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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第27位 1443件
(2011年:第31位 1339件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第39位 834件
(2011年:第47位 638件)
(ランキング更新日:2025年2月13日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-15564 | III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15563 | III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15560 | III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15559 | III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15556 | GaN系半導体光素子、GaN系半導体光素子を作製する方法、エピタキシャルウエハ及びGaN系半導体膜を成長する方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15555 | GaN系半導体光素子、GaN系半導体光素子を作製する方法、エピタキシャルウエハ及びGaN系半導体膜を成長する方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15488 | 光モジュール | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15416 | 半導体光素子を製造する方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15394 | AlGaAs基板、赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LED | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15393 | 半導体発光素子 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15382 | リアクトル | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15366 | 回折格子の形成方法及び半導体レーザの製造方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15306 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15170 | 受光素子およびその製造方法 | 2012年 1月19日 | |
特開 2012-15128 | レドックスフロー電池 | 2012年 1月19日 |
1443 件中 1351-1365 件を表示
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2012-15564 2012-15563 2012-15560 2012-15559 2012-15556 2012-15555 2012-15488 2012-15416 2012-15394 2012-15393 2012-15382 2012-15366 2012-15306 2012-15170 2012-15128
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2月17日(月) - 大阪 大阪市
(オンライン参加可)体験談から学ぶ知的財産権 その時どうする?~海外で商標権がバッティング?オープンファクトリーの知財リスク?~
2月18日(火) -
2月19日(水) - 東京 港区
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月19日(水) -
2月20日(木) - 東京 港区
2月20日(木) -
2月20日(木) -
2月20日(木) - 東京 千代田区
2月21日(金) - 東京 千代田区
2月21日(金) - 東京 大田
パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月21日(金) -
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月17日(月) - 大阪 大阪市
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