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日亜化学工業株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第357位 111件
（
2010年：第427位 100件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第261位 133件
（2010年：第283位 109件）
（ランキング更新日：2025年5月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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日亜化学工業株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4635418 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | 2011年 2月23日 | |
| 特許 4633962 | 窒化物半導体基板の製造方法 | 2011年 2月16日 | |
| 特許 4631175 | パッケージ成形体と発光装置 | 2011年 2月16日 | |
| 特許 4626657 | バックライトユニット | 2011年 2月 9日 | |
| 特許 4629178 | 窒化物半導体素子 | 2011年 2月 9日 | |
| 特許 4628651 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | 2011年 2月 9日 | |
| 特許 4626141 | 非水電解質二次電池用正極活物質および非水電解質二次電池 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4622396 | レーザ光源装置 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4626258 | 発光ダイオード | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4626143 | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4625997 | 発光ダイオード | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4623266 | 半導体レーザ制御装置 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4622720 | 窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4622466 | 窒化物半導体素子 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4622335 | 半導体レーザ素子 | 2011年 2月 2日 |
133 件中 106-120 件を表示
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4635418 4633962 4631175 4626657 4629178 4628651 4626141 4622396 4626258 4626143 4625997 4623266 4622720 4622466 4622335
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