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(2019年:第1440位 12件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6790075 | 水性銅めっき浴および基板上での銅または銅合金の析出方法 | 2020年11月25日 | |
特許 6774416 | ガルバニック金属堆積のための水平方向のガルバニックめっき加工ラインのガルバニックめっき装置およびその使用 | 2020年10月21日 | |
特許 6756847 | リードフレーム構造体、リードフレーム、表面実装電子部品、およびこれらの製造方法 | 2020年 9月16日 | |
特許 6748106 | 基板への金属付着のための水平方向のガルバニックまたは湿式化学プロセスラインのためのフラッディング装置 | 2020年 8月26日 | |
特許 6743289 | 窒化ガリウム半導体の活性化されていない表面上へのパラジウムの直接的な堆積方法 | 2020年 8月19日 | |
特許 6732751 | パラジウム無電解めっき用のめっき浴組成物およびパラジウムの無電解めっき方法 | 2020年 7月29日 | |
特許 6726173 | 金含有層を電着するための組成物、その使用及び方法 | 2020年 7月22日 | |
特許 6713536 | 金属めっき法 | 2020年 6月24日 | |
特許 6667525 | ニッケル層の無電解析出のためのめっき浴および方法 | 2020年 3月18日 | |
特許 6664400 | パラジウム無電解めっき用のめっき浴組成物およびパラジウムの無電解めっき方法 | 2020年 3月13日 | |
特許 6650072 | 基板に垂直電気金属成膜を行うための装置 | 2020年 2月19日 | |
特許 6650073 | ウェハ状の基板を処理する方法、装置、および該装置の使用 | 2020年 2月19日 |
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6790075 6774416 6756847 6748106 6743289 6732751 6726173 6713536 6667525 6664400 6650072 6650073
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