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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第664位 50件 (2010年:第593位 65件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第644位 47件 (2010年:第485位 57件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2011-530777 | メモリデバイスおよびメモリデバイスにデータを格納する方法 | 2011年12月22日 | |
特開 2011-258193 | 持続性メモリのためのキャッシュコヒーレンスプロトコル | 2011年12月22日 | |
特開 2011-258189 | プロセッサ・メインメモリのための持続性メモリ | 2011年12月22日 | |
特表 2011-530736 | フレキシブルで拡張可能なメモリアーキテクチャ | 2011年12月22日 | |
特開 2011-258971 | 抵抗可変メモリ・ディバイスおよび製造方法 | 2011年12月22日 | |
特開 2011-243273 | メモリ用ワード線ドライバ | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243198 | 拡張マルチレベルメモリ | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243193 | プログラムフェイル後のアクセス可能な情報を持つメモリバッファ | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243980 | カルコゲニド含有デバイス用電極の形成方法 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243274 | メモリデバイスに対するインデックスレジスタアクセス | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-243272 | 抵抗メモリのスタガープログラム方法 | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-238217 | メモリ中のプログラム・フェイルを示すための信号線 | 2011年11月24日 | |
特表 2011-528837 | 積層メモリデバイスダイスを用いるメモリシステムおよび方法、ならびにそのメモリシステムを用いるシステム | 2011年11月24日 | |
特開 2011-228709 | マルチレベルアーキテクチャを有するフラッシュメモリ | 2011年11月10日 | |
特開 2011-228710 | 限られたチャージ拡散を有するチャージトラップメモリ | 2011年11月10日 |
50 件中 1-15 件を表示
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2011-530777 2011-258193 2011-258189 2011-530736 2011-258971 2011-243273 2011-243198 2011-243193 2011-243980 2011-243274 2011-243272 2011-238217 2011-528837 2011-228709 2011-228710
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 (周辺領域の商標・不正競争防止法を含む)に関するQ&A ~日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Q&A形式で平易に解説~
10月22日(火) - 東京 港
10月22日(火) -
10月22日(火) -
10月22日(火) -
10月22日(火) -
10月23日(水) -
10月23日(水) -
10月23日(水) -
10月23日(水) -
10月24日(木) -
10月24日(木) -
10月24日(木) - 東京 港
10月24日(木) -
10月25日(金) - 東京 千代田区
10月25日(金) -
10月25日(金) - 大阪 大阪市
10月25日(金) -
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