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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第744位 42件
（
2011年： 0件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第199位 196件
（2011年： 0件）
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5096217 | マルチチップパッケージ装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5096740 | 半導体素子の形成方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5096815 | スモールクロックバッファを備えるメモリ装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5095919 | ナノチューブセルを利用したメモリ装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5095102 | フラッシュメモリ素子 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5094055 | 半導体素子のコンタクトホール形成方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5094813 | 不揮発性強誘電体メモリの制御装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5094057 | 半導体素子のキャパシタ製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5095918 | 多層ナノチューブセルを利用したメモリ装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5093971 | 半導体素子の製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5097306 | ＤＲＡＭメモリ素子のトランジスタ構造及びその製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5094814 | 不揮発性強誘電体メモリの制御装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5093945 | フラッシュメモリセルの製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5096721 | 同期式半導体メモリ素子の遅延固定ループ及びその駆動方法。 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5094085 | 半導体装置のデータ入出力マルチプレクサ | 2012年12月12日 |
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5096217 5096740 5096815 5095919 5095102 5094055 5094813 5094057 5095918 5093971 5097306 5094814 5093945 5096721 5094085
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