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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第3542位 5件
(2015年:第11806位 1件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第24808位 0件
(2015年:第8612位 1件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特表 2016-526802 | 垂直構造を有する窒化ガリウムパワー半導体素子 | 2016年 9月 5日 | |
特表 2016-503950 | 半導体モジュール向け圧入電気ピン | 2016年 2月 8日 | |
特表 2016-502270 | 改善されたトレンチ保護を有するトレンチベースデバイス | 2016年 1月21日 | |
特表 2016-501442 | デュアルメタルの、一部が凹んだ電極を有する、GaN系ショットキーダイオード | 2016年 1月18日 | |
特表 2016-501443 | 一部が凹んだアノードを有するGaN系ショットキーダイオード | 2016年 1月18日 |
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2016-526802 2016-503950 2016-502270 2016-501442 2016-501443
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3月26日(水) - 東京 港区
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4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月2日(水) -
4月2日(水) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市
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