる熱はその一部であるのが実情であり，また，発熱抵抗
体から発生する熱の発散経路の一つとして発熱抵抗体が最も近接ないし密
着している回路基板（プリント基板）への熱の放散があり，その放散量が
多いため，発熱抵抗体から発生する熱が低融点合金体を溶断するために用
いられる利用効率は非常に小さいものになっているのが実情のようであ
る（段落【００２６】）。
イ 本件発明３は，上記抵抗付温度ヒューズの実装構造において，別紙１の
図６ないし８に示すように，抵抗付温度ヒューズは回路基板上に実装する
ためのリード線を具備し，そのリード線をセラミック基板から突設させ，
抵抗付温度ヒューズが回路基板上に配置された場合に，発熱抵抗体と回路
基板との間に空隙が形成させる構成を採用したことにより，別途新たな材
料を用意することなく，発熱抵抗体からの熱を有効に低融点合金体の溶断
に利用することができるようになるという効果を奏する（段落【００１２
】，【００２６】）。
相違点４の容易想到性について
ア 甲４には，次のような記載がある（下記記載中に引用する図面について
は別紙４を参照）。
「【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】絶縁基板の片面に一対の電極を設け，各電極にリード線を
接続し，同電極間に低融点可溶金属体を設け，この金属体並びに上記の
電極を覆うように絶縁被覆を設けた基板型温度ヒューズの上記絶縁基板
の他面に，チップ型発熱性回路素子の取付用電極を設け，該電極に上記
リード線とは別のリード線を接続したことを特徴とする温度ヒュー
ズ。」（１欄）
「〈産業上の利用分野〉本考案は温度ヒューズの改良に関するもので
ある。」（１欄）
「〈先行技術と問題点〉温度ヒューズの使用方法の一つとして，発熱
性回路素子，例えば，抵抗素子に近接して温度ヒューズを配設し，過電
流による発熱性素子の発熱で温度ヒューズを作動させて回路を発熱性回
路素子の異常発熱から保護することがある。かかる温度ヒューズの一つ
として，絶縁基板の片面に一対の電極を設け，これら電極間に低融点可
溶金属体を設け，該低融点可溶金属体にフラックスを被覆し，これらの
金属体並びに上記の電極を覆うように絶縁基板の片面に絶縁被覆を設け
たものが，所謂，基板型温度ヒューズとして公知である。
ところで，近来，プリント配線基板に実装する回路素子には，実装密
度の高密度化のために，リード線を有していないチップ型回路素子を使
用することが急増している。このチップ型回路素子においては，両端に
キャップ状端子を固着してあり，当該素子をプリント配線基板に密接さ
せ，端子が基板の導体にハンダ付けされる。
而るに，チップ型回路素子が抵抗素子のように発熱性素子である場合，
チップ型回路素子に温度ヒューズを熱的に密接して取り付けることが要
求される。
従来，発熱性回路素子に温度ヒューズを熱的に密接に取り付けるのに，
良熱伝導性金属の結合体を使用することが公知である。（実開昭53-674
25号）
しかしながら，上記した基板型温度ヒューズにおいては，低融点可溶
金属体の溶断時に発生するアークの熱によってフラックスが熱膨張する
と，絶縁基板と絶縁被覆との間からこの膨張フラックスと共に溶融金属
が流出し，この流出溶融金属が金属製結合体に付着し，温度ヒューズの
リード線とこの金属製結合体とが電気的に導通され，温度ヒューズのリ
ード線間が金属製結合体で短絡されてしまい，回路を確実に通電遮断し
得ないことがある。
本考案の目的は，上記基板型温度ヒューズの絶縁基板の裏面をチップ
型発熱性回路素子の取付けに利用し，結合体を使用することなく温度ヒ
ューズとチップ型発熱性回路素子とを熱的に密接に結合することを可能
にする。」（１欄～３欄）
「〈考案の構成〉本考案の温度ヒューズは絶縁基板の片面に一対の電
極を設け，各電極にリード線を接続し，同電極間に低融点可溶金属体を
設け，この金属体並びに上記の電極を覆うように絶縁被覆を設けた基板
型温度ヒューズの上記絶縁基板の他面に，チップ型発熱性回路素子の取
付用電極を設け，該電極に上記リード線とは別のリード線を接続したこ
とを特徴とする構成である。」（３欄）
「〈実施例の説明〉以下，図面により本考案を説明する。第１図Ａは
本考案に係る温度ヒユーズを示す一部欠截上面図，第１図Ｂは同温度ヒ
ユーズを示す裏面図である。
第１図Ａ並びに第１図Ｂにおいて，１は絶縁基板，例えばセラミツク
板である。２・２は絶縁基板１の片面に設けた箔状電極，３は電極間に
橋設した低融点可溶金属層，４は低融点可溶金属層３上に被覆したフラ
ツクス層，５は絶縁基板１の片面全体に被覆した絶縁層である。6,6は各
電極２・２に接続せるリード線である。7,7は絶縁基板１の他面に設けた
箔状電極，8,8は各電極7,7に接続したリード線である。
第２図Ａは本考案の別実施例を示す一部欠截上面図，第２図Ｂは同別
実施例の裏面図である。
第３図Ａは本考案の他の実施例を示す一部欠截上面図，第３図Ｂは同
実施例の裏面図である。
第２図Ａ，第２図Ｂ，第３図Ａ，第３図Ｂにおいて，第１図Ａ並びに
第１図Ｂと同一符号の構成部分は第１図Ａ，第１図Ｂにおける構成部分
と技術的に実質上同一である。
第４図は本考案に係る温度ヒューズの使用状態を示している。
第４図において，Ａはプリント配線板を示し，９はプリント回路導体，
101,102,…はプリント回路導体の所定位置に接続（ハンダ付け）したチ
ツプ型回路素子である。Ｂは本考案に係る温度ヒューズである。100はプ
リント回路導体９のラウンド91,91間に接続すべきチツプ型の発熱性回
路素子であり，温度ヒューズＢの絶縁基板裏面の電極7,7間に導電性接着
剤により取付け，各電極7,7のリード線8,8をプリント回路導体９の各ラ
ウンド91,91にハンダ付けしてある。温度ヒューズＢの低融点可溶金属体
３に対するリード線6,6はプリント回路に直列に接続してある。
上記において，チップ型発熱性回路素子100が発熱すると，その熱が電
極７→温度ヒューズＢの絶縁基板１→同ヒューズＢの低融点可溶金属体
３の経路で低融点可溶金属体３に伝達され，電極７の良熱伝導性のため
に電極７がチップ型発熱性回路素子100の発熱温度とほぼ同温度となっ
て，実質上，チップ型発熱性回路素子100と温度ヒューズＢの絶縁基板と
の熱的接触面積をかなり大きくできるから，チップ型発熱性回路素子10
0の発生熱を基板型温度ヒューズＢに熱効率良く伝達でき，チップ型発熱
性回路素子100の発熱で基板型温度ヒューズの低融点可溶金属体を迅速
に溶断して回路の通電を速やかに遮断できる。」（３欄～４欄）
「〈考案の効果〉本考案の温度ヒューズは上述した通りの構成であり，
絶縁基板の他面の電極にチップ型発熱性回路素子を取付け，その電極の
リード線をチップマウント方式のプリント配線板の導体に接続すること
により，温度ヒューズを取り付けたチップ型発熱性回路素子をチップマ
ウント方式のプリント配線板に容易に実装できる。また，チップ型発熱
性回路素子の取付用電極を感熱板として，チップ型発熱性回路素子の発
生熱を基板型温度ヒューズに熱効率よく伝達でき，その発熱性回路素子
の過電流発熱で基板型温度ヒューズの低融点可溶金属体を迅速に溶断で
きる。更に，金属製結合体を必要としないので，基板型温度ヒューズの
作動時，低融点可溶金属体の溶融金属が周囲に流出しても，温度ヒュー
ズのリード線間の導通が起こり得ない。」（４欄）
イ 前記アによれば，甲４には，絶縁基板の片面に一対の電極を設け，各電
極にリード線を接続し，同電極間に低融点可溶金属体を設け，この金属体
及び上記の電極を覆うように絶縁被覆を設けた基板型温度ヒューズにおい
て，絶縁基板の他面に，チップ型発熱性回路素子の取付用電極を設け，該
電極に上記リード線とは別のリード線を接続した構成を採用したことによ
り，温度ヒューズを取り付けたチップ型発熱性回路素子をプリント配線板
に容易に実装でき，また，チップ型発熱性回路素子の取付用電極を感熱板
として，チップ型発熱性回路素子の発生熱を基板型温度ヒューズに熱効率
よく伝達でき，その発熱性回路素子の過電流発熱で基板型温度ヒューズの
低融点可溶金属体を迅速に溶断できるという効果を奏することが開示され
ていることが認められる。
しかしながら，甲４には，温度ヒューズがプリント配線板上に実装され
た状態は示されておらず，温度ヒューズのプリント配線板側の面の素子と
プリント配線板との間に空隙が形成されることについての明示的な記載は
なく，ましてや，「抵抗付温度ヒューズの回路基板上での実装構造におい
て，抵抗付温度ヒューズは，そのリード線をセラミック基板から突設させ，
発熱抵抗体と回路基板との間に空隙を形成させる」構成（相違点４に係る
本件発明３の構成）についての記載も示唆もない。
そうすると，甲２及び甲４に接した当業者が，引用発明に係る抵抗付温度
ヒューズの回路基板上での実装構造において，相違点４に係る本件発明３の
構成を採用することに想到することは困難である。
しかるところ，本件審決における相違点４に係る本件発明３の構成の陽
性の判断の誤りをいう原告らの主張は，甲４に，温度ヒューズのリード線を
絶縁基板から突設させ，温度ヒューズとプリント配線板との間に空隙を形成さ
せることが開示されていることを前提とするものであるが，上記のとおりその
前提を欠くものであるから，理由がない。
小括
以上によれば，本件審決における相違点４の構成の容易想到性の判断に誤
りはないから，原告ら主張の取消事由３は理由がない。
４ 取消事由４（本件発明４の容易想到性の判断の誤り）について
原告らは，本件審決は，本件発明４は，本件発明１の構成から「前記低融点
合金体の周囲にフラックスが配置され，ケースが前記セラミック基板に対して
気密に密着して前記フラックスを外気環境から保護する」との事項を省いた構
成のものに，「前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上に配置した
良熱伝導体で支持させ」るとの事項（相違点３に係る本件発明４の構成） 「前
及び
記抵抗付温度ヒューズの回路基板上での実装構造において，前記抵抗付温度ヒ
ューズは，そのリード線を前記セラミック基板から突設させ，前記発熱抵抗体
と前記回路基板との間に空隙を形成させる」との事項（相違点４に係る本件発
明４の構成）を付加したものに相当するが，相違点３及び４の構成はいずれも
当業者が容易に想到し得るとはいえないから，本件発明４は，甲２に記載され
た発明と甲３ないし８に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をす
ることができたものとはいえない旨判断したが，本件審決における相違点３及
び４の構成の容易想到性の判断は誤りであるから，本件審決の上記判断も誤り
である旨主張する。
しかしながら，前記３のとおり，本件審決における相違点４の構成の容易想
到性の判断に誤りはないから，原告らの上記主張は理由がない。
したがって，原告ら主張の取消事由４は，その前提を欠くものであり，理由が
ない。
５ 結論
以上の次第であるから，原告ら主張の取消事由１及び２は理由があるが，取
消事由３及び４は理由ががない。
したがって，本件審決のうち，特許第３５５２５３９号の請求項１及び２に
係る部分を取り消し，原告らのその余の請求を棄却することとし，主文のとお
り判決する。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官 富 田 善 範
裁判官 大 鷹 一 郎
裁判官 柵 木 澄 子
（別紙１） 本件明細書図面
【図１】 【図２】
【図３】 【図４】
【図５】
【図６】 【図７】
【図８】 【図９】
【図１１】
【図１２】
（別紙２） 甲２図面
【第１図】
【第２図】
（別紙３） 甲３図面
【図４】 【図５】
【図６】
（別紙４） 甲４図面
【第１図Ａ】 【第１図Ｂ】
【第２図Ａ】 【第２図Ｂ】
【第３図Ａ】 【第３図Ｂ】
【第４図】
（別紙５） 甲５図面
【第１図Ａ】 【第１図Ｂ】
【第２図】 【第３図】
【第４図】
（別紙６） 甲１５図面
【図１】 【図２】
【図３】
（別紙７） 甲３５図面
（別紙８） 甲３６図面
【図１３】