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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7179276 | 電界効果トランジスタ | 2022年11月29日 | |
特許 7165322 | ショットキーバリアダイオード | 2022年11月 4日 | |
特許 7116409 | トレンチMOS型ショットキーダイオード | 2022年 8月10日 | |
特許 7116411 | 単結晶育成装置、抵抗発熱体、及び単結晶育成方法 | 2022年 8月10日 | |
特許 7083139 | 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法 | 2022年 6月10日 | |
特許 7045008 | ショットキーバリアダイオード | 2022年 3月31日 | |
特許 7037142 | ダイオード | 2022年 3月16日 | |
特許 7012306 | トレンチMOS型ショットキーダイオード及びその製造方法 | 2022年 1月28日 | |
特許 7008293 | Ga2O3系半導体素子 | 2022年 1月25日 | |
特許 6997990 | pチャンネル電界効果トランジスタ及び増幅回路用半導体素子 | 2022年 1月18日 | |
特許 6991503 | ショットキーバリアダイオード | 2022年 1月12日 |
11 件中 1-11 件を表示
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7179276 7165322 7116409 7116411 7083139 7045008 7037142 7012306 7008293 6997990 6991503
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