平成19(行ケ)10426審決取消請求事件

平成１９年（行ケ）第１０４２６号 審決取消請求事件

平成２０年１０月２２日判決言渡，平成２０年９月８日口頭弁論終結

判 決

原 告 サイプレス セミコンダクター コーポレイション

訴訟代理人弁理士 山川政樹，黒川弘朗，紺野正幸，西山修，山川茂樹，東森秀

朋，小池勇三

被 告 特許庁長官

指定代理人 真々田忠博，中田とし子，粟野正明，森山啓

主 文

原告の請求を棄却する。

訴訟費用は原告の負担とする。

この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３０日と定める。

事実及び理由

第１ 請求

特許庁が不服２００６−１７８０５号事件について平成１９年８月１５日にした審決を取り消す。

第２ 事案の概要

本件は，原告が特許出願をして拒絶査定を受け，これを不服として審判請求をしたところ，請求が成り立たないとの審決がされたので同審決の取消しを求める事案である。１ 特許庁における手続の経緯原告は，発明の名称を「酸化物層のエッチング方法」とする発明について，平成年１２月７日（パリ条約による優先権主張：１９９４年（平成６年）１２月７日，米国）に特許出願（以下「本件出願」という。）をし，平成１７年１１月２４日，手続補正をしたが，平成１８年５月８日付けで拒絶査定を受けたので，同年８月１日，同拒絶査定に対する不服審判を請求するとともに手続補正をした（以下「本件補正」という。）。特許庁は，上記請求を不服２００６−１７８０５号事件として審理し，平成１９年８月１５日，本件補正を却下するとともに，「本件審判の請求は成り立たない。」との審決をし，その謄本は同月２８日，原告に送達された。２ 発明の要旨

(1) 本件補正が却下されたため，審決が対象とした発明は，平成１７年１１月日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明であり，その要旨は次のとおりである（なお，請求項の数は５個である。）。「【請求項１】 基板上の酸化物層をエッチングする方法において（「おて」は「おいて」の誤記と認める。），上記酸化物層上に感光層を形成するステップと，上記酸化物層の一部を露出させるための第１の開口を上記感光層に形成するステップと，上記基板をプラズマに曝し，そのプラズマによって，上記ステップで露出させた上記酸化物層の部分をエッチングするとともに，上記感光層上に第１の層を形成するステップと，を具備し，上記第１の層と感光層のトータル厚みが該感光層のみの厚みより厚いことを特徴とする方法。」

(2) 本件補正後の請求項１に記載された発明の要旨は次のとおりである（下線部分が本件補正に係る部分であり，以下，この発明を「本願補正発明」という。なお，本件補正後の請求項の数は２個である。）。「【請求項１】 基板上の酸化物層をエッチングする方法において（「おて」は「おいて」の誤記と認める。），上記酸化物層上に感光層を形成するステップと，上記酸化物層の一部を露出させるための第１の開口を上記感光層に形成するステップと，上記基板をＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を含むプラズマに曝し，そのプラズマによって，上記ステップで露出させた上記酸化物層の部分をエッチングするとともに，上記感光層上に

第１の層を形成するステップと，

を具備し，上記第１の層と感光層のトータル厚みが該感光層のみの厚みより厚いことを特徴とする方法。」３ 審決の理由の要旨審決は，本願補正発明は，特開昭５７−９９７４５号公報（甲１。以下「刊行物」という。）に記載された発明（以下「刊行物記載発明」という。）及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができず，本件補正は，同法１７条の２第５項が準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものであるとし（同法１７条の２第５項，１５９条１項，５３条１項は，いずれも，平成１８年法律第５５号による改正前のもの），上記２(1)記載の発明を対象とした上，同発明と引用発明を対比すると相違点がなく，上記２(1)記載の発明は引用発明と同一であるから，特許法２９条１項の規定により特許を受けることができないとした。審決が上記結論に至った理由は，以下のとおりである。なお，審決の引用部分においても，本判決の略語表記を用いる。また，本訴の書証番号を付記した。

(1) 刊行物記載発明の内容刊行物には，次の発明が記載されている。「シリコン基板上のＳｉＯ ２層をエツチングする方法において，ＳｉＯ ２層上にパターン形成レジストを形成すること，ＳｉＯ ２層の一部を露出させるために開口をパターン形成レジストに形成すること，ＣＨＦ ３，Ｈ ２及びＮ ２の混合物からなるプラズマエツチングにより，露出したＳｉＯ ２ 層をエツチングするとともに，パターン形成レジスト上にポリマ薄膜を形成すること，ポリマ薄膜とレジストの厚さがレジストのみの厚さより厚いことからなるエツチングする方法」（審決４頁下４行∼５頁３行）

(2) 本願補正発明と刊行物記載発明との一致点及び相違点の認定「本願補正発明と刊行物記載発明とを対比すると，刊行物記載発明の「ＳｉＯ ２ 層」及び「ポリマ薄膜」は，本願補正発明の「酸化物層」及び「第１の層」に相当する。また，刊行物記載発明の「パターン形成レジスト」として，具体的には，電子感受性レジストあるいはＸ線感受性レジストが挙げられているから，刊行物記載発明の「パターン形成レジスト」は，本願補正発明の「感光層」に相当する。そうすると，両者は，「基板上の酸化物層をエッチングする方法において，上記酸化物層上に感光層を形成するステップと，上記酸化物層の一部を露出させるための第１の開口を上記感光層に形成するステップと，上記基板をプラズマに曝し，そのプラズマによって，上記ステップで露出させた上記酸化物層の部分をエッチングするとともに，上記感光層上に第１の層を形成するステップと，を具備し，上記第１の層と感光層のトータル厚みが該感光層のみの厚みより厚い方法」の点で一致するものの，次の点で相違する。相違点：本願補正発明のエッチングのためのプラズマは，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４を含むプラズマであるのに対し，刊行物記載発明のエッチングのためのプラズマは，ＣＨＦ ３，Ｈ ２及びＮ ２の混合物からなるプラズマである点。」（審決５頁６行∼２２行）

(3) 相違点についての判断「そこで，上記相違点について検討する。刊行物記載発明のプラズマエッチングガスは，上記摘記（１ｆ）（判決注：甲１の６頁左上欄４行∼同頁右上欄３行の記載部分）によれば，エツチング中プラズマ中のフツ素及び水素からポリマ薄膜を生じさせるためにＣＨＦ ３ を含むフッ化炭化水素系ガスを使用しているものであるが，一般に，フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとして，ＣＨＦ ３とともに，ＣＨ ２Ｆ ４ を用いることは以下に示すとおり周知の事項である。周知例１：特開平６−１２０１７４号公報（本訴甲２）「【請求項２】酸化膜上に形成した多結晶シリコンあるいはポリサイドの異方性エッチング方法において，・・・，Ｃ ａＨ ｂＦ ｃを含むガスのプラズマを該半導体基板に対し斜め方向より入射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」，「【請求項２０】該Ｃ ａＨ ｂＦ ｃはＣＨＦ ３であることを特徴とする請求項２・・記載の半導体装置の製造方法。」，「【請求項２５】該Ｃ ａＨ ｂＦ ｃは，Ｃ ２ＨＦ ４ であることを特徴とする請求項２・・記載の半導体装置の製造方法。」，「【００５】・・この結果側壁保護膜はＳｉＣｌ ｘ のＣｌがＯと置換してＳｉＯ ｙ（０＜ｙ＜２）となる。・・・」，「【００６３】また，側壁保護膜エッチングに使用したＣＨＦ系ガスは，ＣＨＦ３・・Ｃ２Ｈ２Ｆ４などでも有効である。」周知例２：特開平６−２１０１６号公報（本訴甲３）「【請求項１】・・該トレンチ形成後の該半導体基板にしたＣ ｘＨ ｙＦ ｚ（ｘ，ｙ，ｚは自然数，ｙ＋ｚ＝２ｘ＋２）ガスのプラズマによるエッチングを加える工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」，「【請求項８】該Ｃ ｘ Ｈ ｙＦ ｚ はＣ ２Ｈ ２Ｆ ４であることを特徴とする請求項１・・記載の半導体装置の製造方法。」，「【００１１】さらに，Ｃ ｘ Ｈ ｙＦ ｚはＣＨＦ ３・・・あるいはＣ ２Ｈ ２Ｆ ４であることを特徴としている。」周知例３：特開昭６２−１９８８７１号公報（本訴甲４）「導電性基体に存在するダストの大部分は，シリコン系化合物及び・・成膜する直前に導電性基体を，フッ化炭化系ガスと酸素ガスの混合ガスに，ＲＦ電力を印可することにより発生し持続したプラズマ中にさらすことにより，・・ダストの除去を行なった。」（２頁左下欄末行∼右下欄７行），「なお，本発明において用いられるフッ化炭化系ガスとしては，・・ＣＨＦ ３，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４等のフッ化炭化水素類を用いても良く」（２頁右下欄１８行∼３頁左上欄１行）そうすると，刊行物記載発明のプラズマエッチングガスであるＣＨＦ ３に替えて，同じフッ化炭化水素系プラズマエッチングガスとして周知であるＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を使用する程度のことは，当業者ならば容易に想到し得ることである。そして，本願補正発明において奏する効果も，刊行物の記載，及び上記周知の事項から，予測しえる程度のことであって，格別顕著なものとは認められない。したがって，本願補正発明は，刊行物に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。」（審決５頁２３行∼６頁３０行）

第３ 審決取消事由の要点

審決は，本件補正の適否の判断において，周知技術の認定を誤り，さらに，相違点についての判断を誤った結果，本願補正発明が，刊行物記載発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとの誤った結論に至り，ひいて，独立特許要件の欠缺を理由として，本件補正を却下したことにより，本願発明の要旨の認定を誤ったものであるから，違法なものとして取り消されるべきである。

１ 取消事由１（周知技術の認定誤りによる相違点についての判断の誤り）

(1) 審決は，一般に，フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとして，Ｃ

ＨＦ ３とともに，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ４を用いることは，特開平６−１２０１７４号公報（甲２。以下「周知例１」という。），特開平６−２１０１６号公報（甲３。以下「周知例」という。）及び特開昭６２−１９８８７１号公報（甲４。以下「周知例３」という。）に示すとおり周知の事項であると判断しているが，誤りである。

(2) 本件出願に係る発明は，平成６年１２月７日を優先日として出願されたも

のである。一方，周知例１は平成６年４月２８日に，周知例２は平成６年１月２８日にそれぞれ公開になっている。周知例１が公開になってから本願優先日までは７か月と９日，周知例２が公開になってから１０か月と９日しか経過していないが，周知例１，２がこの分野で特殊な技術であるために有名になったという事実もないから，それだけの期間に周知例１，２の存在及びその内容が周知になったということは到底あり得ないというべきである。また，周知例３は昭和６２年９月２日に公開になっており，本願優先日までに７年が経過しているが，そこに記載されている技術内容が画期的な内容で，広く利用されるようになったという事実もないから，周知例３は周知文献ではなく，その記載内容は周知とはいえない。

(3) 周知例１の発明の詳細な説明の中でＣ ２Ｈ２Ｆ ４について述べているのは，段

落【００２５】の「さらに，該ＣａＨ ｂＦｃはＣＨＦ ３，あるいはＣＨ ２Ｆ２，あるいはＣＨ ３ Ｆ，Ｃ ２ Ｈ ３ Ｆ ３，あるいはＣ ２ Ｈ ４ Ｆ ２ ，Ｃ ２ Ｈ ２ Ｆ ４であることを特徴としている。」と，段落【００６３】の「また，側壁保護膜エッチングに使用したＣＨＦ系ガスは，ＣＨＦ ３，ＣＨ ２Ｆ ２，ＣＨ ３Ｆ，Ｃ ２Ｈ ３Ｆ ３，Ｃ ２Ｈ ４Ｆ ２，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４などでも有効である。」の２か所のみである。実施例でＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を用いることが具体的に説明されているわけではなく，上記のようにＣＨＦ系ガスの中で，当時存在していることが明らかなガスを羅列し，単に「・・・などでも有効である。」と述べて，その中にＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を含ませているだけであり，従来技術の説明の箇所にもＣ ２Ｈ ２Ｆ４が使用されていたという記載は一切ない。そして，周知例１では，その出願時又は発明時においてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４の使用が側壁保護膜エッチングに「有効である」ことを確認しているのであるから，少なくとも周知例１が出願される前には，プラズマエッチングにおいてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を使用することが当業者には周知ではなかったことが推測できるというべきである。また，その後，周知例１の内容が広く知られるようになったという事実もなく，それを証明するものもない。

(4) 周知例２の発明の詳細な説明でＣ ２Ｈ ２ Ｆ ４ について述べているのは，段落

【００１１】の「さらに，Ｃ ｘＨ ｙＦ ｚはＣＨＦ ３あるいはＣＨ ２Ｆ ２あるいはＣＨ ３ＦあるいはＣ ２Ｈ ３Ｆ ３あるいはＣ ２Ｈ ４Ｆ ２あるいはＣ ２Ｈ ２Ｆ ４であることを特徴としている。」と，段落【００２８】の「さらに本発明者はＣ ｘＨ ｙＦ ｚガスと酸素元素を含むガスについて上記以外のガスについて検証した。ＣＨＦ３，ＣＨ ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆ，Ｃ２Ｈ３Ｆ３，Ｃ ２Ｈ４Ｆ ２，Ｃ ２Ｈ２Ｆ４の各々について，またこれらとＯ ２，ＣＯ，ＣＯについての全ての組合せについて第一あるいは第二の実施例と同様の検証を行った。」という記載のみである。そして，この段落【００２８】の「検証を行った」という記載からは，周知例２の出願日である平成４年７月１日の時点においては，プラズマエッチングにＣ ２Ｈ２Ｆ ４ガスを使用することが周知でなかったと判断できる。周知であれば「検証」など行う必要がないからである。また，周知例１と同様に，その後，周知例２の内容が広く知られるようになったという事実もなく，それを証明するものもない。

(5) 周知例３は，誘電性基体に感光層を形成させる前に，その誘電性基体の上

にあるダストすなわちゴミを除去するのにプラズマエッチングを利用しているだけであり，本願補正発明とは技術的に無関係である。また，その記載内容も，実施例でＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスが使用されているわけではなく，単に，利用できるガスとして多くのガスとともにＣ ２Ｈ２Ｆ４の名前が挙られているに過ぎない。このように，周知例３にはプラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが周知であったことを窺わせる記載はない。また，周知例３の存在によって，プラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を使用することが当業者に周知になったとはいえないのは，周知例３が公開になったかなり後（約７年後）に出願された周知例１や周知例２の記載内容からも明白である。

(6) 以上のとおり，周知例１ないし３には，それらが作成された時点でプラズ

マエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが周知であったということを推測できる記載がなく，逆に，周知例１，２からは，本願優先日にかなり近い時点まで，プラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが知られていなかったことを示唆する記載がある。したがって，本願優先日当時に，プラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用すること，特に，酸化物の一部をエッチングするのにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することは周知ではなかったというべきである。よって，審決が，本願優先日当時にプラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが周知であったと認定したことは誤りである。

２ 取消事由２（周知技術の適用誤りによる相違点についての判断の誤り）につ

いて

(1) 仮に，本願優先日当時にプラズマエッチングにＣ ２Ｈ２Ｆ４ガスを使用するこ

とが周知であったとしても，本願補正発明は，刊行物記載発明と周知技術とから容易に発明できたものではないから，本願補正発明の進歩性を否定した審決の判断は誤りである。

(2) 本願補正発明は，要するに，酸化物の一部を除去するためにプラズマエッ

チングを行うときに，そのエッチングのガスとしてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することを特徴とするものである。

(3) プラズマエッチングは，様々な用途に使用され，その用途に応じて使用さ

れるガスの種類も異なっているのは当業者の常識である。周知例１に記載されているのは，多結晶シリコンをエッチングした後に，そのエッチングによって生じた側壁保護膜を除去する技術にＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用できるという記載のみであり，本願補正発明のように酸化物層にホールを形成させるためにエッチングする技術とは異なった技術に用いることができると説明されているだけである。また，周知例２は，シリコン基板をエッチングしてできた凹凸形状の溝のコーナー部分に丸みを付けるためにプラズマエッチングを施す技術であって，シリコンをエッチングしており，酸化物をエッチングする本願補正発明とは技術的内容が全く異なる。さらに，周知例３は，前記のとおり，ゴミを取るためにエッチングしているので，本願補正発明とは全く異なった技術である。以上のように，プラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが記載されている周知例１ないし３は，いずれも，本願補正発明のエッチングの用途とは異なる用途に用いている。すなわち，いずれも，本願補正発明の特徴である，酸化物の一部を除去するに当たって，酸化物と窒化物との高い選択性を示し，その酸化物の下側にある部材を損傷させないようにするという用途に利用できることを推測させる記載はない。したがって，仮にプラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを利用することが周知であったとしても，本願補正発明の目的を達成するために有効かどうかは，周知例１ないし３で挙げられたそれぞれのガスについて実験をし，その中から本願補正発明の所期の目的を達成するものを探し出さなければならないのであるから，Ｃ２Ｈ２Ｆガスが本願補正発明の目的のために適切なガスであると即断することはできない。このように，仮にＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスがプラズマエッチングに利用することが周知であったとしても，個々のガスについて，本願補正発明の目的に利用できるかどうかを検証しなければならないのであるから，刊行物記載発明から直ちに本願補正発明を容易に推測することはできず，本願補正発明は，進歩性があり，特許されるべきである。

第４ 被告の反論の要点

１ 取消事由１（周知技術の認定誤りによる相違点についての判断の誤り）に対

して

(1) 周知技術とは，当業者が熟知している事項であるため，本来，審決におい

てその認定根拠を示すまでもないもののことであるから，審決に周知例として挙げた文献数の多寡によって，周知であるかどうかが定まるものではない。また，審決で周知例として挙げた文献は，本件出願当時にＣ ２Ｈ ２Ｆ ４がプラズマエッチングガスとして周知であったことを立証するために例示されたものであるから，当該文献自体の周知性の有無や当該文献の公開から本件出願までの期間の長短は問題ではない。さらに，特定化合物を利用することが周知技術であることを例示する文献は，具体的なデータとともに実施の態様まで明示されたものに限定すべきではない。以上のことから，周知例の公開から本件出願までの期間が短いこと，周知例に実施例として記載されていないことをもって，周知技術たり得ないとする

（原告の主張）

は失当である。

(2) 周知例１には，「【請求項２】酸化膜上に形成した多結晶シリコンあるい

はポリサイドの異方性エッチング方法において，・・・，ＣａＨｂＦ ｃを含むガスのプラズマを該半導体基板に対し斜め方向より入射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」，「【請求項２０】該Ｃ ａＨ ｂＦ ｃはＣＨＦ ３であることを特徴とする請求項２・・・記載の半導体装置の製造方法。」，「【請求項２５】該Ｃ ａ Ｈ ｂ Ｆ ｃ は，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４であることを特徴とする請求項２・・・記載の半導体装置の製造方法。」，「【００５５】・・・この結果側壁保護膜はＳｉＣｌ ＸのＣｌがＯと置換してＳｉＯ ｙ（０＜ｙ＜２）となる。・・・」，「【００６３】また，側壁保護膜エッチングに使用したＣＨＦ系ガスは，ＣＨＦ ３・・Ｃ２Ｈ ２Ｆ４などでも有効である。」と記載されており，請求項２，請求項２５等の記載からすれば，周知例１には，プラズマエッチングガスとしてフッ化炭化水素系のＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを用いることが記載されているといえる。また，【００５５】には，ＳｉＯ ｙ （０＜y＜２）をエッチングすることが記載され，ＳｉＯ ｙ （０＜y＜２）は硅素（Ｓｉ）に酸素（Ｏ）が化合したものであって，硅素の酸化物を意味するものであることは明らかであるから，周知例１には，酸化物をプラズマエッチングする際に，プラズマエッチングガスとしてフッ化炭化水素系のＣ ２Ｈ２Ｆ４を用いることも記載されているといえる。

(3) 周知例２には，「【請求項１】・・・該トレンチ形成後の該半導体基板に

したＣ ｘＨｙＦｚ（ｘ，ｙ，ｚは自然数，ｙ＋ｚ＝２ｘ＋２）ガスのプラズマによるエッチングを加える工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」，「【請求項８】該Ｃ ｘ Ｈ ｙ Ｆ ｚ はＣ ２Ｈ ２Ｆ ４であることを特徴とする請求項１・・・記載の半導体装置の製造方法。」，「【００１１】さらに，Ｃ ｘＨ ｙＦ ｚはＣＨＦ ３・・・あるいはＣ ２Ｈ ２Ｆ ４であることを特徴としている。」と記載されており，これらの記載からすれば，周知例２には，プラズマエッチングガスとしてフッ化炭化水素系のＣ ２Ｈ２Ｆ４を用いることが記載されているといえる。

(4) 周知例３には，「導電性基体に存在するダストの大部分は，シリコン系化

合物及び・・・成膜する直前に導電性基体を，フッ化炭化系ガスと酸素ガスの混合ガスに，ＲＦ電力を印可することにより発生し持続したプラズマ中にさらすことにより，・・・ダストの除去を行なった。」（２頁左下欄末行∼右下欄７行），「なお，本発明において用いられるフッ化炭化系ガスとしては，・・・ＣＨＦ ３，Ｃ ２ＨＦ ４ 等のフッ化炭化水素類を用いても良く」（２頁右下欄１８行∼３頁左上欄１行），「＜実施例＞・・・ガスを真空槽内に導入し，高周波電界を印加してプラズマを発生させ，気体状の存在する異物（ダスト）をエッチング除去する。」（３頁右上欄下２行∼左下欄１行）と記載されている。そして，周知例３の技術は，導電性基体に存在する除去が困難なダストを除去することを目的とするものであり，当該ダストは除去が困難であるから，ある程度，強固に基体に固着しているといえるところ，プラズマを発生させ，エッチングにより当該ダストを除去しようとするものであるから，上記記載には，プラズマエッチングガスとしてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を用いることが記載されているといえる。

(5) 周知例１ないし３以外にも，例えば，特開平４−２５１９２３号公報（乙

。以下「周知例４」という。）には，「【請求項１】・・・ドライエッチングするために用いる反応性ガスにおいて，この反応性ガスは，・・・フッ化炭化水素ガス・・・と酸素ガスとの混合ガスとしたことを特徴とするエッチング用反応性ガス」，「【０００７】【作用】・・・プラズマにより導入した反応性ガスを活性化し，被処理物表面をエッチングする。」，「【０００９】・・・フッ化炭化水素ガスとしては・・・ＣＨ ２ＦＣＦ ３・・・などを挙げることができる」と，ＣＨ ２ＦＣＦ３，即ちＣ２Ｈ２Ｆ４をプラズマエッチングガスとして用いることが記載され，さらに【００１９】には，実施例としてＣＨ ２ＦＣＦ ３，即ちＣ ２Ｈ ２Ｆ ４をプラズマエッチングガスとして実際に使用することが記載されている。また，特開昭６４−６２４５４号公報（乙２。以下「周知例５」という。）には，「この発明のフッ素化炭化水素プラズマ露出では，プラズマ処理を行う電解銅の表面を，プラズマ・エッチングに使用する種類の反応器中で発生させたプラズマに露出させる。・・・このようなフッ素化炭化水素の例としては，・・・Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４がある」（３頁左下欄４行∼１８行）との記載があり，プラズマエッチングガスとしてフッ化炭化水素系のＣ２Ｈ２Ｆ４を用いることが開示されている。

(6) 以上のとおり，本願優先日当時にフッ化炭化水素系のプラズマエッチング

ガスとしてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を用いることは周知の事項であるから，審決の周知技術の認定に誤りはない。

２ 取消事由２（周知技術の適用誤りによる相違点についての判断に誤り）に対

して

(1) 前記１のとおり，本願優先日当時にフッ化炭化水素系のプラズマエッチン

グガスとして，Ｃ２Ｈ ２Ｆ４を用いることは周知技術である。

(2) 刊行物記載発明と上記周知技術とは，プラズマエッチングという点で技術

分野の関連性を有しており，さらに，ＣＨＦ３とＣ ２Ｈ ２Ｆ４という共にフッ化炭化水素系ガスをプラズマエッチングガスに用いるという点でも技術を同じくしていることからすれば，上記周知技術を刊行物記載発明に適用しようとする十分な動機付けが存在するといえ，また，特段の阻害要因があるともいえない。そして，刊行物記載発明はフッ化炭化水素系ガスであるＣＨＦ ３をプラズマエッチングガスとして用い，酸化物をエッチングしていることからすれば，同様のエッチング作用を有することが周知であるフッ化炭化水素系ガスの１種であるＣ２Ｈ２Ｆをエッチングガスとして用いた場合の作用効果も，予測することが可能であるといえる。このように，刊行物記載発明に上記周知技術を適用する十分な動機付けが存在し，特段の阻害要因も存在せず，作用効果の予測可能性も存在するのであるから，刊行物記載発明に上記周知技術を適用することは，当業者が容易になし得たことにすぎない。また，上記周知技術を適用した場合に，どのような作用効果を奏するかを検証することは当業者において当然のことであるし，また，検証しなければならないことが適用の阻害要因であるとも認められないから，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４を本願補正発明の目的に利用できるかどうかを検証しなければならないことをもって進歩性があるとの原告の主張は失当である。

第５ 当裁判所の判断

１ 取消事由１（周知技術の認定誤りによる相違点についての判断の誤り）につ

いて原告は，審決が，本願優先日当時にプラズマエッチングガスとしてＣＨＦ ３とともにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが周知であったと認定したことが誤りであると主張するので，以下，検討する。

(1) 後掲証拠によれば，周知例１ないし４について，以下のとおり認められる。

ア 周知例３は，発明の名称を「電子写真感光体の製造方法」とする，昭和６１年２月２６日に出願され，昭和６２年９月２日に公開された公開特許公報であるが，これには次の記載がある（甲４）。(ア) 「２．特許請求の範囲１．アモルファスシリコンを主体とした電子写真感光体の製造工程において，真空槽内に少なくとも炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）とを含むフッ化炭素系ガス，及び酸素（Ｏ）を含むガスを導入し，高周波電界を印加することにより得られる，グロー放電プラズマ中に導電性基体表面をさらした後，該基体上にアモルファスシリコンを主体とした感光層を堆積することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。」（１頁左欄４∼１５行）(イ) 「本発明は，アモルファスシリコンを主体とした電子写真感光体の製造方法の改良に関するものである。」（１頁左欄１８∼２０行）(ウ) 「しかしながら，このようなプラズマＣＶＤ法により作製したａ−Ｓｉ感光体には，通常，感光膜全域にわたって直径数μｍ∼１００μｍの粒状突起様の膜欠陥が見られる。このような膜欠陥は，感光体を電子写真プロセスに適用した際に，白斑，白抜け等の著しい画像欠陥となって現れることがあり，・・・膜欠陥の発生を極力抑えることが強く望まれている。上記した膜欠陥の発生の原因について，・・・真空槽内に導電性基体を設置した後，真空排気する際に，装置内のダストが舞い上がり，このダストが導電性基体上に付着するためであることを見出した。」（２頁左上欄１３行∼右上欄９行）(エ) 「本発明は，・・・画像白斑の原因となる膜欠陥のない，優れた感光体を得ることが出来る電子写真感光体の製造方法を提供することを目的としている。」（２頁右上欄１５∼１８行）(オ) 「真空槽内に少なくとも炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）とを含むフッ化炭素系ガス，及び酸素（Ｏ）を含むガスを導入し，高周波電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマ中に導電性基体表面をさらして，この導電性基体面に付着しているダスト等の付着物を除去し，基体表面を清浄化する。」（２頁左下欄１０∼１６行）(カ) 「導電性基体上に存在するダストの大部分は，シリコン系化合物及び炭素系化合物であることが判明した。このことから，我々は，感光体構成膜を成膜する直前に導電性基体を，フッ化炭素系ガスと酸素ガスの混合ガスに，ＲＦ電力を印加することにより発生し持続したプラズマ中にさらすことにより，導電性基体上のダストの除去を行なった。」（２頁左下欄末行∼右下欄７行）(キ) 「なお，本発明において用いられるフッ化炭素系ガスとしては，ＣＦ ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ ３Ｆ８，Ｃ ４Ｆ８等のフッ化炭素類，ＣＨＦ ３，Ｃ ２Ｈ２Ｆ４等のフッ化炭化水素類を用いても良く，また，フッ化炭素系ガスに混合する酸素ガスについても，酸素ガスのみならず，ＣＯ，ＣＯ ２等の酸化炭素系ガス，あるいは，これにフッ素が結合した酸化炭素系ガスであってもよい。」（２頁右下欄１８行∼３頁左上欄５行）(ク) 「＜実施例＞・・・ＣＦ４ガスとＯ２ガスを真空槽内に導入し，高周波電界を印加してプラズマを発生させ，基体上に存在する異物（ダスト）をエッチング除去する。」（３頁右上欄６行∼左下欄１行）(ケ) 以上の記載によれば，周知例３は，電子写真感光体の製造方法において，炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）とを含むフッ化炭素系ガス，及び酸素（Ｏ）を含むガスのプラズマにより，導電性基体上のダストのエッチング除去を行うことを目的とする発明であることが認められる。そして，ダストのエッチング除去に用いられる「フッ化炭素系ガス」について，「ＣＨＦ ３，Ｃ ２Ｈ２Ｆ４等のフッ化炭化水素類を用いても良く」（前記(キ)）とされているから，周知例３には，「フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとしてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を用いること」が記載されているものといえる。イ 周知例４は，半導体デバイスの製造技術分野における発明の名称を「エツチング用反応性ガス」とする，平成３年１月９日に出願され，平成４年９月８日に公開された公開特許公報であるが，これには次の記載がある（乙１）。(ア) 「【請求項１】モリブデンシリサイド，タングステンシリサイド，チタンシリサイド，モリブデン，チタン，タングステン，クロム，タンタルから選ばれた少なくとも１種をドライエッチングするために用いる反応性ガスにおいて，この反応性ガスは，フッ化塩化炭化水素ガス及びフッ化炭化水素ガスのうちの少なくとも種のガスと酸素ガスとの混合ガスとしたことを特徴とするエッチング用反応性ガス。」（２頁左欄２∼９行）(イ) 「【０００７】【作用】例えば，プラズマ処理装置内に上記の被処理物をセットし，電極間に高周波を印加してプラズマを発生せしめ，このプラズマにより導入した反応ガスを活性化し，被処理物表面をエッチングする。」（２頁右欄７∼１１行）(ウ) 「【０００９】また，本発明における反応性ガスとしてはフッ化塩化炭化水素ガス及びフッ化炭化水素ガスの中から選ばれた少なくとも１種のガスと酸素ガスとの混合ガスを使用することを特徴としている。フッ化塩化炭化水素ガス及びフッ化炭化水素ガスとしてはＣＨＣｌ ２ＣＦ ３，ＣＨ３ＣＣｌ ２Ｆ，ＣＨ ２ＦＣＦ３，ＣＨＣｌ ２Ｆ，ＣＨＣｌ ２Ｆ ２またはＣＨＦ ３などを挙げることができる。」（２頁右欄１∼２３行）(エ) 以上の記載によれば，周知例４は，フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとしてＣＨＦ ３，Ｃ ２Ｈ２Ｆ４（上記ＣＨ２ＦＣＦ ３）などを開示していることが認められる。ウ 周知例２は，発明の名称を「半導体装置の製造方法」とする，平成４年７月日に出願され，平成６年１月２８日に公開された公開特許公報であるが，これには次の記載がある（甲３）。(ア) 「【要約】【構成】シリコン・トレンチのコーナーのラウンド処理をＣ ｘＨ ｙＦ ｚ系ガスあるいはＣ ｘＨ ｙＦ ｚ系ガスと酸素元素を含むガスの混合ガスのプラズマエッチングにより行う半導体装置の製造方法。この系におけるエッチングではＣ−Ｆ系，Ｃ−Ｈ系の重合膜，あるいはＣ−Ｆ系，Ｃ−Ｈ系の重合膜，反応生成物であるＳｉＦｘＯｙが堆積するが，これらの堆積速度が凹部では速く凸部では遅いことを利用して，トレンチ凹凸部のコーナーのラウンド処理を行なう。【効果】耐圧劣化防止のために必要なラウンド処理量（ＣＤロス）が従来のラウンド酸化法に比べ少ないため，寸法誤差の低下により素子性能の均一化，また素子の微細化が可能になる，プロセスの低温化でデバイスへの熱影響がなくなるなどの効果を有する。」（１頁左欄）(イ) 「【請求項１】半導体基板にトレンチを形成する工程と，該トレンチ形成後の該半導体基板にＣ ｘＨ ｙＦ ｚ（ｘ，ｙ，ｚは自然数，ｙ＋ｚ＝２ｘ＋２）ガスのプラズマによるエッチングを加える工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（２頁左欄２∼６行）(ウ) 「【請求項３】該ＣｘＨｙＦｚはＣＨＦ ３であることを特徴とする請求項１・・・記載の半導体装置の製造方法。」（２頁左欄１３∼１５行）(エ) 「【請求項８】該ＣｘＨｙＦｚはＣ ２Ｈ２Ｆ４であることを特徴とする請求項１・・・記載の半導体装置の製造方法。」（２頁左欄２８∼３０行）(オ) 「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に関し，特に凹凸を有するシリコン基板の凹凸部のコーナーを丸める技術に関する。」（２頁左欄３９∼４２行）(カ) 「【０００８】本発明・・・の課題は，トレンチのコーナーのラウンド処理において，ハーフミクロン以下のデバイスにも有効なＣＤロスの小さな処理を採用することにより，高信頼で，歩留まりの向上を図り得る半導体装置の製造方法を提供するところにある。」（２頁右欄４０∼４５行）(キ) 「【００１１】さらに，Ｃ ｘＨｙＦｚはＣＨＦ ３あるいはＣＨ ２Ｆ２あるいはＣＨ３ＦあるいはＣ２Ｈ３Ｆ３あるいはＣ２Ｈ４Ｆ２あるいはＣ２Ｈ２Ｆ４であることを特徴としている。」（３頁左欄８∼１０行）(ク) 「【００２８】さらに本発明者はＣ ｘＨ ｙＦ ｚガスと酸素元素を含むガスについて上記以外のガスについて検証した。ＣＨＦ３，ＣＨ ２Ｆ２，ＣＨ ３Ｆ，Ｃ２Ｈ３Ｆ，Ｃ ２Ｈ ４Ｆ ２，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４の各々について，またこれらとＯ ２，ＣＯ，ＣＯ ２についての全ての組合せについて第一あるいは第二の実施例と同様の検証を行った。【００２９】全てのケースについて，ラウンド処理量（エッチング量）４００∼Åでゲート耐圧が平坦部の９０％以上の値を示し，従来のラウンド酸化法に比べ十分な効果がみられた。」（４頁左欄３３∼４２行）(ケ) 以上の記載によれば，周知例２は，半導体装置の製造方法において，Ｃ ｘＨ ｙＦ ｚ系ガスあるいはＣ ｘＨ ｙＦ ｚ系ガスと酸素元素を含むガスの混合ガスのプラズマエッチングにより，トレンチ（溝）のコーナーのラウンド処理を行うことを目的とする発明であることが認められる。そして，トレンチのコーナーのラウンド処理に利用される「Ｃ ｘＨ ｙＦ ｚ（ｘ，ｙ，ｚは自然数，ｙ＋ｚ＝２ｘ＋２）ガスのプラズマ」について，「該ＣｘＨｙＦｚはＣ ２Ｈ２Ｆ４であること」（請求項８）とされているから，周知例２には，「フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとしてＣ ２Ｈ２Ｆ４を用いること」が記載されているものといえる。エ 周知例１は，発明の名称を「半導体装置の製造方法」とする，平成４年１０月５日に出願され，平成６年４月２８日に公開された公開特許公報であるが，これには次の記載がある（甲２）。(ア) 「【要約】【目的】半導体装置の製造方法において，多結晶シリコン，ポリサイドのエッチング時の（判決注：「エッチング時に」の誤記と認める。）形成される側壁保護膜を再現性よく除去する。【構成】ＣＦ系，ＣＨＦ系ガスのイオンを基板１に対し斜めに入射する事で，側壁に対するイオンエネルギーを発生させることにより側壁保護膜５の除去を行なう。さらに多結晶シリコン３，ポリサイドのオーバーエッチング時にもイオンの斜め入射を行なう。【効果】従来のウェット処理に比べ，除去の安定性，下地酸化膜との選択比が向上し，薄膜化が進むゲート酸化膜上のゲート電極の微細加工が可能となる。」（１頁左欄）(イ) 「【請求項２】酸化膜上に形成した多結晶シリコンあるいはポリサイドの異方性エッチング方法において，少なくともハロゲン元素を含むガスを主ガスとするプラズマにより該多結晶シリコンあるいはポリサイドのエッチングを行ないシリコン基板に対し垂直あるいは垂直に近い断面形状を得る工程と，Ｃ ａＨ ｂＦ ｃを含むガスのプラズマを該半導体基板に対し斜め方向より入射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（２頁左欄１０∼１７行）(ウ) 「【請求項２０】該Ｃ ａＨｂＦ ｃはＣＨＦ ３であることを特徴とする請求項２・・・記載の半導体装置の製造方法。」（２頁右欄４３∼４５行）(エ) 「【請求項２５】該Ｃ ａＨｂＦ ｃはＣ ２Ｈ２Ｆ４であることを特徴とする請求項・・・記載の半導体装置の製造方法。」（３頁左欄８∼１０行）(オ) 「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に関し，特に多結晶シリコンあるいはポリサイドの異方性エッチング時に生成される側壁保護膜の除去方法に関する。」（３頁左欄１２∼１６行）(カ) 「【００１１】本発明・・・の課題は，Ｃｌ系，Ｂｒ系ガスによる多結晶シリコン，ポリサイドの異方性エッチングおいて，再現性，制御性のある側壁保護膜の除去を行なうところにある。」（４頁右欄３２∼３５行）(キ) 「【００２５】さらに，該Ｃ ａＨｂＦｃはＣＨＦ３，あるいはＣＨ２Ｆ２，あるいはＣＨ３Ｆ，Ｃ２Ｈ３Ｆ３，あるいはＣ ２Ｈ４Ｆ２，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ４であることを特徴としている。」（４頁右欄５∼７行）(ク) 「【００５５】次に本発明の方法により側壁保護膜５の除去を行う。側壁保護膜５の除去には図２に示した装置を用いた。多結晶シリコン３のエッチング終了から側壁保護膜５の除去開始までは，一旦大気に曝して（３０分程度）ある。この結果側壁保護膜はＳｉＣｌ x のＣｌがＯと置換してＳｉＯ y（０＜ｙ＜２）となる。」（７頁左欄３３∼３８行）(ケ) 「【００６３】また，側壁保護膜エッチングに使用したＣＨＦ系ガスは，ＣＨＦ ３，ＣＨ ２Ｆ ２，ＣＨ ３Ｆ，Ｃ ２Ｈ ３Ｆ ３，Ｃ ２Ｈ ４Ｆ ２，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４などでも有効である。」（７頁右欄３１∼３３行）(コ) 以上の記載によれば，周知例１は，半導体装置の製造方法において，多結晶シリコン，ポリサイドのエッチング時に形成される側壁保護膜を，ＣＦ系，ＣＨＦ系ガスのプラズマを利用したエッチングにより除去することを目的とする発明であることが認められる。そして，側壁保護膜を除去するために利用される「Ｃ ａＨｂＦｃを含むガスのプラズマ」について，Ｃ ａＨｂＦｃはフッ化炭化水素を意味し，「該ＣａＨｂＦｃはＣ ２Ｈ２Ｆ ４であること」（請求項２５）とされていることから，周知例には，「フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとしてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を用いること」が記載されているものといえる。

(2) 以上に基づき判断するに，特許出願に係る明細書の発明の詳細な説明には，

当該発明の属する技術分野の出願時における技術水準（従来技術の水準）を踏まえ，新規性及び進歩性を有するものとして当該発明の特許性が記載されるものであるところ，前記各周知例によれば，半導体等を製造する技術分野における慣用的な技術手法であるプラズマエッチング法において，昭和６２年から平成６年の本願優先日までの間に，プラズマエッチングガスとしてフッ化炭化水素系のガスが幅広く採用されていたこと，そして，そのうちの１つとして，本願補正発明においてプラズマエッチングガスとして採用されたＣ ２Ｈ ２Ｆ ４が少なくとも異なる３名の出願人による４件の特許公報に適用可能なエッチングガスとして具体的に記載されていたことが認められ，これらの事実に上記技術分野が技術革新が極めて激しい分野であるとの公知の事実を勘案すると，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４をプラズマエッチングガスとして採用するとの技術事項は，当業者に広く知られた周知技術であると認めるのが相当である。

(3) これに対し，原告は次のとおり主張するが，いずれも理由がない。

ア 原告は，本願優先日は平成６年１２月７日であるが，周知例１は同年４月２日に，周知例２は同年１月２８日にそれぞれ公開になったものであり，公開日から本願優先日までの期間が短く，周知例１，２がこの分野で特殊な技術であるために有名になったという事実もないから，それだけの短期間に周知例１，２の存在及び内容が周知になったということは到底あり得ないと主張するが，審決は，周知例，２の存在及び内容が周知になったことを根拠として，本願優先日当時にプラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが周知であったと認定したわけではなく，周知例１，２を援用した趣旨はプラズマエッチングガスに関する技術水準を示すことにあったものであるといえる（その判示に照らし明らかである。）から，

（原告の主張）

は失当である。また，周知例３の記載内容が周知とはいえないなどとする

（原告の主張）

も，上記説示と同様の理由により失当である。イ 原告は，周知例１では，その出願時又は発明時においてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４の使用が側壁保護膜エッチングに「有効である」ことを確認しているのであるから，少なくとも周知例１が出願される前には，プラズマエッチングにおいてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を使用することが当業者に周知でなかったことが推測できると主張する。しかしながら，周知例１において「有効である」ことが確認されているのは，ＣＨ ２Ｆ ４の使用が側壁保護膜エッチングに「有効である」という周知例１の発明の効果であって，プラズマエッチング法一般においてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を使用することの有効性の有無が問題とされているのではないから，

（原告の主張）

は前提を欠き，失当である。さらに，原告は，周知例１におけるＣ ２Ｈ ２Ｆ ４の記載が２か所のみであることや実施例でＣ ２Ｈ２Ｆ４の使用の説明がないことなどを主張するが，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ４の記載の多寡や実施例における説明の有無は，周知例１についての前記認定判断を左右するに足りるものではないから，

（原告の主張）

を採用することはできない。ウ 原告は，周知例２にはＣ ２ Ｈ ２ Ｆ ４ について，実施例と同様の「検証を行った」と記載されていることから，周知例２の出願日である平成４年７月１日の時点においては，プラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが周知ではなかったと判断できると主張するが，周知例２において「検証を行った」のは，Ｃ ２Ｈ２Ｆ ４を使用した場合の周知例２の発明の効果についてであって，プラズマエッチング法一般においてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を使用することの適否ではないから，

（原告の主張）

は前提を欠き，失当である。エ 原告は，周知例３は本願補正発明とは技術的に無関係であり，実施例でＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスが使用されているわけではないなどと主張するが，前記１(1)ア(ア)，(オ)，(カ)ないし(ク)のとおり，周知例３には，プラズマエッチング法を採用し，「フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとしてＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を用いること」が記載されているから，本願補正発明のプラズマエッチングガスと共通する技術の記載があるし，また，実施例における使用の有無は，周知例３についての前記認定判断を左右するに足りるものではない。したがって，

（原告の主張）

は採用することができない。

(4) 以上のとおりであるから，審決が，本願優先日当時にプラズマエッチング

ガスとしてＣＨＦ３とともにＣ ２Ｈ２Ｆ ４ガスを使用することが周知であったと認定したことに誤りはなく，取消事由１は理由がない。

２ 取消事由２（周知技術の適用誤りによる相違点についての判断の誤り）につ

いて原告は，本願優先優先日当時にプラズマエッチングにＣ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスを使用することが周知であったとしても，本願補正発明は，刊行物記載発明と周知技術とから容易に発明できたものではないから，本願補正発明の進歩性を否定した審決の判断は誤りであると主張するので，以下，検討する。

(1) 刊行物記載発明は，「シリコン基板上のＳｉＯ２層をエツチングする方法に

おいて，ＳｉＯ ２層上にパターン形成レジストを形成すること，ＳｉＯ２層の一部を露出させるために開口をパターン形成レジストに形成すること，ＣＨＦ３，Ｈ ２及びＮ２の混合物からなるプラズマエツチングにより，露出したＳｉＯ ２層をエツチングするとともに，パターン形成レジスト上にポリマ薄膜を形成すること，ポリマ薄膜とレジストの厚さがレジストのみの厚さより厚いことからなるエツチングする方法」というものである（争いがない）ところ，刊行物には，プラズマエッチングについて，以下の記載がある（甲１）。ア 「本発明の一視点に従うと，プラズマエツチング中ポリマ物質は先に述べたレジスト要素１６及び１８上に形成及び維持されるが，層１４の露出した領域上には形成されない。これは先に述べた反応容器中に特定の一連のプロセス条件を形成することにより，実現される。具体的な一例において，レジストマスクされたＳｉＯ ２層のプラズマエツチングは，レジストパターンをほとんど損うことなく行われた。・・・供給源５２から容器２２（第３図）中に導入される気体は，ＣＨＦ ３，Ｈ ２及びＮ ２の混合物から成つた。」（５頁左上欄７行∼右上欄１行）イ 「これらの条件下で，ＳｉＯ ２層は１分当り約２１５オングストロームの速度でエツチングされた。エツチング工程中レジスト要素は事実上寸法的に完全なまま維持されたことは重要である。本発明のエツチングプロセス中，レジスト要素上のポリマ薄膜の選択的堆積が，

第４図に示されている。薄い保護膜６０及び６２（典型的な場合約４００ないし５

オングストロームの厚さ）は，それぞれ先に述べたレジスト要素１６及び１８の最上表面を被覆するように示されている。非等方性プロセス中の中間点で，ＳｉＯ ２堆積層１４の約半分が，処理される構造から除去されている。層１４の部分的に除去されたこれらの領域は，第４図中で１４ａ，１４ｂ及び１４ｃと印されている。第４図中に示されるように，エツチング中マスクされない領域１４ａ，１４ｂ及び１４ｃ上には，ポリマ薄膜は存在しない。続いて，上で具体的に述べたエツチングプロセスの結果，第４図に示されたＳｉＯ ２領域１４ａ，１４ｂ及び１４ｃが完全に除去され，それにより下の層１０の指定された領域の表面がプロセスのために露出される。」（５頁右上欄９行∼左下欄行）ウ 「本発明の出願人らが見出した先に述べた選択堆積現象の基本を説明する正確な理論はまだ定式化されていない。この現象に対するとりあえずの説明は，エツチング中プラズマ中のフツ素及び水素から生じるポリマ薄膜が，実際にはマスクレジスト要素及びマスクされないあるいは露出されたＳｉＯ ２領域上に形成されるということである。この説明に従うと，ＳｉＯ ２上に形成されやすい薄膜は，反応性及び非反応性スパツタリングにより露出された領域から連続的にエツチング除去され，それによりＳｉＯ ２領域がプラズマエツチングプロセスを受ける。一方，レジスト材料（それ自身がポリマである）の表面上への薄膜の形成は，促進されるように起り，エツチング中薄膜の反応性及び非反応性スパツタリングが連続的に起るが，その上には正味の薄膜の厚さが残る。するとレジストパターン上に残ったポリマ薄膜の厚さは，そのための有効な保護層として働く。」（６頁左上欄４行∼右上欄３行）エ 「本発明のプロセスの基本的な点は，マスクレジストパターンの表面上にのみ保護ポリマ薄膜を堆積及び維持するように設計された制御された条件下で，エツチングプラズマ中にフツ素及び水素成分の両方を作ることにある。従って，ガス供給源からエツチング容器中への窒素の導入は一般には有利と考えられるが，ガス混合物中にそれが存在することは必要ではない。事実，ＤＣＯＰＡ，ＰＢＳ又はＣＯＰのようなレジストを用いるとき，ＣＨＦ ３のみでここに述べた型の選択ポリマ堆積を行うのに十分である。」（６頁右上欄１１行∼左下欄２行）

(2) 以上の記載によれば，刊行物記載発明のプラズマエッチング工程は，エッ

チングプロセス中，レジスト要素上にポリマ薄膜の選択的堆積が生じ，これが有効な保護層として働くために，エッチング工程中レジスト要素は事実上寸法的に完全なまま維持され，一方，ＳｉＯ ２層は所定の速度でエッチングされ，エッチングプロセスの結果，レジスト要素によりマスクされないあるいは露出されたＳｉＯ ２領域が完全に除去されるというものであることが認められる。そして，「本発明のプロセスの基本的な点は，マスクレジストパターンの表面上にのみ保護ポリマ薄膜を堆積及び維持するように設計された制御された条件下で，エツチングプラズマ中にフツ素及び水素成分の両方を作ることにある。」（上記

(1)エ）との記載から，刊行物記載発明に利用し得るエッチングガスとしては，Ｃ

ＨＦ ３のように，分子中にフッ素と水素を共に含むガスであって，エッチングプラズマ中にフッ素及び水素の両成分を作ることができるガスが適切であることは，当業者が容易に認識し得ることである。

(3) 一方，前記１説示のとおり，Ｃ２Ｈ２Ｆ４をプラズマエッチングガスとして採

用するとの技術事項は周知技術であり，当業者においては，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４ガスをプラズマエッチングガスとして利用した場合，エッチングプラズマ中にフッ素及び水素の両成分を作ることは十分に予測し得ることである。そうすると，刊行物記載発明において，ＣＨＦ ３に代えて，同じＣＨＦ系のプラズマエッチングガスとして周知であるＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を適用することは，当業者が容易に想到し得ることであると認められ，その場合の効果についても，周知技術を適用するに過ぎないことからすれば，当業者が予測し得る程度のものといえるから，本願補正発明が奏する効果も，当業者が予測し得る程度のものであって，格別顕著なものと認めることはできない。

(4) これに対し，原告は，周知例１ないし３におけるプラズマエッチングの用

途が本願補正発明におけるそれと異なるとした上で，プラズマエッチングにＣ ２Ｈ２Ｆ ４ガスを利用することが周知であったとしても，本願補正発明の目的に利用できるかどうかは，各周知例に記載されたそれぞれのガスについて実験をし，本願補正発明の目的に利用できるかどうかを検証しなければならないから，刊行物記載発明から直ちに本願補正発明を容易に推測することはできないと主張する。しかしながら，上記(3)に説示したとおり，刊行物記載発明において，プラズマエッチングガスであるＣＨＦ ３に代えて，同じＣＨＦ系のプラズマエッチングガスとして周知であるＣ ２Ｈ ２Ｆ ４を適用することは，当業者が容易に想到し得ることであり，異なるエッチングガスを適用した場合にどのような作用・効果を奏するかを検証することは，当業者が当然行うことであるし，そのような検証作業自体は当業者にとって格別困難なことではないから，上記検証作業の必要性は，Ｃ ２Ｈ ２Ｆ ４の適用が容易想到であるとの前記判断を左右するに足りる事情とはいえない。したがって，

（原告の主張）

は失当である。

(5) 以上のとおりであるから，本願補正発明は，刊行物記載発明及び周知技術

に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。したがって，審決が，本願補正発明は特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないと判断したことに誤りはなく，取消事由２は理由がない。

３ 以上の次第であるから，審決取消事由はいずれも理由がなく，他に審決を違

法とする事由もないから，審決は適法であり，本件請求は理由がない。

第６ 結論

よって，本件請求を棄却することとし，主文のとおり判決する。知的財産高等裁判所第４部裁判長裁判官田 中 信 義裁判官榎 戸 道 也裁判官浅 井 憲