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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第744位 42件
（
2011年： 0件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第199位 196件
（2011年： 0件）
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5030195 | 半導体素子の素子分離膜形成方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5030131 | ナンドフラッシュメモリ素子 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5030128 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5030126 | 半導体素子の素子分離膜形成方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5030049 | フラッシュメモリ素子、その駆動方法および製造方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5030047 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5027417 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 9月19日 | |
| 特許 5026069 | 回路レイアウトを用いて半導体素子の自己組立ダミーパターンを挿入する方法 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5026058 | スイッチング動作速度を増加させるブースト回路を含む高電圧スイッチ回路およびこれを含むフラッシュメモリ装置 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5022564 | フラッシュメモリ素子のページバッファ | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5025172 | スルー−レートが制御されたオープン−ループ出力ドライバー | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5025171 | 差動増幅装置 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5020469 | 半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5019890 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5017540 | 半導体素子のセンスアンプ及びその形成方法 | 2012年 9月 5日 |
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5030195 5030131 5030128 5030126 5030049 5030047 5027417 5026069 5026058 5022564 5025172 5025171 5020469 5019890 5017540
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