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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特開 2014-207045 | データ記憶装置、ならびにその製造および制御方法 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年10月30日 |
特開 2014-116605 | 自己整流型RRAMセル構造およびそのクロスバーアレイ構造 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年 6月26日 |
特開 2014-71914 | フラッシュメモリ装置およびメモリ装置の操作方法 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年 4月21日 |
特開 2014-56634 | フラッシュメモリのセンスアンプ | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年 3月27日 |
特開 2014-38593 | オンチップのNAND型フラッシュメモリおよびその不良ブロック管理方法 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年 2月27日 |
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2014-207045 2014-116605 2014-71914 2014-56634 2014-38593
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3月26日(水) - 東京 港区
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) - 東京 港区
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月2日(水) -
4月2日(水) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市
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