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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5069400 | 可変駆動電圧により動作するオシレータ | 2012年11月 7日 | |
特許 5065708 | フォトレジストのストリップ方法 | 2012年11月 7日 | |
特許 5069507 | データ入出力ドライバのインピーダンスを調整可能な半導体装置 | 2012年11月 7日 | |
特許 5068937 | 不揮発性強誘電体垂直電極セルと垂直電極セルを利用した不揮発性強誘電体メモリ装置、及びその垂直電極セルの製造方法 | 2012年11月 7日 | |
特許 5064939 | 半導体メモリ装置及びそのデータマスキング方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5063086 | フラッシュメモリ素子の検証方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5063041 | 向上されたリフレッシュメカニズムを有するダイナミック半導体メモリ | 2012年10月31日 | |
特許 5059825 | バイオセンサー | 2012年10月31日 | |
特許 5059824 | バイオセンサーを利用したセンシングセルアレイ | 2012年10月31日 | |
特許 5064687 | 半導体素子の製造方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5063135 | 半導体素子の製造方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5063061 | 半導体素子のキャパシタの製造方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5063030 | NAND型フラッシュメモリ素子の製造方法{MethodofmanufacturingaNANDtypeflashmemorydevice} | 2012年10月31日 | |
特許 5062969 | 半導体素子のランディングプラグコンタクト形成方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5064968 | 感光剤組成物を利用したパターン形成方法 | 2012年10月31日 |
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5069400 5065708 5069507 5068937 5064939 5063086 5063041 5059825 5059824 5064687 5063135 5063061 5063030 5062969 5064968
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11月25日(月) -
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11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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