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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特許 5052805 | メモリを読み出すためのビット特定基準レベルの使用 | オヴォニクス,インコーポレイテッド | 2012年10月17日 |
特許 5020570 | 相変化メモリセルおよびその製造方法 | オヴォニクス,インコーポレイテッド | 2012年 9月 5日 |
特許 4873859 | 相変化メモリ及び相変化メモリを形成する方法 | オヴォニクス,インコーポレイテッド | 2012年 2月 8日 |
特許 4869600 | メモリ及びアクセス装置 | オヴォニクス,インコーポレイテッド | 2012年 2月 8日 |
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5052805 5020570 4873859 4869600
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