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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「国立交通大学」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5621955 | 斜め堆積を用いて生成されたナノ構造薄膜およびその方法 | 国立交通大学 | 2014年11月12日 |
| 特許 5532071 | ナノワイヤチャネルを有する半導体装置の製造方法およびこの装置を用いた半導体装置の製造方法 | 国立交通大学 | 2014年 6月25日 |
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5621955 5532071
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