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サイプレス セミコンダクター コーポレーション
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第3170位 6件
（
2018年：第2239位 9件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1151位 16件
（2018年：第1089位 18件）
（ランキング更新日：2025年4月14日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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サイプレス セミコンダクター コーポレーションの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6605597 | 複数メモリからのアプリケーション起動 | 2019年11月13日 | |
| 特許 6594921 | 通信用送受信機及び通信制御方法 | 2019年10月23日 | |
| 特許 6581507 | 低濃度ドープのドレイン及びソース領域を有するＦＥＴデバイスの製造 | 2019年 9月25日 | |
| 特許 6570732 | 谷検出回路及び駆動回路 | 2019年 9月 4日 | |
| 特許 6563390 | Ｆ−ＲＡＭの製造方法 | 2019年 8月21日 | |
| 特許 6529677 | 強誘電体ランダムアクセスメモリ用のハイブリッド基準発生 | 2019年 6月12日 | |
| 特許 6531040 | メモリファーストプロセスフロー及び装置 | 2019年 6月12日 | |
| 特許 6531208 | Ｔｙｐｅ−Ｃコネクタサブシステムの低電力実装 | 2019年 6月12日 | |
| 特許 6523707 | ラップ読出しから連続読出しを行うメモリサブシステム | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6517149 | ディスポーザブルゲートキャップを使用したトランジスタ及びスプリットゲート電荷トラップメモリセルの形成 | 2019年 5月22日 | |
| 特許 6510678 | 予備パターン化された底部電極及び酸化障壁上に強誘電体ランダムアクセスメモリを製造する方法 | 2019年 5月 8日 | |
| 特許 6510980 | 電荷トラップスプリットゲート埋め込みフラッシュメモリ及び関連する方法 | 2019年 5月 8日 | |
| 特許 6474349 | 高電圧ゲート形成 | 2019年 2月27日 | |
| 特許 6465791 | 非揮発性電荷トラップメモリ装置及びロジックＣＭＯＳ装置の統合 | 2019年 2月 6日 | |
| 特許 6461003 | 不揮発性メモリを有する集積回路及び製造方法 | 2019年 1月30日 |
16 件中 1-15 件を表示
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6605597 6594921 6581507 6570732 6563390 6529677 6531040 6531208 6523707 6517149 6510678 6510980 6474349 6465791 6461003
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