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インターナショナル レクティフィアー コーポレイション

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  2012年 出願公開件数ランキング    第1466位 17件 下降2011年:第1323位 19件)

  2012年 特許取得件数ランキング    第2117位 10件 下降2011年:第1627位 14件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特開 2012-256862 集積電力段 2012年12月27日
特開 2012-235100 打抜きリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物整流器パッケージ 2012年11月29日
特開 2012-235101 パッケージ支持面にクリップを利用する高電圧III族窒化物整流器パッケージ 2012年11月29日
特開 2012-235099 エッチングリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物整流器パッケージ 2012年11月29日
特開 2012-231129 III−V族トランジスタとIV族ダイオードを含む積層複合デバイス 2012年11月22日
特開 2012-228166 三次元電流経路制御を採用したボンドワイヤレス電源モジュール 2012年11月15日
特開 2012-222360 III−V族トランジスタとIV族横型トランジスタを含む積層複合デバイス 2012年11月12日
特開 2012-222361 III−V族トランジスタとIV族縦型トランジスタを含む積層複合デバイス 2012年11月12日
特開 2012-212863 温度センサーを具えたデュアルコンパートメント半導体パッケージ 2012年11月 1日
特開 2012-212875 低電圧デバイス保護付き高電圧複合半導体デバイス 2012年11月 1日
特開 2012-199547 アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス 2012年10月18日
特開 2012-199548 ターンオン防止付き複合半導体デバイス 2012年10月18日
特開 2012-199549 パッシブ発振防止用のIII族窒化物トランジスタ 2012年10月18日
特開 2012-191202 歪吸収中間層遷移モジュールを有するIII族窒化物半導体構造 2012年10月 4日
特開 2012-146960 低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ 2012年 8月 2日

17 件中 1-15 件を表示

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2012-256862 2012-235100 2012-235101 2012-235099 2012-231129 2012-228166 2012-222360 2012-222361 2012-212863 2012-212875 2012-199547 2012-199548 2012-199549 2012-191202 2012-146960

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