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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7102389 | 半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス | 2022年 7月19日 | |
特許 7015925 | 自己形成拡散バリア層を有する低抵抗性金属相互接続構造体 | 2022年 2月15日 |
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7102389 7015925
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