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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第114位 406件
(2011年:第79位 513件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第79位 478件
(2011年:第88位 379件)
(ランキング更新日:2025年6月3日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 4970808 | GaN系半導体発光素子およびその製造方法 | 2012年 7月11日 | |
特許 4965904 | ベッドの在床状況検出方法 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4964844 | 汚染土壌の浄化方法 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4969501 | 酢酸アリル製造用触媒の製造方法 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4966521 | 過弗化物含有排ガスの処理方法及び処理装置 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4964580 | 引抜加工方法 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4968830 | 環状ジチオカーボネート基を有するラジカル重合性化合物 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4964608 | 帯電防止剤、帯電防止膜及び帯電防止膜被覆物品 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4964638 | 照明装置及び照明装置の製造方法 | 2012年 7月 4日 | |
特許 4964437 | 電解コンデンサ用アルミニウム合金材及びその製造方法、電解コンデンサ用陽極材、電解コンデンサ用電極材の製造方法並びにアルミニウム電解コンデンサ | 2012年 6月27日 | |
特許 4964482 | 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | 2012年 6月27日 | |
特許 4959763 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 | 2012年 6月27日 | |
特許 4960727 | 化粧板 | 2012年 6月27日 | |
特許 4964430 | 半導体素子形成用基板及びエピタキシャルウェーハ並びにそれらを利用した半導体素子及び半導体デバイス | 2012年 6月27日 | |
特許 4963839 | 発光装置 | 2012年 6月27日 |
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4970808 4965904 4964844 4969501 4966521 4964580 4968830 4964608 4964638 4964437 4964482 4959763 4960727 4964430 4963839
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