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出願人名に「ヴィシェイ−シリコニックス」を含むもの

公報番号発明の名称出願人公報発行日
特表 2013-521660 選択 デュアルゲート半導体装置の構造及びその製造方法 ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 6月10日
特表 2013-520796 選択 アクティブスナバを有する電源スイッチ ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 6月 6日
特表 2013-517624 選択 半導体パッケージおよび方法 ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 5月16日
特表 2013-514632 選択 半導体素子 ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 4月25日
特表 2013-509729 選択 半導体素子 ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 3月14日
特表 2013-509720 選択 トレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 3月14日
特表 2013-508984 選択 曲線状のゲート酸化物プロファイルを有するスプリットゲート半導体素子 ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 3月 7日
特表 2013-508981 選択 超高密度パワートレンチMOSFET ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 3月 7日
特表 2013-508980 選択 スプリットゲート電界効果トランジスタ ヴィシェイ−シリコニックス 2013年 3月 7日

9 件中 1-9 件を表示

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