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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第626位 57件
（
2012年：第744位 42件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第476位 74件
（
2012年：第199位 196件）
（ランキング更新日：2025年2月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5175697 | ＤＬＬ回路およびその制御方法 | 2013年 4月 3日 | |
| 特許 5175597 | 半導体集積回路 | 2013年 4月 3日 | |
| 特許 5174321 | 半導体素子の製造方法 | 2013年 4月 3日 | |
| 特許 5171246 | インピーダンスマッチング回路及びこれを備える半導体素子 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5171247 | データ出力装置及びこれを備える半導体メモリ装置 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5170371 | 半導体素子の金属配線形成方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5171096 | 半導体メモリ素子の駆動方法 | 2013年 3月27日 | |
| 特許 5164446 | 半導体素子の微細パターン形成方法 | 2013年 3月21日 | |
| 特許 5164358 | マルチポートメモリ装置 | 2013年 3月21日 | |
| 特許 5165915 | 半導体記憶装置のデータ出力回路およびデータ出力制御方法 | 2013年 3月21日 | |
| 特許 5166670 | テスト性能が改善された半導体メモリ装置 | 2013年 3月21日 | |
| 特許 5160738 | 半導体素子の製造方法 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5161350 | 不揮発性メモリ装置のマルチページ読み出し方法 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5160739 | ステップＳＴＩプロファイルを用いたＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5160780 | フラッシュメモリ装置の電圧生成器 | 2013年 3月13日 |
74 件中 16-30 件を表示
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5175697 5175597 5174321 5171246 5171247 5170371 5171096 5164446 5164358 5165915 5166670 5160738 5161350 5160739 5160780
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