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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「國立交通大學」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 4831744 | 高分子発光ダイオード用ナノコンポジットの製造方法 | 國立交通大學 | 2011年12月 7日 |
| 特許 4814911 | 高周波遷移線の垂直遷移構造 | 國立交通大學 | 2011年11月16日 |
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4831744 4814911
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12月25日(木) -
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