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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第626位 57件
（
2012年：第744位 42件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第476位 74件
（
2012年：第199位 196件）
（ランキング更新日：2025年2月6日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5161350 | 不揮発性メモリ装置のマルチページ読み出し方法 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5160780 | フラッシュメモリ装置の電圧生成器 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5160732 | 識別情報を有するメモリ装置 | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5159745 | 半導体メモリ | 2013年 3月13日 | |
| 特許 5158737 | フラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法 | 2013年 3月 6日 | |
| 特許 5158755 | ナンドフラッシュメモリ装置とそのセル特性改善方法 | 2013年 3月 6日 | |
| 特許 5159144 | 半導体素子の製造方法 | 2013年 3月 6日 | |
| 特許 5159693 | 不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動方法 | 2013年 3月 6日 | |
| 特許 5153540 | 同期式半導体メモリ素子及びその駆動方法 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5153094 | ＤＬＬ装置及びＤＬＬクロック生成方法 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5153131 | 半導体素子のデュアルゲート形成方法 | 2013年 2月27日 | |
| 特許 5149076 | 遅延固定ループ | 2013年 2月20日 | |
| 特許 5149109 | 半導体メモリ装置 | 2013年 2月20日 | |
| 特許 5149631 | 半導体メモリ装置 | 2013年 2月20日 | |
| 特許 5147183 | ナノチューブを有するキャパシタ及びその製造方法 | 2013年 2月20日 |
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5161350 5160780 5160732 5159745 5158737 5158755 5159144 5159693 5153540 5153094 5153131 5149076 5149109 5149631 5147183
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