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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第1527位 18件 (2012年:第622位 53件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第1127位 24件 (2012年:第1009位 28件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2013-543276 | 無線周波数用途又は電力用途のための電子装置及びそのような装置を製造するためのプロセス | 2013年11月28日 | |
特表 2013-541197 | 特定波長の光束を用いて基板を処理する方法および対応する基板 | 2013年11月 7日 | |
特表 2013-537363 | 犠牲材料を使用して半導体構造体中にウェーハ貫通相互接続部を形成する方法、及びかかる方法により形成される半導体構造体 | 2013年 9月30日 | |
特表 2013-533621 | 注入および照射により基板を調製する方法 | 2013年 8月22日 | |
特表 2013-531395 | 分子接着によって2枚のウェーハを互いにボンディングするための方法及び装置 | 2013年 8月 1日 | |
特開 2013-149991 | 絶縁埋め込み層に帯電領域を有する基板 | 2013年 8月 1日 | |
特表 2013-524513 | III−V半導体構造およびIII−V半導体構造を形成する方法 | 2013年 6月17日 | 共同出願 |
特表 2013-522896 | セミコンダクタオンインシュレータ型の基板の仕上げ処理方法 | 2013年 6月13日 | |
特表 2013-520829 | 多層構造体の表面に存在する材料の断片を除去する方法 | 2013年 6月 6日 | |
特表 2013-518401 | 多層ウェーハ内の不均一変形の評価のためのシステム及び方法 | 2013年 5月20日 | |
特開 2013-80917 | シリコンオンインシュレーター構造体の製造方法 | 2013年 5月 2日 | |
特表 2013-513963 | 基板を再利用する方法 | 2013年 4月22日 | |
特表 2013-513234 | 電気的損失が低減した半導体オンインシュレータタイプの構造の製造プロセス及び対応する構造 | 2013年 4月18日 | |
特表 2013-511834 | ガラスボンディング層を使用して半導体構造及び半導体素子を製造する方法並びにかかる方法によって形成した半導体構造及び半導体素子 | 2013年 4月 4日 | |
特表 2013-509697 | 半導体・オン・絶縁体型構造における応力の分布を制御するための方法およびこの方法に関連した構造 | 2013年 3月14日 |
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2013-543276 2013-541197 2013-537363 2013-533621 2013-531395 2013-149991 2013-524513 2013-522896 2013-520829 2013-518401 2013-80917 2013-513963 2013-513234 2013-511834 2013-509697
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 (周辺領域の商標・不正競争防止法を含む)に関するQ&A ~日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Q&A形式で平易に解説~
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