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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6541229 | 窒化ガリウムおよび金属酸化物の複合基板 | 2019年 7月10日 | |
特許 6526811 | III族窒化物結晶を加工する方法 | 2019年 6月 5日 | |
特許 6516738 | III族窒化物半導体を用いた電子デバイスおよびその製造方法、および該電子デバイスを製作するためのエピタキシャル多層ウエハ | 2019年 5月22日 | |
特許 6474920 | 高圧反応器および超臨界アンモニア中のIII族窒化物結晶の成長方法 | 2019年 2月27日 | |
特許 6456502 | III族窒化物基板およびそれらの製造方法 | 2019年 1月23日 | |
特許 6457389 | ビスマスでドープされた半絶縁III族窒化物ウエハおよびその生産方法 | 2019年 1月23日 | |
特許 6448155 | 低減亀裂III族窒化物バルク結晶のためのシード選択および成長方法 | 2019年 1月 9日 |
7 件中 1-7 件を表示
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6541229 6526811 6516738 6474920 6456502 6457389 6448155
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