公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
---|---|---|---|
特許 4831744 | 高分子発光ダイオード用ナノコンポジットの製造方法 | 國立交通大學 | 2011年12月 7日 |
特許 4814911 | 高周波遷移線の垂直遷移構造 | 國立交通大學 | 2011年11月16日 |
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4831744 4814911
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3月25日(火) - 東京 品川区
3月25日(火) -
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3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月25日(火) - 東京 品川区
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市