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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第1466位 17件 (2011年:第1323位 19件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第2117位 10件 (2011年:第1627位 14件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2012-256862 | 集積電力段 | 2012年12月27日 | |
特開 2012-235100 | 打抜きリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物整流器パッケージ | 2012年11月29日 | |
特開 2012-235101 | パッケージ支持面にクリップを利用する高電圧III族窒化物整流器パッケージ | 2012年11月29日 | |
特開 2012-235099 | エッチングリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物整流器パッケージ | 2012年11月29日 | |
特開 2012-231129 | III−V族トランジスタとIV族ダイオードを含む積層複合デバイス | 2012年11月22日 | |
特開 2012-228166 | 三次元電流経路制御を採用したボンドワイヤレス電源モジュール | 2012年11月15日 | |
特開 2012-222360 | III−V族トランジスタとIV族横型トランジスタを含む積層複合デバイス | 2012年11月12日 | |
特開 2012-222361 | III−V族トランジスタとIV族縦型トランジスタを含む積層複合デバイス | 2012年11月12日 | |
特開 2012-212863 | 温度センサーを具えたデュアルコンパートメント半導体パッケージ | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-212875 | 低電圧デバイス保護付き高電圧複合半導体デバイス | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-199547 | アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス | 2012年10月18日 | |
特開 2012-199548 | ターンオン防止付き複合半導体デバイス | 2012年10月18日 | |
特開 2012-199549 | パッシブ発振防止用のIII族窒化物トランジスタ | 2012年10月18日 | |
特開 2012-191202 | 歪吸収中間層遷移モジュールを有するIII族窒化物半導体構造 | 2012年10月 4日 | |
特開 2012-146960 | 低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ | 2012年 8月 2日 |
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2012-256862 2012-235100 2012-235101 2012-235099 2012-231129 2012-228166 2012-222360 2012-222361 2012-212863 2012-212875 2012-199547 2012-199548 2012-199549 2012-191202 2012-146960
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 (周辺領域の商標・不正競争防止法を含む)に関するQ&A ~日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Q&A形式で平易に解説~
10月22日(火) - 東京 港
10月22日(火) -
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10月23日(水) -
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10月24日(木) -
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10月24日(木) - 東京 港
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10月25日(金) - 大阪 大阪市
10月25日(金) -
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