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出願人名に「旺宏電子股▲ふん▼有限公司」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-216876 | トンネル障壁の上に電界分布層を有する電荷捕獲装置 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年11月 8日 |
| 特開 2012-160710 | ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 8月23日 |
| 特開 2012-150876 | ３次元メモリアレイ用のアーキテクチャ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 8月 9日 |
| 特開 2012-133876 | ＮＡＮＤメモリ用デコーダ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 7月12日 |
| 特開 2012-54550 | メモリストリングにダイオードを有する３次元アレイのメモリアーキテクチャ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 3月15日 |
| 特開 2012-19211 | ストリング選択線及びビット線の改善されたコンタクトレイアウトを有する３次元メモリアレイ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 1月26日 |
| 特開 2012-9809 | 相変化メモリコーディング | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 1月12日 |
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2012-216876 2012-160710 2012-150876 2012-133876 2012-54550 2012-19211 2012-9809
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