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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第744位 42件
（
2011年： 0件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第199位 196件
（2011年： 0件）
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5013708 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5013082 | 半導体素子の微細パターン形成方法 | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5010815 | ゲートリセス構造及びその形成方法 | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5015090 | 半導体装置のカウンタ | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5011484 | 半導体装置のデータラッチ回路 | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5007084 | レジストフロー工程及びコーティング処理工程を含む半導体素子の製造方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 5008367 | 電圧発生装置 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 5005313 | 半導体メモリのアクティブ区間制御装置および方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 5009549 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 4999499 | 感光膜共重合体、感光膜共重合体の製造方法、感光膜、感光膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5000433 | 半導体記憶装置 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4999584 | 半導体メモリ素子の信号伝達制御装置 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5000863 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5000847 | 半導体素子のセルチャンネルイオン注入方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4999289 | 非対称リセスされたゲートを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2012年 8月15日 |
196 件中 151-165 件を表示
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5013708 5013082 5010815 5015090 5011484 5007084 5008367 5005313 5009549 4999499 5000433 4999584 5000863 5000847 4999289
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