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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第622位 53件 (2011年:第12004位 1件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第1009位 28件 (2011年:第24706位 0件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5101263 | 半導体ヘテロ構造 | 2012年12月19日 | |
特許 5101287 | 接合されるべき面の処理を伴う転写方法 | 2012年12月19日 | |
特許 5103677 | CVDリアクタにおける気体状前駆体の熱化 | 2012年12月19日 | |
特許 5099859 | 基板の再利用方法、積層化ウェーハの作製方法、及び適切な再利用を施したドナー基板 | 2012年12月19日 | |
特許 5096634 | 低いホール密度を有する薄層を得るための方法 | 2012年12月12日 | |
特許 5088729 | 半導体オンインシュレータ型ウエハを製造する方法 | 2012年12月 5日 | 共同出願 |
特許 5079706 | 分子接合による結合のためのプロセスおよび装置 | 2012年11月21日 | |
特許 5068635 | 半導体ヘテロ構造を作製する方法 | 2012年11月 7日 | |
特許 5053252 | 半導体材料の少なくとも1つの厚い層を含むヘテロ構造の製造方法 | 2012年10月17日 | |
特許 5043230 | エッチング組成物、特に歪みを有する又は応力を受けたシリコン材料用のエッチング組成物、そのような基板上の欠陥の特性を決定する方法、及びそのような表面をエッチング組成物で処理するプロセス | 2012年10月10日 | |
特許 5042837 | 気泡の形成を回避し、かつ、粗さを制限する条件により共注入工程を行う薄層転写方法 | 2012年10月 3日 | |
特許 5032168 | バルク基板中の結晶欠陥を顕在化する方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5026685 | 歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法及びこの方法の中間生成物 | 2012年 9月12日 | |
特許 5009367 | 三塩化ガリウムの大容量送達システム | 2012年 8月22日 | |
特許 5005740 | ウェーハおよびウェーハの製造方法 | 2012年 8月22日 |
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5101263 5101287 5103677 5099859 5096634 5088729 5079706 5068635 5053252 5043230 5042837 5032168 5026685 5009367 5005740
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 (周辺領域の商標・不正競争防止法を含む)に関するQ&A ~日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Q&A形式で平易に解説~
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