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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第9位 3568件 (2010年:第9位 4235件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第2位 4247件 (2010年:第2位 4710件)
(ランキング更新日:2025年1月31日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4816266 | 記録システム、記録方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816262 | 再生装置、再生方法および再生プログラム | 2011年11月16日 | |
特許 4816088 | 記憶装置の初期化方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816993 | 半導体レーザの製造方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816990 | 発光素子および半導体素子ならびにそれらの製造方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816981 | 負極および二次電池 | 2011年11月16日 | |
特許 4816854 | 燃料電池システム及び電気機器 | 2011年11月16日 | |
特許 4816768 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | 2011年11月16日 | |
特許 4816705 | バッテリの制御装置、バッテリの制御方法、及び、バッテリ | 2011年11月16日 | |
特許 4816603 | 固体撮像素子の製造方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816602 | 固体撮像素子の製造方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816601 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816457 | 撮像装置及び撮像結果の出力方法 | 2011年11月16日 | |
特許 4816314 | 記憶素子及び記憶装置 | 2011年11月16日 | |
特許 4816180 | リチウムイオン二次電池用負極およびリチウムイオン二次電池 | 2011年11月16日 |
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4816266 4816262 4816088 4816993 4816990 4816981 4816854 4816768 4816705 4816603 4816602 4816601 4816457 4816314 4816180
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2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
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