ホーム > 特許ランキング > インターモレキュラー,インク. > 2011年 > 出願公開一覧
公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特表 2011-523772 | 半導体デバイスの形成電圧の低下 | インターモレキュラー,インク. | 2011年 8月18日 |
特表 2011-520035 | 組合わせプラズマ励起堆積技術 | インターモレキュラー,インク. | 2011年 7月14日 |
特表 2011-520265 | 不揮発性抵抗スイッチングメモリ | インターモレキュラー,インク. | 2011年 7月14日 |
特表 2011-520261 | 抵抗スイッチング特性を改善する表面処理方法 | インターモレキュラー,インク. | 2011年 7月14日 |
特表 2011-503345 | 組み合わせ処理システム | インターモレキュラー,インク. | 2011年 1月27日 |
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2011-523772 2011-520035 2011-520265 2011-520261 2011-503345
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1月30日(木) -
1月30日(木) -
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1月30日(木) - 東京 港区
1月31日(金) -
1月30日(木) -
2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
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