ホーム > 特許ランキング > 株式会社半導体エネルギー研究所 > 2011年 > 特許一覧
※ ログインすれば出願人(株式会社半導体エネルギー研究所)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第41位 890件
(2010年:第95位 498件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第45位 658件
(2010年:第55位 464件)
(ランキング更新日:2025年4月4日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4845749 | 表示装置 | 2011年12月28日 | |
特許 4845491 | 半導体装置の作製方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4845309 | レーザアニール方法及び半導体装置の作製方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4846650 | 電極カバーおよび蒸着装置 | 2011年12月28日 | |
特許 4845284 | 半導体装置 | 2011年12月28日 | |
特許 4845592 | 半導体装置の作製方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4845336 | 撮像機能付き表示装置、及び双方向コミュニケーションシステム | 2011年12月28日 | |
特許 4845254 | 液晶表示装置およびその作製方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4845273 | 半導体装置およびその作製方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4845280 | レーザアニール装置 | 2011年12月28日 | |
特許 4845623 | 半導体装置の作製方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4845461 | 半導体装置及びその作製方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4841023 | 成膜装置及び太陽電池の作製方法 | 2011年12月21日 | 共同出願 |
特許 4842017 | 半導体装置 | 2011年12月21日 | |
特許 4842587 | フェナントロリン誘導体化合物、並びにそれを利用する電子輸送性材料、発光素子、発光装置及び電子機器 | 2011年12月21日 |
658 件中 1-15 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4845749 4845491 4845309 4846650 4845284 4845592 4845336 4845254 4845273 4845280 4845623 4845461 4841023 4842017 4842587
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社半導体エネルギー研究所の知財の動向チェックに便利です。
4月9日(水) -
4月9日(水) -
4月10日(木) - 東京 港区赤坂3-9-1 紀陽ビル4階
【セミナー|知財業界で働くなら知っておくべき】知財部長と代表弁理士が伝える、知財部と事務所の違いとは〈4/10(木)19時~〉
4月11日(金) -
【名古屋オフィス】 〒462-0002愛知県名古屋市中区丸の内2-10-30インテリジェント林ビル2階 【可児オフィス】 〒509-0203岐阜県可児市下恵土 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 鑑定 コンサルティング
〒101-0032 東京都千代田区岩本町3-2-10 SN岩本町ビル9階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都府中市寿町一丁目1-11 第2福井ビル5階 No.2 Fukui Bldg. 5F 1-11, Kotobukicho 1chome, Fuchu-shi Tokyo JAPAN 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング