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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第3044位 6件 (2011年: 0件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第25637位 0件 (2011年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特表 2012-523702 | GaNバッファ層におけるドーパント拡散変調 | 2012年10月 4日 | |
特表 2012-523701 | 補償型ゲートMISFET及びその製造方法 | 2012年10月 4日 | |
特表 2012-523700 | 逆拡散抑制構造 | 2012年10月 4日 | |
特表 2012-523699 | 改善されたゲート特性を有するエンハンスメントモード窒化ガリウムトランジスタ | 2012年10月 4日 | |
特表 2012-523697 | エンハンスメントモードGaNHEMTデバイス、及びその製造方法 | 2012年10月 4日 | |
特表 2012-523695 | 電気的に絶縁された裏面を有するバンプ付き自己分離型GaNトランジスタチップ | 2012年10月 4日 |
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2012-523702 2012-523701 2012-523700 2012-523699 2012-523697 2012-523695
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 (周辺領域の商標・不正競争防止法を含む)に関するQ&A ~日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Q&A形式で平易に解説~
10月22日(火) - 東京 港
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10月23日(水) -
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10月24日(木) -
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10月24日(木) - 東京 港
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