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出願人名に「エー・イー・テック株式会社」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-131692 | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 | エー・イー・テック株式会社 | 2012年 7月12日 |
| 特開 2012-131662 | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 | エー・イー・テック株式会社 | 2012年 7月12日 |
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2012-131692 2012-131662
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