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出願人名に「ヴィシェイ−シリコニックス」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2013-521660 | デュアルゲート半導体装置の構造及びその製造方法 | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 6月10日 |
| 特表 2013-520796 | アクティブスナバを有する電源スイッチ | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 6月 6日 |
| 特表 2013-517624 | 半導体パッケージおよび方法 | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 5月16日 |
| 特表 2013-514632 | 半導体素子 | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 4月25日 |
| 特表 2013-509729 | 半導体素子 | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 3月14日 |
| 特表 2013-509720 | トレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 3月14日 |
| 特表 2013-508984 | 曲線状のゲート酸化物プロファイルを有するスプリットゲート半導体素子 | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 3月 7日 |
| 特表 2013-508981 | 超高密度パワートレンチＭＯＳＦＥＴ | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 3月 7日 |
| 特表 2013-508980 | スプリットゲート電界効果トランジスタ | ヴィシェイ−シリコニックス | 2013年 3月 7日 |
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2013-521660 2013-520796 2013-517624 2013-514632 2013-509729 2013-509720 2013-508984 2013-508981 2013-508980
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