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出願人名に「インターモレキュラー，インコーポレーテッド」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2012-523711 | スイッチング特性を改善した抵抗スイッチングメモリ素子 | インターモレキュラー，インコーポレーテッド | 2012年10月 4日 |
| 特表 2012-523119 | 抵抗メモリのコントロールされた局在的欠陥パス | インターモレキュラー，インコーポレーテッド | 2012年 9月27日 |
| 特開 2012-169622 | 薄膜形成のための方法とシステム | インターモレキュラー，インコーポレーテッド | 2012年 9月 6日 |
3 件中 1-3 件を表示
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2012-523711 2012-523119 2012-169622
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