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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5084492 | 半導体素子の製造方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5086572 | 遅延固定ループのクロックドライバー制御装置 | 2012年11月28日 | |
特許 5085813 | 半導体素子のトレンチ素子分離膜の製造方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5075598 | 半導体素子の微細パターン形成方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5075374 | フラッシュメモリ装置のページバッファおよびそれを用いたプログラム方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5078348 | マルチポートメモリ装置 | 2012年11月21日 | |
特許 5080174 | 半導体記憶装置の遅延ロックループ回路 | 2012年11月21日 | |
特許 5072274 | メモリ装置の書き込み回路 | 2012年11月14日 | |
特許 5073193 | 半導体装置 | 2012年11月14日 | |
特許 5073181 | 半導体メモリ素子の漏洩電流制御装置 | 2012年11月14日 | |
特許 5074542 | 内部電圧発生回路 | 2012年11月14日 | |
特許 5072429 | セルアレイにビットライン均等化部を備えたメモリ装置及びビットライン均等化部をセルアレイに配置する方法 | 2012年11月14日 | |
特許 5073166 | NANDフラッシュメモリ装置及びそのマルチI/Oリペア方法 | 2012年11月14日 | |
特許 5073286 | 半導体素子の製造方法 | 2012年11月14日 | |
特許 5069400 | 可変駆動電圧により動作するオシレータ | 2012年11月 7日 |
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5084492 5086572 5085813 5075598 5075374 5078348 5080174 5072274 5073193 5073181 5074542 5072429 5073166 5073286 5069400
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11月26日(火) -
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11月26日(火) -
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11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
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11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
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12月1日(日) -
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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