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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第1771位 13件
(2015年:第4198位 4件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第5777位 2件
(2015年:第23268位 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2016-538226 | 単結晶成長装置 | 2016年12月 8日 | |
特表 2016-532127 | ウエハーの損傷深さを測定する方法 | 2016年10月13日 | |
特表 2016-530206 | 熱遮蔽体及びそれを含むシリコン単結晶インゴット製造装置 | 2016年 9月29日 | |
特表 2016-530710 | エピタキシャル反応器 | 2016年 9月29日 | |
特表 2016-526000 | 半導体用シリコン単結晶インゴット、ウエハ及びインゴット成長装置 | 2016年 9月 1日 | |
特表 2016-525800 | エピタキシャル反応器 | 2016年 8月25日 | |
特開 2016-55421 | ウエハ研磨装置 | 2016年 4月21日 | |
特開 2016-41463 | スラリー供給装置及びそれを含む研磨装置 | 2016年 3月31日 | |
特表 2016-508442 | 引き込み装置及びこれを含む反応システム | 2016年 3月22日 | |
特開 2016-32862 | ウエハー研磨装置 | 2016年 3月10日 | |
特表 2016-507163 | ウエハーの加工装置及び加工方法 | 2016年 3月 7日 | |
特表 2016-506358 | 単結晶インゴット、そのインゴットの製造装置及び方法 | 2016年 3月 3日 | |
特表 2016-504266 | 単結晶成長装置 | 2016年 2月12日 |
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2016-538226 2016-532127 2016-530206 2016-530710 2016-526000 2016-525800 2016-55421 2016-41463 2016-508442 2016-32862 2016-507163 2016-506358 2016-504266
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