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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第11848位 1件
(2013年:第4525位 4件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第4015位 4件
(2013年:第4717位 3件)
(ランキング更新日:2025年3月24日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5529854 | パワー電界効果トランジスタ | 2014年 6月25日 | |
特許 5529742 | MOSFETのアクティブ領域および終端領域の電荷バランス | 2014年 6月25日 | |
特許 5481200 | 平坦化された金属高密度パワーMOSFET | 2014年 4月23日 | |
特許 5417169 | パワーMOSFETのコンタクトメタライゼーション | 2014年 2月12日 |
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5529854 5529742 5481200 5417169
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3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月24日(月) -
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
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4月1日(火) - 山口 山口市
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