ホーム > 特許ランキング > コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ > 2011年 > 出願公開一覧
※ ログインすれば出願人(コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第2749位 7件
(2010年:第35941位 0件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第24706位 0件
(2010年:第22882位 0件)
(ランキング更新日:2025年6月4日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特表 2011-523395 | プロトン交換による薄層を転写させる方法 | 2011年 8月11日 | 共同出願 |
特表 2011-518364 | 電子回路、詳細にはデジタル回路に電力を供給するための装置およびそれに関連する方法 | 2011年 6月23日 | |
特表 2011-515020 | 埋め込み型トラッピング層によるトランジスタの閾値電圧の調整方法 | 2011年 5月12日 | |
特開 2011-71518 | 埋め込み型脆化層が分割によって暴露された表面から基板を超音波平坦化する方法 | 2011年 4月 7日 | |
特表 2011-503839 | 分子接合を含むマイクロエレクトロニクス構造体の製造方法 | 2011年 1月27日 | |
特表 2011-501118 | 撮像装置用シンチレータ、シンチレータモジュール、該シンチレータ付き撮像装置およびシンチレータ製造方法 | 2011年 1月 6日 | |
特開 2011-3893 | 薄層をその熱膨張率と異なる熱膨張率を有するターゲット基板上に移転する方法 | 2011年 1月 6日 |
7 件中 1-7 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2011-523395 2011-518364 2011-515020 2011-71518 2011-503839 2011-501118 2011-3893
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブの知財の動向チェックに便利です。
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
6月4日(水) -
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
6月11日(水) -
6月12日(木) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月10日(火) -
東京都千代田区岩本町2-19-9 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒541-0046 大阪市中央区平野町2丁目2番9号 ビル皿井2階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都港区北青山2丁目7番20号 第二猪瀬ビル3F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング