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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第744位 42件
(2011年: 0件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第199位 196件
(2011年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5038599 | チャージトラップインシュレータメモリ装置 | 2012年10月 3日 | |
特許 5032062 | 感光物質コーティング用装置 | 2012年 9月26日 | |
特許 5037015 | フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、これを用いた半導体素子の製造方法及び半導体素子 | 2012年 9月26日 | |
特許 5036957 | エピタキシャルC49相のチタニウムシリサイド層を有する半導体素子の製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5037086 | 温度検出装置 | 2012年 9月26日 | |
特許 5036581 | マスク欠陥検査方法及びマスク欠陥検査装置 | 2012年 9月26日 | |
特許 5037115 | 非揮発性半導体メモリ装置 | 2012年 9月26日 | |
特許 5037114 | 半導体記憶装置の同期モード検出回路及び方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5037113 | 半導体メモリのオンダイターミネーション装置及び方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5034004 | 不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路並びにその駆動方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5037274 | キャパシタのリーニング防止用食刻液組成物及びこれを用いたキャパシタ製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5032797 | 相変化記憶素子及びその製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5030049 | フラッシュメモリ素子、その駆動方法および製造方法 | 2012年 9月19日 | |
特許 5030047 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 9月19日 | |
特許 5027417 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 9月19日 |
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5038599 5032062 5037015 5036957 5037086 5036581 5037115 5037114 5037113 5034004 5037274 5032797 5030049 5030047 5027417
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