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出願人名に「インターモレキュラー,インク.」を含むもの

公報番号発明の名称出願人公報発行日
特表 2011-523772 半導体デバイスの形成電圧の低下 インターモレキュラー,インク. 2011年 8月18日
特表 2011-520035 組合わせプラズマ励起堆積技術 インターモレキュラー,インク. 2011年 7月14日
特表 2011-520265 不揮発性抵抗スイッチングメモリ インターモレキュラー,インク. 2011年 7月14日
特表 2011-520261 抵抗スイッチング特性を改善する表面処理方法 インターモレキュラー,インク. 2011年 7月14日
特表 2011-503345 組み合わせ処理システム インターモレキュラー,インク. 2011年 1月27日

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2011-523772 2011-520035 2011-520265 2011-520261 2011-503345

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