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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第805位 38件 (2010年:第593位 65件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特表 2011-530776 | 不揮発性記憶装置の読み出し動作中における結合の補償 | 2011年12月22日 | |
特開 2011-258309 | 不揮発性メモリおよび改善された部分的ページプログラミング機能を備えた制御処理 | 2011年12月22日 | |
特開 2011-253557 | 不揮発性メモリおよび制御データ管理を伴う方法 | 2011年12月15日 | |
特表 2011-529225 | フラッシュメモリ記憶装置における動的メモリ割当てに起因する自己エビクションの回避 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-222030 | デュアルメディアストレージデバイス | 2011年11月 4日 | |
特表 2011-527833 | 漏れ電流を削減するフローティングゲート上の誘電体層 | 2011年11月 4日 | |
特表 2011-527067 | 不揮発性メモリにおける読み出しディスターブの低減 | 2011年10月20日 | |
特開 2011-210278 | メモリカードコントローラファームウェアのハードウェアドライバ完全性チェック | 2011年10月20日 | |
特表 2011-527068 | 不揮発性記憶装置のための選択的消去処理 | 2011年10月20日 | |
特表 2011-527069 | 不揮発性記憶装置のオーバープログラムの訂正 | 2011年10月20日 | |
特表 2011-527070 | 不揮発性記憶装置のプログラムおよび選択的消去 | 2011年10月20日 | |
特開 2011-205107 | メモリセル電荷記憶素子あたりに二重のコントロールゲートを有するフラッシュメモリセルアレイ | 2011年10月13日 | |
特開 2011-192298 | マスストレージアクセラレータ | 2011年 9月29日 | |
特表 2011-526049 | 最小限の追加時間ペナルティで障害を低減するために改良されたプログラミングアルゴリズム | 2011年 9月29日 | |
特表 2011-524599 | 相関複数パスプログラミングのための不揮発性メモリおよび方法 | 2011年 9月 1日 |
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2011-530776 2011-258309 2011-253557 2011-529225 2011-222030 2011-527833 2011-527067 2011-210278 2011-527068 2011-527069 2011-527070 2011-205107 2011-192298 2011-526049 2011-524599
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 (周辺領域の商標・不正競争防止法を含む)に関するQ&A ~日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Q&A形式で平易に解説~
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10月23日(水) -
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