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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第7099位 2件
(2010年:第35941位 0件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第4519位 3件
(2010年:第2347位 7件)
(ランキング更新日:2025年8月6日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4711113 | CH3AlH2:Lの製造方法、Al系膜形成材料、Al系膜形成方法、及びAl系配線膜形成方法 | 2011年 6月29日 | |
特許 4693970 | ゲート酸化膜形成方法 | 2011年 6月 1日 | |
特許 4666339 | 導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法 | 2011年 4月 6日 |
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4711113 4693970 4666339
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8月6日(水) -
8月6日(水) -
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8月6日(水) -
8月15日(金) -
8月15日(金) -
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