特許ランキング - 出願人詳細情報 -

力晶科技股▲ふん▼有限公司

※ ログインすれば出願人(力晶科技股▲ふん▼有限公司)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2016年出願公開件数ランキング　　　第1441位　17件（2015年：第5202位　3件）

　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第1730位　11件（2015年：第3984位　3件）

（ランキング更新日：2026年4月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年 2026年

力晶科技股▲ふん▼有限公司の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-212938	半導体記憶装置	2016年12月15日
特開 2016-184676	半導体記憶装置	2016年10月20日
特開 2016-170830	不揮発性記憶装置のための書き込み回路及び方法、並びに不揮発性記憶装置	2016年 9月23日
特開 2016-162925	ＭＯＭキャパシタ回路及び半導体装置	2016年 9月 5日
特開 2016-152050	半導体記憶装置及び半導体集積回路装置	2016年 8月22日
特開 2016-146725	電圧発生回路、レギュレータ回路、半導体記憶装置及び半導体装置	2016年 8月12日
特開 2016-143437	半導体装置の制御回路及び方法、並びに半導体装置	2016年 8月 8日
特開 2016-134603	トランジスタテスト回路及び方法、半導体記憶装置、並びに半導体装置	2016年 7月25日
特開 2016-134989	負基準電圧発生回路	2016年 7月25日
特開 2016-130905	負基準電圧発生システムとその製造方法	2016年 7月21日
特開 2016-103307	内部電源電圧補助回路、半導体記憶装置及び半導体装置	2016年 6月 2日
特開 2016-95713	内部電源電圧発生回路、半導体記憶装置及び半導体装置	2016年 5月26日
特開 2016-76679	深井戸構造を備えるイメージセンサ及びその製造方法	2016年 5月12日
特開 2016-58709	フラッシュメモリ構造、及びフラッシュメモリ構造を製造する方法	2016年 4月21日
特開 2016-46342	半導体ウエハ、半導体チップ及び半導体装置とそれらの製造方法	2016年 4月 4日

17 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2016-212938 2016-184676 2016-170830 2016-162925 2016-152050 2016-146725 2016-143437 2016-134603 2016-134989 2016-130905 2016-103307 2016-95713 2016-76679 2016-58709 2016-46342

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。力晶科技股▲ふん▼有限公司の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2026年特許出願件数	2026年特許取得件数
2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数