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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-135592 | 電子機器 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135066 | 積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135064 | 積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135059 | 絶縁ゲート型トランジスタ | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-134724 | 発光装置 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-133876 | 液晶表示装置 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-133874 | 液晶表示装置 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-133873 | 表示装置 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135088 | 薄膜集積回路の作製方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135065 | 半導体装置 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135055 | 不揮発性メモリ | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135067 | 半導体装置及びその作製方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135063 | 半導体装置およびその作製方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135061 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-135054 | SOI基板の作製方法およびSOI基板 | 2011年 7月 7日 |
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2011-135592 2011-135066 2011-135064 2011-135059 2011-134724 2011-133876 2011-133874 2011-133873 2011-135088 2011-135065 2011-135055 2011-135067 2011-135063 2011-135061 2011-135054
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