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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2011年 出願公開件数ランキング    第664位 50件 下降2010年:第593位 65件)

  2011年 特許取得件数ランキング    第644位 47件 下降2010年:第485位 57件)

(ランキング更新日:2024年10月10日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特表 2011-515537 等しい優先性で両ブロックを湿潤にするために、制約を受ける上部界面を有するブロック共重合体膜の熱アニーリング 2011年 5月19日
特表 2011-514677 空洞画定ゲートを有するデバイスおよびその製造方法 2011年 5月 6日
特表 2011-514013 単一の導電柱への一対のメモリセルストリングを備えたメモリアレイ 2011年 4月28日
特表 2011-513885 メモリ素子のプログラミング中の電荷損失補償 2011年 4月28日
特表 2011-512598 チップ上にネットワークを有するメモリ・デバイスの方法、装置、及びシステム 2011年 4月21日
特開 2011-71536 メモリセルのアレイを作製する方法、メモリセルのアレイ及びメモリセルのアレイにおいてメモリセルを動作させる方法 2011年 4月 7日
特開 2011-49564 調整されたカラーフィルタを有する撮像装置 2011年 3月10日
特表 2011-507308 ピッチマルチプリケーションされた材料のループの一部分を分離するための方法およびその関連構造 2011年 3月 3日
特表 2011-505649 メモリセルの感知 2011年 2月24日
特表 2011-505032 メモリアクセスの順序を変更するシステム、装置、および方法 2011年 2月17日
特表 2011-504271 レートコンパチブルパンクチャドコードをサポートするメモリコントローラ 2011年 2月 3日
特表 2011-504276 フラッシュメモリからデータを読み出す方法および装置 2011年 2月 3日
特表 2011-504277 Mビットメモリセル用のM+NビットプログラミングおよびM+Lビット読出し 2011年 2月 3日
特表 2011-504263 スマートストレージデバイス 2011年 2月 3日
特表 2011-504270 フォールトトレラント不揮発性集積回路メモリ 2011年 2月 3日

50 件中 31-45 件を表示

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2011-515537 2011-514677 2011-514013 2011-513885 2011-512598 2011-71536 2011-49564 2011-507308 2011-505649 2011-505032 2011-504271 2011-504276 2011-504277 2011-504263 2011-504270

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