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株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第6022位 3件
（
2021年：第2561位 8件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第27906位 0件
（2021年：第25492位 0件）
（ランキング更新日：2025年2月3日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7179276 | 電界効果トランジスタ | 2022年11月29日 | |
| 特許 7165322 | ショットキーバリアダイオード | 2022年11月 4日 | |
| 特許 7116409 | トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード | 2022年 8月10日 | |
| 特許 7116411 | 単結晶育成装置、抵抗発熱体、及び単結晶育成方法 | 2022年 8月10日 | |
| 特許 7083139 | 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法 | 2022年 6月10日 | |
| 特許 7045008 | ショットキーバリアダイオード | 2022年 3月31日 | |
| 特許 7037142 | ダイオード | 2022年 3月16日 | |
| 特許 7012306 | トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード及びその製造方法 | 2022年 1月28日 | |
| 特許 7008293 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 | 2022年 1月25日 | |
| 特許 6997990 | ｐチャンネル電界効果トランジスタ及び増幅回路用半導体素子 | 2022年 1月18日 | |
| 特許 6991503 | ショットキーバリアダイオード | 2022年 1月12日 |
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7179276 7165322 7116409 7116411 7083139 7045008 7037142 7012306 7008293 6997990 6991503
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＜エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け＞ 基礎から学ぶ／自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 ＜東京会場受講（対面）／Zoomオンライン受講 選択可＞ ＜見逃し視聴選択可＞
2月14日(金) - 東京 千代田区
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