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サンディスク コーポレイション

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  2011年 出願公開件数ランキング    第805位 38件 下降2010年:第593位 65件)

  2011年 特許取得件数ランキング    第560位 57件 上昇2010年:第735位 33件)

(ランキング更新日:2024年10月10日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特表 2011-530776 不揮発性記憶装置の読み出し動作中における結合の補償 2011年12月22日
特開 2011-258309 不揮発性メモリおよび改善された部分的ページプログラミング機能を備えた制御処理 2011年12月22日
特開 2011-253557 不揮発性メモリおよび制御データ管理を伴う方法 2011年12月15日
特表 2011-529225 フラッシュメモリ記憶装置における動的メモリ割当てに起因する自己エビクションの回避 2011年12月 1日
特開 2011-222030 デュアルメディアストレージデバイス 2011年11月 4日
特表 2011-527833 漏れ電流を削減するフローティングゲート上の誘電体層 2011年11月 4日
特表 2011-527067 不揮発性メモリにおける読み出しディスターブの低減 2011年10月20日
特開 2011-210278 メモリカードコントローラファームウェアのハードウェアドライバ完全性チェック 2011年10月20日
特表 2011-527068 不揮発性記憶装置のための選択的消去処理 2011年10月20日
特表 2011-527069 不揮発性記憶装置のオーバープログラムの訂正 2011年10月20日
特表 2011-527070 不揮発性記憶装置のプログラムおよび選択的消去 2011年10月20日
特開 2011-205107 メモリセル電荷記憶素子あたりに二重のコントロールゲートを有するフラッシュメモリセルアレイ 2011年10月13日
特開 2011-192298 マスストレージアクセラレータ 2011年 9月29日
特表 2011-526049 最小限の追加時間ペナルティで障害を低減するために改良されたプログラミングアルゴリズム 2011年 9月29日
特表 2011-524599 相関複数パスプログラミングのための不揮発性メモリおよび方法 2011年 9月 1日

38 件中 1-15 件を表示

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2011-530776 2011-258309 2011-253557 2011-529225 2011-222030 2011-527833 2011-527067 2011-210278 2011-527068 2011-527069 2011-527070 2011-205107 2011-192298 2011-526049 2011-524599

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