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出願人名に「アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド」を含むもの

公報番号発明の名称出願人公報発行日
特表 2012-533905 バック接点太陽電池及び金属リボンを使用するモノリシックモジュールアセンブリ アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特開 2012-256900 振幅変調された高周波エネルギーを使用してゲート誘電体をプラズマ窒化するための方法及び装置 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特開 2012-256942 化学蒸着エッチングチャンバから副生成物の堆積物を除去するインサイチュチャンバ洗浄プロセス アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特表 2012-533890 CVDチャンバの流れ制御機構 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特開 2012-256916 複数領域のヒータを大気から隔離する方法 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特開 2012-256911 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特開 2012-256912 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特開 2012-256913 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月27日
特開 2012-251243 基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月20日
特表 2012-532419 エネルギー貯蔵デバイスにおける3次元銅含有電極の固体電解質界面のためのパッシベーション膜 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月13日
特開 2012-248855 低温ポリシリコンTFTのための多層高品質ゲート誘電体 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月13日
特開 2012-245565 半導体プロセスチャンバ内において使用するための物品 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月13日
特表 2012-531729 基板処理システム アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月10日
特表 2012-531045 ホウ素膜界面技術 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月 6日
特開 2012-238864 走査による熱束処理 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 2012年12月 6日

183 件中 1-15 件を表示

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2012-533905 2012-256900 2012-256942 2012-533890 2012-256916 2012-256911 2012-256912 2012-256913 2012-251243 2012-532419 2012-248855 2012-245565 2012-531729 2012-531045 2012-238864

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