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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特表 2012-527072 | 反射器アセンブリおよびビーム形成 | キネテイツク・リミテツド | 2012年11月 1日 |
特表 2012-523713 | p型半導体デバイス | キネテイツク・リミテツド | 2012年10月 4日 |
特表 2012-523712 | 半導体デバイスにおける歪みコントロール | キネテイツク・リミテツド | 2012年10月 4日 |
特表 2012-506354 | 金属化合物の合成 | キネテイツク・リミテツド | 2012年 3月15日 |
特表 2012-500988 | 位相ベースの感知 | キネテイツク・リミテツド | 2012年 1月12日 |
特表 2012-500965 | 位相ベースの検知 | キネテイツク・リミテツド | 2012年 1月12日 |
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2012-527072 2012-523713 2012-523712 2012-506354 2012-500988 2012-500965
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