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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第433位 90件
(
2011年:第664位 50件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第511位 66件
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2011年:第644位 47件)
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| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5110391 | 二重変換利得ゲートとキャパシタとの組み合わせを有するイメージングデバイス | 2012年12月26日 | |
| 特許 5110401 | 低消費電力相変化メモリとその形成方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5110402 | フローティングボディトランジスタ構造、半導体構造、および半導体構造の形成方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5110408 | 複数の抵抗状態を有する相変化メモリ構造、ならびにそのプログラミングおよびセンシング方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5110409 | 自己組織化材料を使用するピッチマルチプリケーション | 2012年12月26日 | |
| 特許 5107034 | Al2O3誘電体を用いるメモリ・セルの絶縁構造 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5107037 | 抵抗可変メモリ・ディバイスと製造方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5093563 | 導電性構成部品、貫通ビア及び導電性貫通ウェーハ・ビアを含む半導体構成部品を製造するためのプロセス及び集積化スキーム | 2012年12月12日 | |
| 特許 5093401 | 構成可能な入出力ポートを伴うメモリモジュール | 2012年12月12日 | |
| 特許 5093612 | イオン注入方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5093614 | マルチレベルセル不揮発性メモリデバイスにおけるシングルレベルセルプログラミング | 2012年12月12日 | |
| 特許 5093962 | 金属コンテナ構造の平坦化 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5093623 | 半導体構造、複数のラインを形成する方法、および高密度構造と低密度構造を単一フォトマスクで形成する方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5088583 | マイクロ電子装置、積層型マイクロ電子装置、およびそうした装置の製造方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5088589 | パストランジスタと、垂直読み出し/書き込み有効化トランジスタを含む、キャパシタレスフローティングボディ揮発性メモリセル、およびその製造法とプログラミング法 | 2012年12月 5日 |
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5110391 5110401 5110402 5110408 5110409 5107034 5107037 5093563 5093401 5093612 5093614 5093962 5093623 5088583 5088589
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