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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
---|---|---|---|
特許 5038556 | SiCのラテラル電界効果トランジスタ、その製造方法、およびかかるトランジスタの使用 | クレー・スウェーデン・アクチボラゲット | 2012年10月 3日 |
特許 5031566 | チャネル層の下部および上部にスペーサが含まれる横方向電界効果トランジスタおよびその製造方法 | クレー・スウェーデン・アクチボラゲット | 2012年 9月19日 |
特許 4972090 | 半導体装置およびその製造方法 | クレー・スウェーデン・アクチボラゲット | 2012年 7月11日 |
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5038556 5031566 4972090
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6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) -
6月20日(金) - 愛知 名古屋市
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月23日(月) -
6月24日(火) -
6月24日(火) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月26日(木) -
6月26日(木) -
6月26日(木) -
6月27日(金) -
6月27日(金) - 大阪 大阪市
6月27日(金) -
6月27日(金) -
6月27日(金) -
6月23日(月) -
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