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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第2110位 10件
(2015年:第2742位 7件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第3496位 4件
(2015年:第2775位 5件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2016-541127 | エピタキシャルウェハ成長装置 | 2016年12月28日 | |
特表 2016-539907 | インゴットの成長工程を観察するためのビューポート及びこれを含むインゴット成長装置 | 2016年12月22日 | |
特表 2016-529198 | 上側熱遮蔽体、これを含むインゴット成長装置及びこれを利用したインゴット成長方法 | 2016年 9月23日 | |
特表 2016-528157 | 坩堝及びそれを含むインゴット成長装置 | 2016年 9月15日 | |
特開 2016-124097 | ウェハー研磨装置およびその研磨方法 | 2016年 7月11日 | |
特表 2016-513614 | 冷却速度制御装置及びこれを含むインゴット成長装置 | 2016年 5月16日 | |
特表 2016-513356 | 半導体基板及びその製造方法 | 2016年 5月12日 | |
特表 2016-510503 | シリコン単結晶ウェハ、その製造方法及び欠陥検出方法 | 2016年 4月 7日 | |
特表 2016-507388 | 定盤及びそれを含むウェハの両面研磨装置 | 2016年 3月10日 | |
特表 2016-506085 | 半導体基板 | 2016年 2月25日 |
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2016-541127 2016-539907 2016-529198 2016-528157 2016-124097 2016-513614 2016-513356 2016-510503 2016-507388 2016-506085
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